专利名称：等离子体显示设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及等离子体显示设备，且更具体地，涉及一种等离子体显示设备，其中槽或沟道形成在面板的下基板上形成的障壁上，以减小形成在下基板上的寻址电极之间的电容。
背景技术：
等离子体显示设备是一种显示器，其中通过使面板中的气体放电产生的真空紫外线(VUV)与面板中的荧光体碰撞以产生光。电压被适当地施加到提供在等离子体显示设备的上基板上的扫描电极和维持电极以及施加到等离子体显示设备的下基板上提供的寻址电极，以产生放电并在屏幕上显示图像。
即，相对极性的电压施加到扫描电极和寻址电极以选择用于产生放电的单元，并且相同量值的电压交替施加到扫描电极、维持电极和寻址电极以产生放电。
这里，具有上面结构的等离子显示设备的上基板和下基板通过密封材料彼此附着，使上基板的黑矩阵(black matrices)附着到下基板的障壁，并且放电产生在障壁之间。
因此，当VUV通过放电产生时，VUV激励施加到放电空间内的荧光体以发光，使产生可见射线以在屏幕上显示图像。
荧光体的厚度是10μm到20μm。由于R、G和B荧光体层的介电常数彼此不同，所以借助其荧光体层可以通过放电产生可见射线的放电电压是彼此不同的。
但是，根据具有上面结构的传统等离子体显示设备，通过形成在面板的下基板上的障壁在寻址电极之间产生电容，使无功功率在面板驱动期间由于电极之间的电容而增加。
具体地，在面板中执行单个扫描驱动时比在面板中执行双扫描驱动时需要较高的驱动电压。因此，形成在下基板上的寻址电极之间的电容增加，使面板的无功功率增加。
发明内容
因此，本发明的一个目的是解决至少背景技术的问题和缺点。
本发明的一个目的是提供一种等离子体显示设备，其中槽形成在等离子体显示设备的下基板上形成的障壁上和之间，使形成在下基板上的寻址电极之间的电容减小，并且使由电容产生的无功功率减小，以减小面板的无功功率。
根据本发明的第一方面，提供了一种等离子体显示设备，其包括上基板；下基板，面对上基板；以及障壁，形成在下基板上以隔开放电单元。至少一个宽度不小于障壁宽度的0.1倍并且不大于障壁宽度的0.8倍的槽形成在障壁上。
根据本发明的第二方面，提供了一种等离子体显示设备，其包括上基板；下基板，面对上基板；以及障壁，形成在下基板上以隔开放电单元。至少一个宽度不小于障壁高度的0.5倍的槽形成在障壁上。
根据本发明的第三方面，提供了一种等离子体显示设备，其包括上基板；下基板，面对上基板；以及主障壁，形成在下基板上以隔开放电单元。主障壁包括以预定距离彼此分开的第一子障壁和第二子障壁。预定距离不小于从第一子障壁的一端到第二子障壁的另一端的宽度的0.1倍，并且不大于该宽度的0.8倍。
被包括以提供本发明的进一步理解并且被结合并构成此说明书的一部分的
了本发明的实施例，并且与本描述一起用于解释本发明的原理。在图中图1是说明根据本发明第一实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
图2是说明根据本发明第二实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
图3是说明根据本发明第三实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
图4是说明根据本发明第四实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
图5是说明根据本发明第五实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
图6是说明根据本发明第六实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
图7和8是说明槽形成在根据本发明的等离子体显示设备的水平障壁上的透视图。
图9是说明槽形成在根据本发明的等离子体显示设备的竖直障壁上的透视图。
具体实施例方式
将参考附图以更详细的方式描述本发明的优选实施例。
图1是说明根据本发明第一实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
如图1中所示，根据本发明第一实施例的等离子体显示设备包括寻址电极(未示出)，形成在下基板21上；白背面(white back)23，其是形成在寻址电极(未示出)上的白电介质材料，用于防止放电光透射到下基板；障壁24，形成在白背面23上，用于隔开放电单元；以及红(下文中R)、绿(下文中G)和蓝(下文中B)荧光体层25，施加到障壁24的侧表面和放电空间的底表面，用于在放电期间发出可见射线。
