膏状热固化性树脂组合物、半导体部件、半导体安装品、半导体部件的制造方法、半导体安装品的制造方法与流程

本发明涉及含有焊料粉的膏状热固化性树脂组合物、半导体部件、半导体安装品、半导体部件的制造方法和半导体安装品的制造方法。

背景技术：

以往，作为电子部件的安装方法，使用了通过将带凸点的电子部件与基板进行焊料接合来进行安装的方法。仅仅将电子部件的凸点与基板的电极进行焊料接合时，接合性降低，因而利用树脂加强材料将电子部件部分粘合于基板来进行加强(例如，参见专利文献1)。

已知使用含有焊料粒子的热固化性树脂组合物将半导体部件与电路基板接合的方法(例如，参见专利文献2)。该方法中，树脂固化部被覆由焊料粒子熔融一体化而成的焊料部的周围，因而半导体部件的安装结构的耐落下冲击性提高。

还已知下述方法：按照包围将封装件部件与安装基板接合的焊料球的周围的方式使热固化性树脂组合物固化，由此提高封装件部件与安装基板的接合强度(例如，参见专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/042809号

专利文献2：日本特开2011-176050号公报

专利文献3：日本特开2012-84845号公报

技术实现要素：

本发明的膏状热固化性树脂组合物含有焊料粉、热固化性树脂粘合剂、活化剂和触变性赋予剂。焊料粉的熔点为100℃以上且240℃以下，热固化性树脂粘合剂包含主剂和固化剂，主剂包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物。或者，固化剂包含具有2个以上苯并噁嗪环的苯并噁嗪化合物。

根据本发明，无论焊料粉的熔点高低，均能够在软钎焊时不抑制焊料粉熔融而凝聚。

本发明的半导体部件具备：半导体封装件；第1基板，其在第1面形成有第1焊盘；第1焊料接合部，其将半导体封装件和第1焊盘电连接；和第1树脂加强部，其与第1焊料接合部接触地形成，对第1焊料接合部进行加强。第1树脂加强部由第1热固化性树脂粘合剂的固化物形成，该第1热固化性树脂粘合剂包含至少二官能以上的氧杂环丁烷化合物和具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物中的一种。

本发明的半导体安装品具备：半导体封装件；第1基板，其在第1面形成有第1焊盘，在第1面的相反侧的第2面形成有连接盘；第1焊料接合部，其将半导体封装件和第1焊盘电连接；和第1树脂加强部，其与第1焊料接合部接触地形成，对第1焊料接合部进行加强。另外具备：第2基板，其在一面形成有第2焊盘；第2焊料接合部，其将连接盘和第2焊盘电连接；和第2树脂加强部，其与第2焊料接合部接触地形成，对第2焊料接合部进行加强。第1树脂加强部由第1热固化性树脂粘合剂的固化物形成，该第1热固化性树脂粘合剂包含至少二官能以上的氧杂环丁烷化合物和具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物中的一种。第2树脂加强部由第2热固化性树脂粘合剂的固化物形成，该第2热固化性树脂粘合剂包含至少二官能以上的氧杂环丁烷化合物和具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物中的一种。

本发明的半导体部件的制造方法包括以下的工序a1～d1。工序a1：准备在第2面形成有第1焊料凸点的半导体封装件、和在第2面的相反侧的第1面形成有第1焊盘的第1基板的工序；工序b1：将第1膏状热固化性树脂组合物印刷至第1焊盘的工序，该第1膏状热固化性树脂组合物含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、至少二官能以上的氧杂环丁烷化合物和具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物中的一种、活化剂和触变性赋予剂；工序c1：将第1焊料凸点配置于第1焊盘的工序；工序d1：按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件和第1基板加热4分钟以上进行回流软钎焊的工序。

