第二实施例的弯曲LCD装置中，图9A的第一基板210的内表面上的液晶分子231相对于初始对准轴逆时针旋转。如图10B中所示，在根据本发明的第二实施例的弯曲LCD装置中，图9B的第二基板120的内表面上的液晶分子232相对于初始对准轴顺时针旋转。
[0075]此时，由于液晶分子231和232的初始排列方向与根据本发明的第二实施例的弯曲LCD装置的弯曲方向垂直，因此沿液晶分子231和232的短轴的长度变为力矩臂。因而，第二实施例中的力矩较之第一实施例是小的，并且液晶分子231和232以较小的旋转角旋转。
[0076]结果，如图10C中所示，图9A的第一基板210的内表面上的液晶分子231和图9B的第二基板220的内表面上的液晶分子232扭曲并且被排列以具有它们之间的第二角度Θ 2。第二角度Θ 2比图7C的第一角度θ 1小，并且因而可以减小光泄漏。
[0077]就是说，在根据本发明的第二实施例的弯曲LCD装置中，液晶分子231和232初始沿弯曲方向排列。生成并施加相对弱的应力，并且液晶分子231和232以较小的扭曲角扭曲。因而，根据本发明的第二实施例的弯曲LCD装置中的液晶分子231和232之间的扭曲角，即第二角度Θ 2比根据本发明的第一实施例的弯曲IXD装置中的液晶分子131和132之间的扭曲角，即第一角度Θ 1小，并且可以减小光泄漏。
[0078]在根据本发明的第二实施例的弯曲LCD装置中，液晶分子可以具有正的介电各向异性。当电压施加到像素电极和公共电极并且在像素电极和公共电极之间生成电场时，液晶分子可以沿电场的方向排列。
[0079]将参照图11A和图11B描述根据本发明的第二实施例的弯曲LCD装置的像素结构。
[0080]图11A和图11B是图示根据本发明的第二实施例的弯曲LCD装置的像素结构的平面视图。
[0081]在图11A中，在第一方向上形成栅极线312，并且在与第一方向垂直的第二方向上形成数据线342。栅极线312和数据线342彼此交叉以限定像素区域。
[0082]薄膜晶体管Tr在栅极线312和数据线342的交叉部分处形成并且连接到栅极线312和数据线342。薄膜晶体管Tr包括栅极电极314、半导体层330、源极电极344和漏极电极346。
[0083]栅极电极314连接到栅极线312。栅极电极314可以是如图中所示的栅极线312的一部分，或者栅极电极314可以从栅极线312延伸。半导体层330置于栅极电极314与源极电极344和漏极电极346之间。半导体层330可以包括本征无定形娃的有源层和掺杂杂质的无定形硅的欧姆接触层。替选地，半导体层330可以由多晶硅形成。源极电极344连接到数据线342。源极电极344可以如图中所示以U形从数据线342延伸，或者源极电极344可以是数据线342的一部分。漏极电极346在半导体层330上与源极电极344隔开。源极电极344和漏极电极346之间的半导体层330变为薄膜晶体管Tr的沟道。如图中所示，沟道可以具有U形或者沟道的形状可以有多种变化。
[0084]在栅极线312和数据线342之间形成栅极绝缘层(未示出)。
[0085]同时，公共线316由与栅极线312相同的材料形成并且在第一方向上形成在与栅极线312相同的层上。辅助公共线318从公共线316延伸并且在第二方向上形成。辅助公共线318的第一端连接到公共线316，并且辅助公共线318的第二端在第一方向上延伸并且置于下一像素区域中。
[0086]钝化层(未示出)在栅极线312、数据线342、薄膜晶体管Tr和公共线316上形成。
[0087]像素电极362和公共电极372在钝化层上的像素区域中形成。
[0088]像素电极362包括第一像素电极部分362a和第二像素电极部分362b。第一像素电极部分362a和第二像素电极部分362b中的每个包括多个图案，该多个图案相对于第一方向以预定角度倾斜并且彼此隔开。此时，第一方向与第一像素电极部分362a和第二像素电极部分362b的每个图案之间的预定角度可以小于45度。当像素区域沿第二方向分成彼此相邻的第一区域和第二区域时，第一像素电极部分362a置于第一区域中，并且第二像素电极部分362b置于第二区域中。
