后一个反射镜18是掠入射反射镜。传输光学单元15与光瞳分面反射镜14 一起还称为用于从场分面反射镜13朝向物场5传输辐射10的顺序光学单元。照明光10经由多个照明通道从辐射源3朝向物场5引导。这些照明通道均分配有场分面反射镜13的场分面和光瞳分面反射镜14的光瞳分面，所述光瞳分面布置在场分面下游。场分面反射镜13和光瞳分面反射镜14的单独反射镜可通过致动器系统倾斜，使得可以实现光瞳分面到场分面的分配变化和照明通道的对应构造变化。得到不同的照明设定，不同的照明设定在照明光10在物场5上的照明角分布方面不同。
[0067]为了便于解释位置关系，其中，下面使用全局笛卡尔xyz坐标系。X轴在图1中垂直于附图平面朝向观察者延伸。y轴在图1中向右延伸。z轴在图1中向上延伸。
[0068]在随后附图中选择的附图中，描绘局部笛卡尔xyz坐标系，其中，X轴平行于根据图1的X轴延伸，y轴与所述X轴一起横跨相应光学元件的光学区域。
[0069]不同的照明系统可通过倾斜场分面反射镜13的单独反射镜并对应地改变场分面反射镜13的所述单独反射镜到光瞳分面反射镜14的单独反射镜的分配来实现。取决于场分面反射镜13的单独反射镜的倾斜，通过倾斜来追踪(track)光瞳分面反射镜14最新分配给所述单独反射镜的单独反射镜，使得再次保证场分面反射镜13的场分面成像到物场5中。
[0070]图2示出用于投射曝光设备1的照明光学单元24的替代构造。对应于上面关于图1已说明的部件的部件具有相同参考标号，并且不再详细讨论。
[0071 ]从辐射源3 (同样实现为LPP源)发出的使用辐射10首先由第一收集器25收集。收集器25可以是抛物面反射镜，其将辐射源3成像到中间焦平面12中或者将来自辐射源3的光聚焦在中间焦平面12中的中间焦点上。收集器25可以以下方式操作:使用辐射10以接近0°的入射角照在收集器上。那么，收集器25接近正入射操作，并因此还称为正入射(NI)反射镜。还可使用以掠入射操作的收集器来代替收集器25。
[0072]在照明光学单元24的情况下，作为引导使用辐射10(8卩，EUV辐射束)的光学组合装置的示例，多反射镜或微反射镜阵列(MMA)形式的场分面反射镜26布置在中间焦平面12的下游。场分面反射镜26实现为微电子机械系统(MEMS)。场分面反射镜26具有多个单独反射镜27，多个单独反射镜以矩阵状方式布置在阵列的行和列中。单独反射镜27设计成可通过致动器系统倾斜，如下所说明的。总体上，场分面反射镜26具有约100000个单独反射镜27。取决于单独反射镜27的尺寸，场分面反射镜26还可具有例如1000、5000、7000或者其它成千上万个单独反射镜27，例如500000个。分面反射镜26的微电子机械系统(MEMS)还称为微光电子机械系统(M0EMS)。
[0073]光谱滤波器可布置在场分面反射镜26的上游，并将使用辐射10与辐射源3的发射物的不可用于投射曝光的其它波长成分分开。光谱滤波器未示出。
[0074]场分面反射镜26由使用辐射10照射，使用辐射具有840W的功率和6.5kff/m2的功率
Fth也/又。
[0075]分面反射镜26的整个单独反射镜阵列具有500mm直径，并设计成与单独反射镜27处于紧密堆积的方式。至于场分面在各情况下由精确的一个单独反射镜表示，除去比例因数，单独反射镜27表示物场5的形状。分面反射镜26可由500个单独反射镜27形成，每个单独反射镜27表示场分面，并且在y方向上具有约5mm的尺寸，在X方向上具有100mm的尺寸。作为通过精确的一个单独反射镜27实现每个场分面的替代，每个场分面可由较小的单独反射镜27的组近似形成。在y方向上具有5mm尺寸且在X方向上具有100mm尺寸的场分面可以由例如具有5_X 5_的尺寸的单独反射镜27的1 X 20阵列至具有0.5mmX0.5mm的尺寸的单独反射镜27的10 X 200阵列构成。整个场分面阵列通过单独反射镜27的区域覆盖(area coverage)可以为70%至80%。