本发明的半导体安装品的制造方法包括以下的工序a2～h2。工序a2：准备在一面形成有第1焊料凸点的半导体封装件、在第1面形成有第1焊盘并在第1面的相反侧的第2面形成有连接盘的第1基板、和在一面形成有第2焊盘的第2基板的工序；工序b2：将第1膏状热固化性树脂组合物印刷至第1焊盘的工序，该第1膏状热固化性树脂组合物含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、至少二官能以上的氧杂环丁烷化合物和具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物中的一种、活化剂和触变性赋予剂；工序c2：将第1焊料凸点配置于第1焊盘的工序；工序d2：按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件和第1基板加热4分钟以上进行回流软钎焊的工序；工序e2：在连接盘形成第2焊料凸点的工序；工序f2：将第2膏状热固化性树脂组合物印刷至第2焊盘的工序，该第2膏状热固化性树脂组合物含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、至少二官能以上的氧杂环丁烷化合物和具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物中的一种、活化剂和触变性赋予剂；工序g2：将第2焊料凸点配置于第2焊盘的工序；工序h2：按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件、第1基板和第2基板加热4分钟以上进行回流软钎焊的工序。

根据本发明，焊料粉的凝聚状态良好。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式2的半导体部件、并示出本发明的实施方式2的半导体安装品的制造方法中的工序e2的示意性截面图。

图2a是示出图1所示的半导体部件的一部分的示意性截面图。

图2b是示出图1所示的半导体部件的另一部分的示意性截面图。

图3是示出图1所示的半导体部件的制造方法中的工序a1、和半导体安装品的制造方法中的工序a2的示意性截面图。

图4是示出图1所示的半导体部件的制造方法中的工序b1、和半导体安装品的制造方法中的工序b2的示意性截面图。

图5是示出图1所示的半导体部件的制造方法中的工序c1和工序d1、以及半导体安装品的制造方法中的工序c2和d2的示意性截面图。

图6a是将图5的一部分放大的示意性截面图。

图6b是示出图1所示的半导体部件的一部分的示意性截面图。

图6c是示出图1所示的半导体部件的另一部分的示意性截面图。

图7是示出本发明的实施方式2的半导体安装品的示意性截面图。

图8是示出图7所示的半导体安装品的制造方法中的工序f2的示意性截面图。

图9是示出图7所示的半导体安装品的制造方法中的工序g2和工序h2的示意性截面图。

图10是示出本发明的实施方式3的半导体部件、并示出本发明的实施方式3的半导体安装品的制造方法中的工序e2的示意性截面图。

图11a是示出图10所示的半导体部件的一部分的示意性截面图。

图11b是示出图10所示的半导体部件的另一部分的示意性截面图。

图12是示出图10所示的半导体部件的制造方法中的工序a3、和半导体安装品的制造方法中的工序a4的示意性截面图。

图13是示出图10所示的半导体部件的制造方法中的工序b3、和半导体安装品的制造方法中的工序b4的示意性截面图。

图14是示出图10所示的半导体部件的制造方法中的工序c3和工序d3、以及半导体安装品的制造方法中的工序c4和d4的示意性截面图。

图15a是将图14的一部分放大的示意性截面图。

图15b是示出图10所示的半导体部件的一部分的示意性截面图。

图15c是示出图10所示的半导体部件的另一部分的示意性截面图。

图16是示出本发明的实施方式3的半导体安装品的示意性截面图。

图17是示出图16所示的半导体安装品的制造方法中的工序f4的示意性截面图。

图18是示出图16所示的半导体安装品的制造方法中的工序g4和工序h4的示意性截面图。

具体实施方式

在本发明的实施方式的说明之前，对现有装置中的问题进行简单说明。

关于如专利文献2那样含有焊料粉的膏状热固化性树脂组合物，存在下述问题。在软钎焊时，焊料粉熔融，焊料彼此凝聚而一体化(金属化)。在使用sn-ag-cu系这样的熔点比较高的焊料粉时，若将一般的环氧树脂用作热固化性树脂粘合剂，则该热固化性树脂粘合剂会抑制上述焊料彼此的凝聚。这样，若焊料粉的自我凝聚受到抑制，则会发生电导通不良。

作为上述的原因之一，可以举出：与熔融的焊料彼此凝聚的速度相比，热固化性树脂粘合剂的固化速度过快。该情况下，与焊料粉熔融而自我凝聚相比，热固化性树脂粘合剂的固化反应可较快地结束，因此认为热固化性树脂粘合剂的固化物作为绝缘物形成于焊料粉彼此之间。

