根据本发明的另一方面，该框架沿第一方向的厚度为光学元件的厚度大小的至少10倍。特别地，该框架沿第一方向的厚度可为光学元件的厚度大小的至少20倍、尤其至少50倍、尤其至少100倍、尤其至少1000倍。结果，该框架非常稳定。该框架尤其相对于光学元件非常稳定。该框架尤其相对于光学元件在最大可能程度上是不可变形的。该框架尤其足够稳定，以至于其不会因滤波器的热应力而扭曲。
[0032]根据本发明的另一方面，该框架热联接至冷却装置。该框架尤其联接至散热片。热联接可尤其经由固态连接、气体接口或液体接口产生。换言之，该框架可主动地冷却。结果，框架的热膨胀可以减少，尤其得以避免。
[0033]根据本发明的另一方面，该框架的热容量为光学元件的热容量大小的至少10倍。该框架的热容量尤其为光学元件的热容量大小的至少100倍、尤其至少1000倍。从而，可确保对光学元件的加热至多导致对框架的可忽略的较少加热。换言之，框架本身可构成用于光学元件的散热片。
[0034]根据本发明的另一方面，框架包括具有至少100W/(mK)的导热性的材料。框架尤其包括具有至少200W/(mK)、尤其至少300W/(mK)的导热性的材料。这些指标涉及0°C的温度。该框架可尤其由这些材料中的一个或多个制成。框架优选地由这些材料中的一个或多个构成。特别地，铜、铝、金钢石和碳化硅适用于框架的材料。
[0035]优选地，框架由具有低线性膨胀系数的材料构成。该框架本身尤其具有低热膨胀。这还可通过合适材料的组合获得。
[0036]本发明的另一目的是改进光学组合装置。
[0037]该目的通过权利要求10的特征来实现。
[0038]光学组合装置尤其包括具有多个微反射镜的微反射镜阵列和根据上述的光学部件。
[0039]微反射镜阵列可尤其是分面反射镜，尤其用于投射曝光设备，尤其用于UV投射曝光设备、DUV投射曝光设备、VUV投射曝光设备或EUV投射曝光设备。微反射镜阵列尤其实现为微光电子机械系统(M0EMS)。单独的照明光线可通过这种具有多个微反射镜的M0EMS单独地偏转。具有单独光线的光束可提供用于照明目的。借助光学部件，可影响通过预定辐射源和/或另一微反射镜阵列可照明哪个微反射镜。借助光学部件，特别地，可以有目标的方式缩小光圈(stop down)，即遮挡微反射镜阵列的单独微反射镜。
[0040]根据本发明的一个方面，精确的一个微反射镜分配给光学元件的每个辐射非透射区域。还可这样实施一个或多个辐射非透射区域:它们分配给彼此邻近的两个或更多个微反射镜。
[0041]本发明的其它目的是改进投射曝光设备的照明光学单元、投射曝光设备的照明系统和投射曝光设备。
[0042]这些目的通过权利要求12至14的特征来实现。
[0043]由上面关于光学部件的描述，优点是显而易见的。
[0044]本发明的另一目的是改进制造微结构或纳米结构部件的方法。
[0045]该目的通过权利要求15的特征来实现。从上面的描述，优点是显而易见的。
[0046]通过使用包括UV辐射源、DUV辐射源(具有处于约200nm至300nm范围中、尤其为例如248nm的产生的使用辐射)、VUV辐射源(具有处于约lOOnm至200nm范围中、尤其为例如193nm的产生的使用辐射)或者包括EUV辐射源(具有处于5nm至30nm范围中的产生的使用辐射)的照明系统，根据本发明的光学部件的优点尤其良好地显示。
【附图说明】
[0047]下面参考附图更详细地说明本发明的示例性实施例。
[0048]图1示意性示出包括以子午截面示出的照明光学单元和投射光学单元的微光刻的投射曝光设备；
[0049]图2示出根据图1的投射曝光设备的照明光学单元的另一实施例，该照明光学单元包括微反射镜阵列(MMA)和由微反射镜阵列照明的光瞳分面反射镜；
[0050]图3示意性示出根据图2的光瞳分面反射镜的平面图，光瞳分面反射镜具有对应于照明设定的光瞳分面照明；
[0051]图4示意性示出投射曝光设备的光路的一部分的视图，其中，光线受到遮挡元件的阻挡；