[0076]使用光10通过分面反射镜26的单独反射镜27朝向光瞳分面反射镜28反射。光瞳分面反射镜28具有约2000个静态的光瞳分面29。光瞳分面彼此并排以多个同心环布置，使得最内环的光瞳分面29以扇形形状的方式形成，直接与其邻近的环的光瞳分面29以环-扇形-形状方式形成。在光瞳分面反射镜28的象限中，12个光瞳分面29可呈现为在每个环中彼此并排。图3示出的每个环扇形进而由多个单独反射镜27形成。
[0077]使用光10通过光瞳分面29朝向布置在物平面6中的反射式掩模母版30反射。然后接着是投射光学单元7，如上面关于根据图1的投射曝光设备所说明的。
[0078]传输光学单元可再次设置在分面反射镜28和掩模母版30之间，如上面关于根据图1的照明光学单元4所说明的。
[0079]借助投射曝光设备1，掩模母版30的至少一部分成像在用于微结构或纳米结构部件(尤其是半导体部件，例如微芯片)的光刻制造的晶片上的光敏层区域上。取决于投射曝光设备1作为曝光扫描仪或曝光步进仪的实施例，掩模母版30和晶片在曝光扫描仪操作中连续地或在曝光步进仪操作中逐步地在y方向上以时间同步方式移动。
[°08°]图3举例不出光瞳分面反射镜28的光瞳分面29的照明，借助光瞳分面反射镜，可大致实现常规照明设定。在光瞳分面反射镜28的两个内部光瞳分面环中，在周向方向上照明光瞳分面29中的每第二个。图3中的该交替照明表示意在象征在该照明设定的情况下实现的填充密度比在环形照明设定下实现的填充密度低1/2。在两个内部光瞳分面环中，同样争取均匀的照明分布，尽管具有低1/2的占有密度。图3所示两个外部光瞳分面环未被照明。
[0081]在根据图1的照明光学单元4的实施例中，场分面反射镜26的单独反射镜27及场分面反射镜13和光瞳分面反射镜14的对应构造的单独反射镜具有多层涂层，用于优化它们在使用辐射10的波长的反射率。在投射曝光设备1的操作期间，多层涂层的温度不应当超过425Ko
[0082]照明光学单元4和24的单独反射镜27容纳在可抽空室32中，可抽空室的边界壁33在图2中示出。室32经由流体线33a与真空栗33c连通，截流阀33b容纳在流体线中。可抽空室32中的操作压力为几帕斯卡，尤其为3Pa或5Pa(局部压力H2)。所有其它局部压力明显低于1X 10—7mbar ο
[0083]单独反射镜27中的每一个可具有可照射的反射表面34，其具有0.1mmX 0.1mm、
0.5mm X 0.5mm或5_ X 5mm或更大的尺寸。反射表面34由多层涂层形成。
[0084]单独反射镜27的反射表面34彼此补充以形成场分面反射镜26的整个反射镜反射表面。对应地，反射表面34还可彼此补充以形成场分面反射镜13或光瞳分面反射镜14的整个反射镜反射表面。
[0085]下面参考图4描述光学部件的实施例，形式尤其为用于阻挡部分使用辐射10的封锁滤波器(blockade filter)36。特别地，封锁滤波器36形成对投射曝光设备1的光路的遮挡。
[0086]封锁滤波器36可尤其布置在中间焦平面12和场分面反射镜13或26之间的光路中或者布置在场分面反射镜13或26和光瞳分面反射镜14或28的之间光路中。不意性附图4总体上示出封锁滤波器36在微反射镜阵列37上游的光路中的布置，微反射镜阵列具有多个微反射镜39。对于微反射镜阵列37的细节，可参考上面的描述。
[0087]此外，图4示意性示出聚焦阵列38。还可省略聚焦阵列38。尤其在EUV投射曝光设备的情况下，聚焦阵列还可由反射元件，尤其由分面反射镜或收集器形成。
[0088]如图4举例示出，微反射镜阵列37包括缺陷微反射镜39*。
[0089]反射镜39之一的偏转可例如包含该反射镜不再以控制的方式倾斜的事实。这可具有的效果是，使用辐射10在非正确方向上偏转。在微反射镜39均由专用光源3照明的情况下，可通过关闭与缺陷反射镜39*关联的光源来防止使用辐射10在非正确方向上的偏转。在共用辐射源3的情况下，其辐射10通过合适的光学部件(例如分面反射镜)分为多个光束35，本发明通过封锁滤波器36阻挡掉与缺陷微反射镜39*关联的光束35*。
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