作为焊料粉的自我凝聚受到抑制的其它原因，可以举出：与焊料粉的熔点相比，热固化性树脂粘合剂的固化起始温度过低。该情况下，可发生下述现象：由于软钎焊时的加热，先达到热固化性树脂粘合剂的固化起始温度，之后达到焊料粉的熔点。因此认为，在焊料粉熔融前，热固化性树脂粘合剂先开始固化，在焊料粉彼此之间形成电绝缘物。

迄今为止的技术难以减慢热固化性树脂粘合剂的固化速度、或提高热固化性树脂粘合剂的固化起始温度。

本发明是鉴于上述方面而进行的，其目的在于提供一种膏状热固化性树脂组合物，该膏状热固化性树脂组合物无论焊料粉的熔点高低，均能够在软钎焊时不抑制焊料粉熔融而凝聚。

下面，对本发明的实施方式进行说明。

(实施方式1)

[膏状热固化性树脂组合物]

本实施方式的膏状热固化性树脂组合物含有焊料粉、热固化性树脂粘合剂、活化剂和触变性赋予剂。下面，对构成膏状热固化性树脂组合物的这些成分进行说明。

(焊料粉)

作为焊料粉的具体例，可以举出sn-ag-cu系(sac系)、sn-bi系、sn-pb系、pb-sn-sb系、sn-sb系、sn-pb-bi系、sn-cu系、sn-pb-cu系、sn-in系、sn-ag系、sn-pb-ag系和pb-ag系的焊料粉。铅对人体和环境有害，因而优选无铅焊料。作为无铅焊料的具体例，可以举出sn-ag-cu系、sn-bi系、sn-zn-bi系、sn-sb系、sn-cu系、sn-in系、sn-ag-in-bi系、sn-ag系、sn-zn-al系的焊料粉。构成焊料粉的各金属的含有率没有特别限定。

焊料粉的熔点优选为100℃以上且240℃以下、更优选为130℃以上且240℃以下。焊料粉的熔点小于100℃的情况下，焊料自身变弱，即使进行熔融一体化也可能无法得到充分的强度。焊料粉的熔点超过240℃的情况下，目前尚未发现在超过240℃的温度开始固化反应的热固化性树脂粘合剂，因此若使用目前的热固化性树脂粘合剂，则软钎焊时焊料粉的自我凝聚受到抑制的可能性高。

如上所述，焊料粉可以为sn-ag-cu系焊料的粉末。sn-ag-cu系焊料的熔点为218～219℃。这样，sn-ag-cu系焊料具有熔点高、润湿性不太好的缺点，但具有可靠性高的优点。即使是具有上述缺点的sn-ag-cu系焊料的粉末，若在本实施方式的膏状热固化性树脂组合物中作为焊料粉使用，也能克服上述缺点，并直接获得可靠性高的优点。

如上所述，焊料粉可以为sn-bi系焊料的粉末。sn-bi系焊料的熔点为138～139℃。这样，sn-bi系焊料具有熔点低、润湿性良好的优点，若在本实施方式的膏状热固化性树脂组合物中作为焊料粉使用，则能够直接获得上述优点。

焊料粉的平均粒径优选为3μm以上且30μm以下、更优选为10μm以上且25μm以下。此处，平均粒径是指利用激光衍射/散射法求出的粒度分布中的累计值50％下的粒径。通过使焊料粉的平均粒径为3μm以上，能够抑制膏状热固化性树脂组合物的粘度和触变性变得过高。通过使焊料粉的平均粒径为30μm以下，能够容易地进行细间距的印刷。焊料粉的粒度分布根据膏状热固化性树脂组合物的用途适当确定。例如，在印刷用途中，重视印刷性，优选使用粒度分布比较宽的焊料粉，在滴涂用途中，优选使用与喷嘴直径对应的粒度分布比较窄的焊料粉。

相对于膏状热固化性树脂组合物的总质量，焊料粉的含量优选为20质量％以上且90质量％以下、更优选为40质量％以上且85质量％以下。通过使焊料粉的含量为20质量％以上，难以抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，或者能够抑制凝固后的导电性的降低。通过使焊料粉的含量为90质量％以下，能够使热固化性树脂组合物为膏状。