[0052]图5示出在光路中具有多个遮挡元件的根据图4的视图；
[0053]图6a示意性示出用于遮挡元件的布置的承载结构的视图，所述承载结构布置在框架中；
[0054]图6b示出沿根据图6a的光学部件的线VIb的截面；
[0055]图7a示出具有布置在承载结构上的多个遮挡元件的根据图6的视图；
[0056]图7b示出沿根据图7a的光学部件的线Vllb的截面;以及
[0057]图8a和8b示出用于阐明具有遮挡元件的承载结构的热膨胀对其定位的效应的示意图。
【具体实施方式】
[0058]首先，描述投射曝光设备1及其构成部件的一般构造。对于这方面的细节，应当参考W02010/049076A2，其由此作为本申请的一部分完全并入本申请。图1以子午截面示意性示出微光刻的投射曝光设备1。除了辐射源3，投射曝光设备1的照明系统2具有用于曝光物平面6中的物场5的照明光学单元4。例如，物场5可以矩形方式或以弓形方式成形，具有13/1的x/y纵横比。在该情况下，曝光布置在物场5中的反射式掩模母版(图1中未示出)，所述掩模母版支承由用于制造微结构或纳米结构半导体部件的投射曝光设备1投射的结构。投射光学单元7用于将物场5成像至像平面9中的像场8。掩模母版上的结构成像至基底(尤其为晶片的形式，在附图中未示出)的光敏层上，所述基底布置在像平面9中的像场8的区域中。随后显影曝光的光敏层。
[0059]在投射曝光设备1操作期间，在y方向上同时扫描由掩模母版保持器(未示出)保持的掩模母版和由晶片保持器(未示出)保持的晶片。取决于投射光学单元7的成像比例，还可相对于晶片在相反方向上扫描掩模母版。
[0060]辐射源3是具有发射的使用辐射(处于5nm和30nm的范围中)的EUV辐射源。这可以是等离子体源，例如GDPP (气体放电产生的等离子体)源或LPP (激光产生的等离子体)源。其它EUV辐射源，例如基于同步加速器或自由电子激光器(FEL)的辐射源也是可能的。
[0061 ] 辐射源3还可以是UV辐射源，具有处于约200nm至300nm的范围中、尤其为例如248nm的产生的使用辐射的DUV辐射源或者具有处于lOOnm和200nm的范围中、尤其为193nm的发射的使用辐射的VUV辐射源。
[0062]从辐射源3发出的辐射10通过收集器11聚焦。对应的收集器例如从ΕΡ1225481Α中已知。在收集器11的下游，辐射10在照在场分面反射镜13上之前传播通过中间焦平面12。自由分面反射镜13布置在照明光学单元4的与物平面6光学共轭的平面中。
[0063]辐射10还在下文中称为使用辐射、照明光或成像光。
[0064]在场分面反射镜13的下游，福射10由光瞳分面反射镜14反射。光瞳分面反射镜位于照明光学单元7的入射光瞳平面中或位于与入射光瞳平面光学共轭的平面中。场分面反射镜13和光瞳分面反射镜14由多个单独反射镜构成，这在下面将更加详细地描述。在该情况下，场分面反射镜13细分为单独反射镜，使得照明整个物场5的场分面中的每一个本身由单独反射镜中的正好一个表示。或者，可使用多个这种单独反射镜构成场分面中的至少一些或所有。这同样相应地应用于光瞳分面反射镜14的光瞳分面的构造，光瞳分面镜的光瞳分面分别分配给场分面，并可在各情况下由单个单独反射镜或由多个这种单独反射镜形成。
[0065]场分面将从辐射源3入射的辐射10分为多个光束35。光束35在接近光瞳分面或在光瞳分面的位置处产生二次光源。
[0066]辐射10以小于或等于25°的入射角照在两个分面反射镜13、14上。因此，辐射10在正入射操作的范围中照在两个分面反射镜上。以掠入射的照射也是可能的。光瞳分面反射镜14布置在照明光学单元4的一平面中，该平面构成投射光学单元7的光瞳平面或关于投射光学单元7的光瞳平面光学共轭。借助光瞳分面反射镜14以及具有反射镜16、17和18(按照辐射10的光路的顺序标明)的传输光学单元15形式的成像光学组合装置，场分面反射镜13的场分面以彼此重叠的方式成像在物场5中。传输光学单元15的最