具有宽度a的槽形成在障壁24上。形成在寻址电极(未示出)之间的电容(下文中Cp)通过该槽减小。
这里，槽a优选地形成到底。但是，该槽的宽度不小于障壁宽度d的0.1倍并且不大于d的0.8倍、优选地不小于d的0.3倍并且不大于d的0.6倍，以便维持障壁24的最小硬度并且保证放电单元空间。上述障壁的宽度不是接触下基板的白背面的底的宽度，而是障壁的顶的宽度。
即，障壁的宽度d是通过将通过槽彼此分开的障壁的左顶的宽度b1以及障壁的右顶的宽度b2以及槽的宽度a彼此相加而得到。
当省去待施加到障壁24的荧光体层25以及放电空间时，上述槽形成，以减小寻址电极之间产生的电容Cp并且增大清洁效率。
障壁的左顶的宽度b1与障壁的右顶的宽度b2彼此相等。即，槽形成为基于槽彼此对称。
在此情形中，障壁的左顶的宽度b1和障壁的右顶的宽度b2中的至少一个优选地具有30μm与60μm之间的值。当障壁的左顶的宽度b1和障壁的右顶的宽度b2都小于30μm时，由于障壁变得太薄而使得障壁变弱，难于维持障壁的形状或障壁容易被震动损坏。
槽的深度c不小于障壁高度的0.5倍。
即，由于障壁高度通常是120μm到130μm，所以槽的深度c不小于65μm，即不小于障壁高度的0.5倍。
当槽的深度c小于障壁高度的0.5倍时，难于充分地减小电容。
在此情形中，槽的顶的宽度是50μm到150μm。为了将槽形成到底，槽的顶的宽度优选地是120μm到150μm。
在此情形中，荧光体层25形成在槽的顶上以及障壁上，以覆盖障壁和槽。
图2是说明根据本发明第二实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
如图2中所示，根据本发明第二实施例的等离子体显示设备与根据本发明第一实施例的等离子体显示设备的不同之处在于荧光体层25不形成在障壁的顶上和槽上。
由于荧光体层25不形成在障壁的顶上，有可能提高对比度。
图3是说明根据本发明第三实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
如图3中所示，根据本发明第三实施例的等离子体显示设备与根据本发明第一实施例的等离子体显示设备的不同之处在于彼此分开的障壁的左顶的宽度b1与障壁的右顶的宽度b2彼此不相等。由于根据本发明第三实施例的等离子体显示设备的其余结构与根据本发明第一实施例的等离子体显示设备的结构相同，将省略其描述。
图4是说明根据本发明第四实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
如图4中所示，障壁形成在根据本发明第四实施例的等离子体显示设备的下基板上。障壁包括第一子障壁24a和第二子障壁24b，并且预定的槽或沟道A形成在第一子障壁24a与第二子障壁24b之间。即，第一子障壁24a和第二子障壁24b以预定距离a彼此分开。
将描述一种形成第一子障壁与第二子障壁之间的沟道的方法。槽以障壁的高度c形成在一个障壁上，使得具有宽度d的障壁被分成第一子障壁和第二子障壁，以形成两个子障壁之间的沟道。
在另一方法中，第一和第二子障壁以预定距离彼此分开以形成沟道A。
这里，形成在第一子障壁24a与第二子障壁24b之间的槽A的宽度不小于从第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的另一端的宽度d的0.1倍并且不大于d的0.8倍。槽A的宽度优选地不小于从第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的另一端的宽度d的0.3倍并且不大于d的0.6倍。
预定距离或槽的宽度a可以大于子障壁的顶的宽度b1或b2。
第一子障壁的宽度b1或第二子障壁的宽度b2不小于从第一子障壁的一端到第二子障壁的另一端的宽度d的0.1倍并且不大于d的0.45倍。
槽A的深度c等于第一和第二子障壁24a和24b的高度。即，该槽优选地形成到底。
图5是说明根据本发明第五实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
如图5中所示，根据本发明第五实施例的等离子体显示设备与根据第四实施例的等离子体显示设备的不同之处在于荧光体层25不形成在障壁的顶上和槽上。
由于荧光体层25不形成在障壁的顶上和槽上，有可能提高对比度。