[0089]基于图中上下文的像素区域中的第一像素电极部分362a和第二像素电极部分362b的左端，第一像素电极部分362a相对于第一方向逆时针以预定角度倾斜，并且第二像素电极部分362b相对于第一方向顺时针以预定角度倾斜。结果，第一像素电极部分362a和第二像素电极部分362b中的每个沿第一方向相对于穿过像素区域的中心的假想线基本上对称并且具有V形。
[0090]此外，第一像素连接部分364和第二像素连接部分366在与像素电极362相同的层上形成。第一像素连接部分364沿第二方向延伸并且与数据线342隔开。第一像素连接部分364连接到第一像素电极部分362a和第二像素电极部分362b的末端。第二像素连接部分366连接到第一像素连接部分364的末端。像素电极连接部分366与漏极电极346重叠并且通过在钝化层中形成的漏极接触孔352接触漏极电极346。
[0091]第一像素连接部分364与辅助公共线318重叠并且第二像素连接部分366与公共线316重叠以形成存储电容器。
[0092]公共电极372包括第一、第二和第三公共电极部分372a、372b和372c。第一公共电极部分372a和第二公共电极部分372b中的每个包括多个图案，该多个图案相对于第一方向以预定角度倾斜并且彼此隔开。此时，第一方向与第一公共电极部分372a和第二公共电极部分372b的每个图案之间的预定角度可以小于45度。
[0093]第一公共电极部分372a置于像素区域的第一区域中，而第二公共电极部分372b置于像素区域的第二区域中。第一公共电极部分372a的图案与第一像素电极部分362a的图案交替，而第二公共电极部分372b的图案与第二像素电极部分362b的图案交替。
[0094]基于图中上下文的像素区域中的第一公共电极部分372a和第二公共电极部分372b的左端，第一公共电极部分372a相对于第一方向逆时针以预定角度倾斜，并且第二公共电极部分372b相对于第一方向顺时针以预定角度倾斜。第三公共电极部分372c置于第一公共电极部分372a和第二公共电极部分372b之间，更具体地，置于第一像素电极362a和第二像素电极362b的相邻图案之间。第三公共电极部分372c可以具有三角形。第一像素电极部分362a和第二像素电极部分362b之间的第三公共电极部分372c的角点可以沿第一方向延伸。
[0095]公共电极372可以由与像素电极362相同的材料形成并且在与像素电极362相同的层上形成。
[0096]而且，公共连接部分374在与公共电极372相同的层上形成。公共连接部分374在第二方向上延伸并且连接第一、第二和第三公共电极部分372a、372b和372c的一端。第一像素连接部分364和公共连接部分374分别沿第一方向彼此面对地置于像素区域两侧。
[0097]公共连接部分374与公共线316重叠并且通过在钝化层中形成的第一公共接触孔354接触公共线316。此外，公共连接部分374可以与辅助公共线318的延伸部分重叠并且可以通过在钝化层中形成的第二公共接触孔356接触辅助公共线318的延伸部分。第一公共接触孔354和第二公共接触孔356中的一个可以被省略，或者除了第一公共接触孔354和第二公共接触孔356之外可以进一步形成另一公共接触孔。
[0098]替选地，根据本发明的第二实施例的弯曲LCD装置可以具有图11B中所示的像素结构。
[0099]在图11B中，在第一方向上形成栅极线412，并且在与第一方向垂直的第二方向上形成数据线442。栅极线342和数据线442彼此交叉以限定像素区域。
[0100]薄膜晶体管Tr在栅极线412和数据线442的交叉部分处形成并且连接到栅极线412和数据线442。薄膜晶体管Tr包括栅极电极414、半导体层430、源极电极444和漏极电极446。
[0101]栅极电极414连接到栅极线412。栅极电极414可以是如图中所示的栅极线412的一部分，或者栅极电极414可以从栅极线412延伸。半导体层430置于栅极电极414与源极电极444和漏极电极446之间。半导体层430可以包括本征无定形娃的有源层和掺杂杂质的无定形硅的欧姆接触层。替选地，半导体层430可以由多晶硅形成。源极电极444连接到数据线442。源极电极444可以如图中所示以U形从数据线442延伸，或者源极电极444可以是数据线442的一