一种用于磁控溅射机台的新型rf屏蔽罩的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种用于磁控溅射机台的新型RF屏蔽罩，所述的RF屏蔽罩安装在RF腔体内，包括安装在腔体盖子下方的顶部离子密封屏蔽罩和上阳极屏蔽罩，顶部离子密封屏蔽罩下方对应设有底部离子密封屏蔽罩，底部离子密封屏蔽罩上还设有陶瓷放置环和陶瓷环及陶瓷压环，顶部离子密封屏蔽罩的罩顶及上阳极屏蔽罩均为圆形，材质为钼金属，内表面均设有正方形突起。本实用新型能够增强RF屏蔽罩吸附有机物的能力，防止因最外层的有机物剥落而掉落在wafer表面，造成产品的不良。
【专利说明】一种用于磁控溅射机台的新型RF屏蔽罩
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体WLP先进封装技术，尤其涉及半导体WLP先进封装技术中磁控溅射机台的RF屏蔽罩。
【背景技术】
[0002]半导体WLP先进封装技术中需要使用磁控派射机台进行wafer (8inch的单晶娃制作的晶圆)表面Ti和Cu的真空镀膜，在真空镀膜前进行RF干法刻蚀去除wafer AL Pad (即单晶硅制作的晶圆上每个芯片由铝制成的导电引线上用于连接导电引线的金属铝电极)上的氧化物质。在RF干法刻蚀中，除了 AL2O3氧化物质被去除外还有wafer (8inch晶圆)表面覆盖的ploymer (聚烯乙胺)有机物质被反溅出来，被RF腔体内安装的屏蔽罩吸附，随着使用时间的增加，SUS屏蔽罩(即不锈钢屏蔽罩)吸附有机物的能力逐步降低，在最外层的有机物容易剥落而掉落在wafer (8inch晶圆)表面,造成产品的不良。
【发明内容】
[0003]本实用新型通过对RF腔体的研究发现:Ar气体起辉过程中，Ar离子对Wafer轰击，反溅射出来的有机物质主要吸附在wafer上方的屏蔽罩，将wafer上方的屏蔽罩表面设计成凹凸状，材质更改为钥金属，在起辉中屏蔽罩温度上升到187摄氏度左右，由于钥的膨胀系数较小，附着的有机物不会因为Shield(不锈钢屏蔽罩)的变形而剥落。利用上述原理，本实用新型涉及的用于磁控溅射机台的新型RF屏蔽罩具体结构如下:
[0004]一种用于磁控溅射机台的新型RF屏蔽罩，所述的RF屏蔽罩安装在RF腔体内，包括安装在腔体盖子下方的顶部离子密封屏蔽罩和上阳极屏蔽罩，顶部离子密封屏蔽罩和上阳极屏蔽罩通过螺丝固定在一起，顶部离子密封屏蔽罩下方对应设有底部离子密封屏蔽罩，底部离子密封屏蔽罩上还设有陶瓷放置环和陶瓷环及陶瓷压环，陶瓷压环通过螺丝和弹簧片固定在陶瓷环上，陶瓷环固定在陶瓷放置环上，陶瓷放置环和陶瓷环及陶瓷压环组装成一个整体与底部离子密封屏蔽罩固定在一起，通过连接汽缸的螺栓固定在载片台上，所述的腔体盖子上方设有磁铁。
[0005]所述的顶部离子密封屏蔽罩的罩顶及上阳极屏蔽罩均为圆形，材质为钥金属，内表面均设有正方形突起。
[0006]作为优选方案，所述的顶部离子密封屏蔽罩的圆形罩顶直径为352cm，厚度为3cm,其内表面的正方形突起边长为2.54cm，厚度为0.8cm，正方形突起之间的间距为2.54cm,其罩壁高度为77cm，厚度为2cm，材质为SUS (不锈钢)。
[0007]作为优选方案，所述的上阳极屏蔽罩直径为290cm，厚度为2.5cm，其内表面正方形突起的边长为2.54cm,正方形突起之间的间距为2.54cm。
[0008]作为优选方案,所述的磁控溅射机台的型号为MB2-830。
[0009]本实用新型能够增强RF屏蔽罩吸附有机物的能力，防止因最外层的有机物剥落而掉落在waf er表面,造成产品的不良。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为RF腔体的组装图；
[0011]其中:1一磁铁；2—腔体盖子；3—RF腔体；4一载片台；5—陶瓷放置环；6—陶瓷环；7—wafer (8inch单晶娃圆片);8—陶瓷压环；
[0012]9一顶部离子密封屏蔽罩；10—底部离子密封屏蔽罩；11 一导电片；13—螺栓；14 一上阳极屏蔽罩。
[0013]图2(a)为顶部离子密封屏蔽罩示意图，图2(b)是图2(a)的A-A剖视图；其中:15—罩顶；16—罩壁。
[0014]图3 (a)为上阳极屏蔽罩示意图，图3(b)为图3(a)的B-B剖视图。
【具体实施方式】
[0015]下面，结合附图，以MB2-830磁控溅射机台为例对本实用新型做进一步说明:
[0016]一种用于磁控溅射机台的新型RF屏蔽罩，所述的RF屏蔽罩安装在RF腔体3内，包括安装在腔体盖子2下方的顶部离子密封屏蔽罩9和上阳极屏蔽罩14，顶部离子密封屏蔽罩9和上阳极屏蔽罩14通过螺丝固定在一起，顶部离子密封屏蔽罩9下方对应设有底部离子密封屏蔽罩10，底部离子密封屏蔽罩10上还设有陶瓷放置环5和陶瓷环6及陶瓷压环8，陶瓷压环8通过螺丝和弹簧片固定在陶瓷环6上，陶瓷环6固定在陶瓷放置环5上，陶瓷放置环5和陶瓷环6及陶瓷压环8组装成一个整体与底部离子密封屏蔽罩10固定在一起，通过连接汽缸的螺栓13固定在载片台4上，所述的腔体盖子2上方设有磁铁I。
[0017]所述的顶部离子密封屏蔽罩9的罩顶15及上阳极屏蔽罩14均为圆形，材质为钥金属，内表面均设有正方形突起。
[0018]作为优选方案，所述的顶部离子密封屏蔽罩9的罩顶15直径为352cm，厚度为3cm,其内表面的正方形突起边长为2.54cm，厚度为0.8cm，正方形突起之间的间距为
2.54cm,其罩壁16高度为77cm，厚度为2cm，材质为SUS (不锈钢)。
[0019]作为优选方案，所述的上阳极屏蔽罩14直径为290cm，厚度为2.5cm,其内表面正方形突起的边长2.54cm,正方形突起之间的间距为2.54cm。
[0020]本装置安装在RF腔体3内。wafer (8inch单晶娃圆片)7通过Robot (传送手臂)送入RF腔体3放在载片台4上，陶瓷放置环5，陶瓷环6，陶瓷压环8，底部离子密封屏蔽罩10组成一个整体通过连接汽缸的螺栓13下降，其中陶瓷压环8固定在载片台4上。Ar进入RF腔体3，射频电通过导电片11到达底部离子密封屏蔽罩10，进而放电将Ar气电离成Ar+离子，由于上方有磁铁I形成磁场，Ar+均匀地分布并束缚在底部离子密封屏蔽罩10和上阳极屏蔽罩9以内，载片台4通有负电场,离子在电场作用下向下高速运动轰击wafer (8inch单晶硅圆片)7，将芯片引线开口内AL Pad(金属铝电极)上的氧化铝去除干净，同时将wafer7上开口外的PI层(polymer (聚烯乙胺)有机物)反派射到上阳极屏蔽罩(9)和顶部离子密封屏蔽罩(14)上并被吸附，因上阳极屏蔽罩(9)和顶部离子密封屏蔽罩(14)表面面积增加，材质为钥金属，使得有机物能更多的吸附在表面，也不会因为温度的上升容易剥落下来。
【权利要求】
1.一种用于磁控溅射机台的新型RF屏蔽罩，其特征在于:所述的RF屏蔽罩安装在RF腔体(3)内，包括安装在腔体盖子(2)下方的顶部离子密封屏蔽罩(9)和上阳极屏蔽罩(14)，顶部离子密封屏蔽罩(9)和上阳极屏蔽罩(14)通过螺丝固定在一起，顶部离子密封屏蔽罩(9)下方对应设有底部离子密封屏蔽罩(10)，底部离子密封屏蔽罩(10)上还设有陶瓷放置环(5)和陶瓷环(6)及陶瓷压环(8)，陶瓷压环(8)通过螺丝和弹簧片固定在陶瓷环(6)上，陶瓷环(6)固定在陶瓷放置环(5)上，陶瓷放置环(5)和陶瓷环(6)及陶瓷压环(8)组装成一个整体与底部离子密封屏蔽罩(10)固定在一起，通过连接汽缸的螺栓(13)固定在载片台(4)上，所述的腔体盖子(2)上方设有磁铁(I)。
2.根据权利要求1所述的一种用于磁控溅射机台的新型RF屏蔽罩，其特征在于:所述的顶部离子密封屏蔽罩(9)的罩顶(15)及上阳极屏蔽罩(14)均为圆形，材质为钥金属，内表面均设有正方形突起。
3.根据权利要求2所述的一种用于磁控溅射机台的新型RF屏蔽罩，其特征在于:所述的顶部离子密封屏蔽罩(9)的罩顶(15)直径为352cm，厚度为3cm，其内表面的正方形突起边长为2.54cm,厚度为0.8cm,其罩壁(16)高度为77cm，厚度为2cm，正方形突起之间的间距为2.54cm,材质为不锈钢。
4.根据权利要求2所述的一种用于磁控溅射机台的新型RF屏蔽罩，其特征在于:所述的上阳极屏蔽罩(14)直径为290cm，厚度为2.5cm,其内表面正方形突起的边长为2.54cm,正方形突起之间的间距为2.54cm。
5.根据权利要求1-4之一所述的一种用于磁控溅射机台的新型RF屏蔽罩，其特征在于:所述的磁控溅射机台的型号为MB2-830。
【文档编号】H01J37/32GK204011359SQ201420455184
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月12日 优先权日:2014年8月12日
【发明者】陈国华 申请人:南通富士通微电子股份有限公司