图6是说明根据本发明第六实施例的等离子体显示设备的障壁的截面视图。
如图6中所示，在根据本发明第六实施例的等离子体显示设备中，多个槽形成在障壁上。根据本发明第六实施例的等离子体显示设备的结构基本上与根据上述实施例的等离子体显示设备的结构相同。
由多个槽彼此分开的多个子障壁的顶的宽度b1到b4可以彼此相等或可以彼此不同。
此时，槽的深度c可以不小于障壁高度的0.5倍并且可以等于障壁高度。
如上所述的本发明的第一到第六实施例可以应用到竖直障壁以及应用到水平障壁。
图7和8是说明槽形成在根据本发明的等离子体显示设备的水平障壁上的透视图。图9是说明槽形成在根据本发明的等离子体显示设备的竖直障壁上的透视图。
根据本发明的等离子体显示设备的结构将参考图7到9详细描述。如图7到9中所示，根据本发明的等离子体显示设备包括上面板10，图像显示在其上；以及下面板20，与上面板10分开以与上面板10平行伸展。
这里，上面板10包括上基板11；多个扫描电极12和维持电极13，以均匀距离形成在上基板11上；电介质层14，形成在多个电极12和13上；以及电介质保护层15，形成在电介质层14上。
下面板20包括多个寻址电极22，形成为与上面板10上的扫描电极12或维持电极13相交；白背面23，形成在寻址电极22上以防止放电光透射；障壁24，隔开白背面23上的多个放电空间；以及R、G和B荧光体层25，施加到障壁的侧表面和放电空间的底，以在放电期间发出可见射线。
这里，上和下面板10和20彼此附着，其中填充有惰性气体，并且附着的面板被分时地驱动到用于初始化所有单元以显示图像的复位时段、用于选择单元的寻址时段、以及用于在所选择的单元中产生显示放电的维持时段。由该驱动产生的放电需要高电压。
此时，面板是一个大的电容器型负载，使得电容Cp值在面板中、即在面板的电介质层14与23之间充电。
相应于在面板中充电的电容值Cp的增加，电极之间的无功电流增加，使得面板上的无功功率也增加。
因此，在根据本发明的等离子体显示设备中，为了减小形成在下基板20上的寻址电极22之间的电容Cp值并从而减小无功功率，在下基板20的障壁24上形成预定的槽。
这里，根据本发明第一到第三实施例的槽可以形成在等离子体显示设备的有效显示区中的障壁上，并且根据本发明第四到第六实施例的槽可以形成在有效显示区之外的非显示区中的障壁上。这是因为非显示区中的障壁的宽度可以大于有效显示区中的障壁的宽度，使得尽管槽的深度增大或多个槽形成而障壁的硬度不会退化。
首先将描述在有效显示区上形成的障壁。在障壁24上形成的槽的宽度不小于障壁24宽度的0.1倍并且不大于该宽度的0.8倍，并且优选地不小于障壁24宽度的0.3倍并且不大于该宽度的0.6倍。
其上形成有槽A的障壁24的左和右顶的宽度(图1的b1和b2)彼此相等，即，不小于障壁24宽度的0.1倍并且不大于该宽度的0.45倍，并且槽A的深度不小于障壁24高度的0.5倍。
此时，槽A优选地具有不小于障壁24高度的0.7倍的深度。
当槽A的宽度a小于障壁高度的0.1倍时，不可能充分地减小面板的无功功率。当槽A的宽度a大于障壁高度的0.8倍时，难于维持面板的障壁24的硬度，使得障壁倒塌。
当槽A的深度c小于障壁24高度的0.5倍时，不可能充分地减小下基板20的寻址电极之间的无功电流。
在根据本发明的等离子体显示设备中，非显示区中的障壁可以包括第一子障壁24a和第二子障壁24b，使得槽可以形成在第一与第二子障壁24a与24b之间。为了将障壁分成两个子障壁，槽的深度优选地等于障壁的高度。
这里，槽的宽度不小于从第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的另一端的宽度d的0.1倍并且不大于d的0.8倍，优选地不小于d的0.3倍并且不大于d的0.6倍。其间形成有槽A的第一和第二子障壁24a和24b的宽度b1和b2优选地彼此相等。
槽的宽度a优选地不小于从第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的一端的宽度D的0.1倍并且不大于D的0.45倍，并且槽A的深度优选地等于障壁的高度。
此时，当槽的宽度小于从第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的一端的宽度D的0.1倍时，不可能充分减小无功功率。当槽的宽度大于从第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的一端的宽度D的0.8倍时，难于维持面板的第一和第二子障壁24a和24b的硬度。
