一种阵列基板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种阵列基板和显示装置。
【背景技术】
[0002]随着移动终端在生活中的应用越来越广泛，用户对移动终端的显示效果的要求越来越高。为了满足用户对移动终端的显示要求，移动终端显示屏正向着更高画质、更高解析度、更轻薄和更低功耗等方向发展。随着解析度的提高，移动终端显示屏的开口率会减小。为了保证移动终端的显示亮度，移动终端需求的背光亮度就越来越高。在目前的移动终端中，背光源的亮度已经超越电视等较大的显示装置。背光源的高亮度提高了移动终端的功耗，同时缩短了移动终端的待机时长，给用户带来较多的不便。
[0003]为了在保证移动终端显示屏的亮度同时不提升背光亮度的功耗，需要提高移动终端显示屏的透过率。现在常规的做法是采用平坦层来减少像素电极、公共电极与数据线或扫描线间的电容。一般平坦层的厚度为1.5 μπι以上，平坦层的设置有利于提高显示屏的开口率。同时为了满足显示屏窄边框的需求，通常的做法是压缩封框胶宽度。封框胶宽度的降低，有可能会降低封框胶对阵列基板及其对盒基板的粘附强度，给显示屏带来隐患。
[0004]为了保障封框胶对阵列基板及其对盒基板的粘附强度，如图1和2所示，通常会在阵列基板周边的平坦层I形成配合封框胶的沟槽。这样可保证封框胶与阵列基板的接触面积，进而保证封框胶的粘附程度。但是，平坦层的沟槽深度较大且会暴露部分数据线3，同时沟槽边缘的坡度一般大于50度。这导致在后续形成公共电极和像素电极时，沟槽里面会残留有大量的透明导电材料2。残留的透明导电材料2很可能会引起数据线3间的短路，引起显示不良。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种阵列基板和显示装置，以解决残留在沟槽里的透明导电材料会引起数据线间短路的技术问题。
[0006]本发明第一方面提供了一种阵列基板，该阵列基板包括数据线和位于数据线上方的平坦层，在阵列基板的非显示区域，平坦层形成有配合封框胶的沟槽，沟槽内形成有覆盖数据线的色阻层，色阻层的表面低于平坦层的表面。
[0007]其中，色阻层位于平坦层和数据线之间。
[0008]其中，色阻层与平坦层同层设置于数据线之上。
[0009]其中，对应所述平坦层的沟槽，所述数据线和衬底基板之间由下至上依次还包括:
[0010]缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层。
[0011 ] 其中，所述色阻层包括红色、绿色、蓝色和无色四种中的至少一种。
[0012]其中，色阻层的表面低于平坦层的表面至少0.5 μπι。
[0013]其中，色阻层的厚度为I至5μπι。
[0014]其中，平坦层的厚度为I至6 μm。
[0015]本发明带来了以下有益效果:在本发明实施例中，沟槽区域的数据线上方设置有绝缘的色阻层。色阻层覆盖了沟槽区域的数据线，可完全将沟槽内残留的透明导电材料和数据线隔绝开，防止在形成公共电极和像素电极之后，沟槽内残留的透明导电材料引起数据线的短路，保证了显示装置的显示效果。
[0016]本发明第二方面提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板，还包括与所述阵列基板对盒设置的彩色滤光基板。
[0017]本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍:
[0019]图1是现有技术中的阵列基板的结构示意图；
[0020]图2是图1的A-A截面示意图；
[0021]图3是本发明实施例中的阵列基板的结构示意图；
[0022]图4是图3的B-B截面示意图一；
[0023]图5是图3的B-B截面示意图二。
【具体实施方式】
[0024]以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0025]本发明实施例提供了一种阵列基板，如图3、4和5所示，该阵列基板包括数据线3和位于数据线3上方的平坦层I。其中，在阵列基板的非显示区域，平坦层I形成有配合封框胶的沟槽，沟槽内形成有覆盖数据线3的色阻层8，色阻层8的表面低于平坦层I的表面。
[0026]在本发明实施例中，沟槽区域的数据线3上方设置有绝缘的色阻层8。色阻层8覆盖了沟槽区域的数据线3，可完全将沟槽内残留的透明导电材料2和数据线3隔绝开，防止在形成公共电极和像素电极之后，沟槽内残留的透明导电材料2引起数据线3的短路，保证了显示装置的显示效果。
[0027]具体的，以设置有低温多晶娃(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)的阵列基板为例:在衬底基板7上，首先制备遮光层，在遮光层之上形成缓冲层6和非晶硅；之后通过准分子激光退火工艺使非晶硅转化为低温多晶硅，以形成有源层；然后依次形成栅极绝缘层5、栅极、层间绝缘层4和数据线3，如图4或图5所示，其中留在平坦层I的沟槽区域的结构包括缓冲层6 (Buffer)、栅极绝缘层 5 (Gate Insulator，简称 GI)、层间绝缘层 4 (Inter Level Dielectric，简称 ILD);接下来，对于设置有红色(R)、蓝色(B)和绿色(G)三种颜色像素的显示装置而言，可经过红色彩膜、绿色彩膜和蓝色彩膜三道制程，在该显示装置的阵列基板上形成RGB三种颜色的像素，并在沟槽的对应区域至少保留红色色阻、蓝色色阻、绿色色阻三者之一，色阻层8覆盖暴露在外的数据线3 ;最后形成平坦层I以及沟槽、公共电极、钝化层和像素电极等结构。
[0028]将包括红、绿和蓝三色的彩色滤光层(Color Filter