专利名称：等离子显示器及其制作方法
技术领域：
本发明是有关等离子显示器及其制作方法的技术，尤其是关于可以提高地址放电功效的一种等离子显示器及其制作方法。
(2)背景技术最近，可减少阴极射线管(Cathode Ray Tube)的重量和体积的各种纯平显示器正得以广泛开发。在纯平显示器中，有液晶显示器(Liquid CrystalDisplayLCD)、场发射显示器(Field Emission DisplayFED)、等离子显示器(Plasma Display Panel以下简称“PDP”)和电致发光(Electro-LuminescenceEL)显示器。
在此，PDP作为利用气体放电原理的显示元件，可简单制成大型板的产品。如图1所示，设有3电极，并通过交流电压驱动的3电极交流表面放电型PDP是最具代表意义的PDP产品。
如图1所示，在PDP的放电单元中，上部基板10上设有维持电耦合。即，设有扫描/维持电极12Y、统一维持电极12Z和设在下部基板18上的地址电极12X。在图1中，下部基板18是旋转90度后的示意图。
维持电耦合12Y、12Z由透明电极12a和总线(BUS)电极12b组成，并与地址电极12X相交叉。
为透过从放电单元供应的光线，透明电极12a由透明导电性物体组成。总线(BUS)电极12b具有相对较高的抵抗性，故能补偿具有低导电性能的透明电极12a的导电性。
在设有维持电耦合12Y、12Z的上部基板10上，还设有上部介质层14和保护膜16。上部介质层14可积蓄等离子放电时所发生的壁电荷。保护膜16可防止在等离子放电时，因反应溅射引起介质层14受损的现象，并能提高二次电子的放射效率，保护膜16通常由氧化镁(MgO)组成。
在设有地址电极12X的下部基板18上，还设有可积蓄壁电荷的下部介质层22。下部介质层22上设有隔断墙24，下部介质层22和隔断墙24的表面由荧光体20覆盖。隔断墙24可防止放电时生成的紫外线和可视光线泄漏至与其相邻的放电单元上。荧光体20通过气体放电时生成的紫外线被激活，并生成赤、绿、青之一颜色的可视光线。在设于上/下部基板10、18和隔断墙24之间的放电单元的放电空间内，将注入非活性混合气体。
具有上述结构特点的放电单元，被地址电极12X和扫描/维持电极12Y之间的对向放电所选定，并通过维持电耦合12Y、12Z之间的表面放电，维持放电现象。在上述放电单元中，通过维持放电时生成的紫外线，使荧光体20发光，并使可视光放射到单元外部。据此，放电单元通过调整维持放电的时间来体现等级，而以矩阵型式排设有放电单元的PDP将显示图像。
PDP上的隔断墙24可分为图2中的条纹形状和图3中的格子形状。在此，条纹状隔断墙容易排气，但荧光体20的覆盖面积太小。而格子形隔断墙的荧光体20覆盖面积相对较宽，故能增加亮度，但具有排气不畅的弊端。
为了解决上述问题，曾研发出了图4中设有辅助放电信道的格子形隔断墙。
图4中的PDP在为区别与其相邻的放电单元的格子形隔断墙24中，给每个横隔断墙之间设置了辅助放电信道15。通过该辅助放电信道15，在注入放电时所需的非活性气体之前，先排放残留在显示板内的不纯气体，并通过格子形隔断墙24，拓宽荧光体20的覆盖面积，以提高亮度。
此外，在辅助放电信道15上，还设有可容纳与其相邻放电单元的扫描/维持电极12Y和统一维持电极12Z的较宽空间。据此，在地址放电时，可通过辅助放电信道15内的扫描/维持电极12Y和统一维持电极12Z之间的电压差，生成启动粒子，并将其供应给将在下一个选择的相邻放电单元。在拥有启动粒子的放电单元中，将通过启动效果，生成足够的壁电荷，以便进行地址放电。
但由于常规式PDP中的辅助放电信道空间过于窄小，而且电极面积也不是很大，因此很难进行启动放电。
(3)发明内容本发明的目的是为了解决上述问题，提供一种可提高地址放电功效的等离子显示器及其制作方法。
为了实现上述目的本发明实施例中的等离子显示器PDP由如下结构组成设在上部、下部基板之间，并利用放电单元单位形成主放电空间的隔断墙；设在所述的隔断墙之间的辅助放电信道；设在所述的辅助放电信道和主放电空间之间的具有不同厚度的介质层。
在上述介质层中，辅助放电信道介质层的厚度小于主放电空间介质层的厚度。
在上述介质层和上部基板之间，设有扫描/维持电极、统一维持电极。
扫描/维持电极、统一维持电极在主放电空间内被拓宽，并形成于辅助放电信道领域中。
上述辅助放电信道内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离小于上述主放电空间内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离。