当槽A的深度c小于第一和第二子障壁的高度的0.5倍时，不可能充分地减小形成在下面板20上的寻址电极之间的电容。
由于槽A形成，所以当省去待施加到下面板20的荧光体层25时有可能获得高的清洁效果。
因此，根据具有上面结构的等离子体显示设备，具有预定宽度的槽A形成在面板的下面板20上的障壁24上，以减小由于下面板20上的寻址电极22之间的电容Cp值以及在寻址电极22之间流动的无功电流而导致的形成在面板上的无功功率。
具体地，如图8中所示，槽可以形成于障壁上的均匀部分中。即，当槽形成在水平障壁上时，槽可以仅形成在定位于一个放电单元与相邻于该放电单元的一放电单元之间的边界上的障壁上。此时，槽不形成在水平障壁与竖直障壁彼此相交的点上，使得有可能保证整个障壁的硬度。
由此描述了本发明，明显其可以以很多方式变化。这样的变化不应看作脱离本发明的精神和范围，并且所有这些将对本领域技术人员是明显的变化将旨在包括在后面的权利要求的范围内。
在具有上面结构的本发明的等离子体显示设备中，由于槽形成在面板的下基板上的障壁上或子障壁之间以减小下基板上的寻址电极之间的电容值，并从而减小形成在电极之间的无功功率，所以有可能提高面板的放电效率。
权利要求
1.一种等离子体显示设备，包括上基板；下基板，面对所述上基板；以及障壁，形成在所述下基板上以隔开放电单元，其中至少一个宽度不小于障壁宽度的0.1倍并且不大于障壁宽度的0.8倍的槽形成在所述障壁上。
2.如权利要求1的等离子体显示设备，其中所述障壁宽度是障壁的顶的宽度。
3.如权利要求1的等离子体显示设备，其中所述槽的宽度不小于障壁宽度的0.3倍并且不大于障壁宽度的0.6倍。
4.如权利要求1的等离子体显示设备，其中所述槽的宽度是50μm到150μm。
5.如权利要求1的等离子体显示设备，其中所述槽的左侧上的障壁的顶和所述槽的右侧上的障壁的顶彼此相等。
6.如权利要求1的等离子体显示设备，其中所述障壁的左顶和右顶之一是30μm到60μm。
7.如权利要求1的等离子体显示设备，其中所述槽的宽度大于所述障壁的左顶和右顶之一。
8.如权利要求1的等离子体显示设备，其中所述槽的深度不小于所述障壁高度的0.5倍。
9.如权利要求8的等离子体显示设备，其中所述槽的深度不小于所述障壁高度的0.7倍。
10.如权利要求1的等离子体显示设备，其中所述障壁包括水平障壁和竖直障壁，以及其中所述槽形成在所述水平障壁上。
11.如权利要求1的等离子体显示设备，其中荧光体形成在所述槽上。
12.一种等离子体显示设备，包括上基板；下基板，面对所述上基板；以及障壁，形成在所述下基板上以隔开放电单元，其中至少一个宽度不小于障壁高度的0.5倍的槽形成在所述障壁上。
13.如权利要求12的等离子体显示设备，其中所述槽的深度不小于所述障壁高度的0.7倍。
14.如权利要求12的等离子体显示设备，其中所述槽的深度等于所述障壁高度。
15.如权利要求12的等离子体显示设备，其中所述障壁包括水平障壁和竖直障壁，以及其中所述槽形成在所述水平障壁上。
16.如权利要求12的等离子体显示设备，其中荧光体形成在所述槽上。
17.一种等离子体显示设备，包括上基板；下基板，面对所述上基板；以及主障壁，形成在所述下基板上以隔开放电单元，其中所述主障壁包括以预定距离彼此分开的第一子障壁和第二子障壁，以及其中所述预定距离不小于从所述第一子障壁的一端到所述第二子障壁的另一端的宽度的0.1倍，并且不大于所述宽度的0.8倍。
18.如权利要求17的等离子体显示设备，其中所述第一子障壁的顶的宽度与所述第二子障壁的顶的宽度彼此相等。
19.如权利要求17的等离子体显示设备，其中所述预定距离大于所述子障壁的顶的宽度。
20.如权利要求17的等离子体显示设备，其中所述预定距离不小于从所述第一子障壁的一端到所述第二子障壁的另一端的宽度的0.3倍并且不大于所述宽度的0.6倍。
全文摘要
提供了一种等离子体显示设备。该等离子体显示设备包括上基板；下基板，其面对上基板；以及障壁，其形成在所述下基板上以隔开放电单元。至少一个具有宽度不小于障壁宽度的0.1倍并且不大于障壁宽度的0.8倍的槽形成在所述障壁上。因此，有可能减小寻址电极之间的电容值并且减小形成在所述电极之间的无功功率，使得有可能提高面板的放电效率。
文档编号H01J11/12GK1983499SQ200610086909
公开日2007年6月20日 申请日期2006年6月14日 优先权日2005年12月16日
发明者金允基 申请人:Lg电子株式会社