上述辅助放电信道内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离比上述主放电空间内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离小10～50μm。
上述隔断墙由如下两个结构组成与扫描/维持电极、统一维持电极并排形成的横隔断墙；在横隔断墙之间，与横隔断墙垂直交叉的竖隔断墙。
本发明实施例中的PDP制作方法由如下三个步骤组成即，第1步骤、设置形成主放电空间的隔断墙和设在形成于该隔断墙之间的辅助放电信道的下部基板；第2步骤、在辅助放电信道和上述主放电空间内，设置带有厚度不同的介质层的上部基板；第3步骤、连接上部基板和下部基板。
上述辅助放电信道介质层的厚度小于主放电空间介质层的厚度。
在上述制作方法中，还应包括在介质层和上部基板之间设置扫描/维持电极、统一维持电极步骤。
上述扫描/维持电极、统一维持电极在上述主放电空间内被拓宽，并形成于辅助放电信道领域中。
在上述辅助放电信道内，扫描/维持电极、统一维持电极之间距离小于上述主放电空间内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离。
在上述辅助放电信道内，扫描/维持电极、统一维持电极之间距离比上述主放电空间内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离小10～50μm。
参照图片详细说明本发明实施例的其它目的和特点，将对本发明有个进一步明确的认识。
本发明的效果如上所述，本发明中的等离子显示器及其制作方法，通过使与辅助放电信道相重叠的上部介质层的厚度小于主放电空间的厚度，拓宽辅助放电信道空间，并使辅助放电信道的电极之间距离，小于主放电空间的电极之间距离，可强化电场强度，并能增加启动粒子的生成率。据此，启动粒子可简单传送至下一个单元，以提高地址放电的功效。
为进一步说明本发明的上述目的、结构特点和效果，以下将结合附图对本发明进行详细的描述。
(4)
图1是普通3电极交流型常规式等离子显示器的界面图。
图2是常规式等离子显示器的条纹状隔断墙示意图。
图3是常规式等离子显示器的格子形隔断墙示意图。
图4是设有辅助放电信道的等离子显示器界面图。
图5是本发明第1实施例中的等离子显示器的放电单元结构界面图。
图6是在图5中，设有辅助放电信道的等离子显示器的格子形隔断墙平面图。
图7是本发明第2实施例中的等离子显示器的放电单元结构界面图。
图8a～图8e是本发明第1、第2实施例中的等离子显示器的上部基板制作工序界面图。
附图中主要部分的符号说明
10、100上部基板 12X、112X、212X地址电极12Y、112Y扫描/维持电极12Z、112Z统一维持电极14、22介质层 15、115、215辅助放电信道16、116保护膜 18、118下部基板20、120、220荧光体24、124、224隔断墙(5)具体实施方式
下面将参照附图5～附图8，对本发明的等离子显示器及其制作方法的实施例进行详细说明。
图5是本发明第1实施例中的等离子显示器的放电单元结构界面图，图6是在图5中，设有辅助放电信道的等离子显示器的格子形隔断墙平面图。
如图5所示，在PDP的放电单元中，上部基板110上设有维持电耦合。即，设有扫描/维持电极112Y、统一维持电极112Z和设在下部基板118上的地址电极112X。
维持电耦合112Y、12Z由透明电极112a和总线(BUS)电极112b组成，并与地址电极112X相交叉。
为透过从放电单元供应的光线，透明电极112a由透明导电性物体组成。总线(BUS)电极112b具有相对较高的抵抗性，故能补偿具有低导电性能的透明电极112a的导电性。
在每个放电单元内相对而设，即在主放电空间内的透明电极112a之间距离d1，大于与放电单元相邻的辅助放电信道115空间内的透明电极112a之间距离d2。据此，使主放电空间内的透明电极112a之间距离d1，大于辅助放电信道115空间内的透明电极112a之间距离d2，以便利用相对较低的电压，形成启动粒子。例如，主放电空间内的透明电极112a之间距离d1，比辅助放电信道115空间内的透明电极112a之间距离d2大10～50μm。在设有维持电耦合112Y、112Z的上部基板110上，还设有第1、第2上部介质层113、114和保护膜116。第1上部介质层113在设有维持电耦合112Y、112Z的上部基板110上形成，而第2上部介质层114则在除了与辅助放电信道115相互重叠的领域之外的第1上部介质层113上形成。在此，第1、第2上部介质层113、114的总厚度是20～40μm，而第1、第2上部介质层113、114之间的厚度差是5～10μm 。
第1、第2上部介质层113、114可积蓄等离子放电时所发生的壁电荷。保护膜116可防止在等离子放电时，因反应溅射引起第1、第2上部介质层113、114受损的现象，并能提高二次电子的放射效率，保护膜116通常由氧化镁(MgO)组成。
在设有地址电极112X的下部基板118上，还设有可积蓄壁电荷的下部介质层122。下部介质层122上设有与总线(BUS)电极112b重叠的格子形隔断墙124，并在下部介质层122和隔断墙124的表面上覆盖荧光体120。
格子形隔断墙124可防止放电时生成的紫外线和可视光线泄漏至与其相邻的放电单元上。格子形隔断墙124由与维持电耦合112Y、112Z并排形成的横隔断墙124a和维持电耦合112Y、112Z相交叉的竖隔断墙124b组成。在格子形隔断墙124中，横隔断墙124a隔着辅助放电信道115，划分上下相邻的放电单元，而竖隔断墙124b则划分左右相邻的放电单元。
辅助放电信道115是在注入放电时所需的非活性气体之前，排放残留在显示板内的不纯气体的通道。在该辅助放电信道115内，可通过地址放电时相邻的放电单元的扫描/维持电极112Y和统一维持电极112Z之间的电压差，生成启动粒子。该启动粒子被供应到相邻放电单元中，以提高相邻放电单元的地址放电功效。
荧光体120通过等离子放电时所发生的紫外线被激活，并生成赤、绿、青之一颜色的可视光线。在形成于上/下部基板110、118和隔断墙124之间的放电空间内，将注入气体放电所需的非活性气体。
具有上述结构特点的放电单元，被地址电极112X和扫描/维持电极112Y之间的对向放电所选定，并通过维持电耦合112Y、112Z之间的表面放电，维持放电现象。在上述放电单元中，通过维持放电时生成的紫外线，使荧光体120发光，并使可视光放射到单元外部。据此，放电单元通过调整维持放电的时间来体现等级，而以矩阵型式排设有放电单元的PDP将显示图像。
如上所述，本发明第1实施例中的PDP，使与辅助放电信道相重叠的上部介质层的厚度，小于主放电空间的厚度，以拓宽辅助放电信道的放电空间厚度，并使辅助放电信道内的透明电极之间距离，小于主放电空间的透明电极之间距离，以增加启动粒子的生成率。在本发明中，辅助放电信道内的介质层的厚度，不同于主放电空间内的介质层的厚度，故能防止因使用次等介质层而易发生的相邻单元之间的外部干扰(Cross talk)现象。
此外，在本发明第1实施例中的上部基板的介质层上，在辅助放电信道中还可设置相对较低于主放电空间的低槽。
图7是本发明第2实施例中的等离子显示器的放电单元结构界面图。
如图7所示，本发明第2实施例中的等离子显示器与图5中的PDP结构几乎相同。唯一不同的是，第2上部介质层214被设在与辅助放电信道215和隔断墙的一部分相重叠的领域之外的领域，故在此将不对图5中介绍的内容进行进一步说明。
第1上部介质层213在设有维持电耦合212Y、212Z的上部基板210上形成，而第2上部介质层214则在除了部分格子形隔断墙224和与辅助放电信道215相互重叠的领域之外的第1上部介质层213上形成。在整个或部分格子形隔断墙224以及与辅助放电信道215相重叠的领域上，只形成第1上部介质层213，以确保辅助放电信道215空间大于第1实施例中的辅助放电信道空间。此外，第2上部介质层214与部分格子形隔断墙224相重叠，以便启动粒子容易传送到下一个放电单元中。据此，随着辅助放电信道215空间变宽，启动粒子的生成率也得以大幅增加。
在此，主放电空间内的透明电极212a之间距离d1，大于与放电单元相邻的辅助放电信道215空间内的透明电极212a之间距离d2。据此，使主放电空间内的透明电极212a之间距离d1，大于辅助放电信道215空间内的透明电极212a之间距离d2，以便利用相对较低的电压，形成启动粒子。例如，主放电空间内的透明电极212a之间距离d1，比辅助放电信道215空间内的透明电极212a之间距离d2大10～50μm。
图8a～图8e是本发明第1、第2实施例中的等离子显示器的上部基板制作工序界面图。
首先，在上部基板210上溅射传导性物质，然后进行图案装饰，如8a所示，将形成透明电极212a。在形成透明电极212a的上部基板210上，安装总线(BUS)电极物体，然后进行图案装饰，如图8b所示，形成总线(BUS)电极212)。在形成总线(BUS)电极212b的上部基板210上，利用丝网印刷术(screen printing)等方法，形成图8c中的第1上部介质层213。在形成第1上部介质层213的上部基板210上，利用丝网印刷术等方法，形成图8d中的第2上部介质层214。
此时，第2上部介质层214在图5中，除了与辅助放电信道115相重叠的领域之外的领域上形成，或如图7所示，在除了整个或部分隔断墙224和与辅助放电信道215相重叠的领域之外的领域上形成。
最后，在第1、第2介质层213、214上，覆盖保护层物体氧化镁，以形成图8e中的保护膜216。
本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明权利要求书的范围内。
权利要求
1.一种等离子显示器，其特征在于由如下结构组成设在上部、下部基板之间，并利用放电单元单位形成主放电空间的隔断墙；设在所述的隔断墙之间的辅助放电信道；设在所述的辅助放电信道和主放电空间之间的具有不同厚度的介质层。
2.如权利要求1所述的等离子显示器，其特征在于在所述的介质层中，所述的辅助放电信道介质层的厚度，小于主放电空间介质层的厚度。
3.如权利要求1所述的等离子显示器，其特征在于在所述的介质层和上部基板之间，设有扫描/维持电极、统一维持电极。
4.如权利要求3所述的等离子显示器，其特征在于所述的扫描/维持电极、统一维持电极在所述的主放电空间内被拓宽，并应形成于所述的辅助放电信道领域中。
5.如权利要求4所述的等离子显示器，其特征在于所述的辅助放电信道内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离，应小于所述的主放电空间内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离。
6如权利要求5所述的等离子显示器，其特征在于所述的辅助放电信道内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离，比所述的主放电空间内的第1、第2电极之间距离小10～50μm。
7.如权利要求1所述的等离子显示器，其特征在于所述的隔断墙由如下两个结构组成与所述的扫描/维持电极、统一维持电极并排形成的横隔断墙；在所述的横横断墙之间，与所述的横隔断墙垂直交叉的竖隔断墙。
8.一种如权利要求8所述的等离子显示器的制作方法，其特征在于由如下三个步骤组成第1步骤、设置形成主放电空间的隔断墙和设在形成于该隔断墙之间的辅助放电信道的下部基板；第2步骤、在所述的辅助放电信道和所述的主放电空间内，设置带有厚度不同的介质层的上部基板；第3步骤、连接所述的上部基板和下部基板。
9.如权利要求8所述的等离子显示器的制作方法，其特征在于所述的辅助放电信道介质层的厚度，小于主放电空间介质层的厚度。
10.如权利要求8所述的等离子显示器的制作方法，其特征在于在所述的制作方法中，还应包括在介质层和上部基板之间设置扫描/维持电极、统一维持电极步骤。
11.如权利要求10所述的等离子显示器的制作方法，其特征在于所述的扫描/维持电极、统一维持电极应在所述的主放电空间内被拓宽，并应形成于辅助放电信道领域中。
12.如权利要求11所述的等离子显示器的制作方法，其特征在于所述的辅助放电信道内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离，应小于所述的主放电空间内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离。
13.如权利要求12所述的等离子显示器的制作方法，其特征在于所述的辅助放电信道内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离，比所述的主放电空间内的扫描/维持电极、统一维持电极之间距离小10～50μm。
全文摘要
本发明是有关一种等离子显示器，其特征在于由如下结构组成设在上部、下部基板之间，并利用放电单元单位形成主放电空间的隔断墙；设在所述的隔断墙之间的辅助放电信道；设在所述的辅助放电信道和主放电空间之间的具有不同厚度的介质层。本发明能提高地址放电功效。
文档编号H01J11/38GK1755878SQ20041006691
公开日2006年4月5日 申请日期2004年9月30日 优先权日2004年9月30日
发明者崔光烈, 闵丙国 申请人:南京Lg同创彩色显示系统有限责任公司