(热固化性树脂粘合剂)

热固化性树脂粘合剂是为了使焊料粉为具有粘性的膏体而混入时成为焊料粉间的连接的物质。这样的热固化性树脂粘合剂包含主剂和固化剂。以下，对主剂和固化剂进行说明。

＜主剂＞

主剂包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物。二官能以上的氧杂环丁烷化合物是具有2个以上氧杂环丁烷环的化合物。氧杂环丁烷环为包含1个氧的饱和4元环。以下，只要没有特别声明，若仅称为氧杂环丁烷化合物，则是指二官能以上的氧杂环丁烷化合物。氧杂环丁烷化合物的4元环开环并交联，由此固化反应进行。4元环与3元环相比开环的速度慢，因此与具有3元环的主剂相比，具有4元环的主剂能够减慢固化反应的速度。具体而言，作为具有3元环的化合物的代表例，可以举出环氧化合物。与使用该环氧化合物作为主剂的情况相比，使用氧杂环丁烷化合物作为主剂时能够减慢热固化性树脂粘合剂的固化速度。若固化速度这样减慢，则能够使热固化性树脂粘合剂不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。另外，为固态的焊料粉在膏状热固化性树脂组合物的总质量中所占的比例有时变得比较多。因此，从保持膏状的形态的观点来看，氧杂环丁烷化合物优选在常温(例如20℃以上且40℃以下)下为液状。需要说明的是，主剂中也可以包含仅具有1个氧杂环丁烷环的一官能的氧杂环丁烷化合物。

氧杂环丁烷化合物优选为选自由下述式(o1)～(o3)组成的组中的1种以上的化合物。

(式(o1)和(o3)中的n均为1～3的整数)

式(o1)的氧杂环丁烷化合物为4,4’-双[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基)甲氧基甲基]联苯。式(o1)的氧杂环丁烷化合物具有2个苯以单键连接而成的结构(联苯骨架)，该联苯骨架与双酚的基本骨架类似。因此，式(o1)的氧杂环丁烷化合物与双酚f型等环氧化合物的相容性良好。

式(o2)的氧杂环丁烷化合物为双[(3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲基]苯-1,3-二羧酸酯。

式(o3)的氧杂环丁烷化合物为苯二亚甲基双氧杂环丁烷。

相对于主剂的总质量，氧杂环丁烷化合物优选为50质量％以上、也可以为100质量％。若氧杂环丁烷化合物占50质量％以上，即使主剂中包含氧杂环丁烷化合物以外的成分，也难以受到氧杂环丁烷化合物以外的成分的影响，能够减慢热固化性树脂粘合剂的固化速度。

主剂优选进一步包含二官能以上的环氧化合物。二官能以上的环氧化合物是具有2个以上环氧基的化合物。环氧基是作为3元环的醚的氧杂环丙烷(环氧乙烷)。以下，只要没有特别声明，若仅称为环氧化合物，则是指二官能以上的环氧化合物。如上所述，在固化反应的过程中，氧杂环丁烷化合物的4元环的开环速度慢，环氧化合物的3元环的开环速度快。因此，若调整氧杂环丁烷化合物和环氧化合物的量来对两者进行合用，则能够加快或减慢热固化性树脂粘合剂的固化速度而进行调整。若进一步包含环氧化合物，最终可抑制热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，还能够提高固化物的强度。在合用氧杂环丁烷化合物和环氧化合物的情况下，可提高相容性，因此优选两者的结构类似。例如，如上所述具有联苯骨架的氧杂环丁烷化合物与双酚f型等环氧化合物的相容性良好。

＜固化剂＞

固化剂包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。如下述式(b0)的箭头的左侧所示，噁嗪环是包含1个氧原子和1个氮原子的6元环的杂环。以下，只要没有特别声明，若仅称为苯并噁嗪化合物，则是指具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。如下述式(b0)所示，苯并噁嗪化合物在加热达到200℃左右时，噁嗪环的-o-ch2-间的键被切断而开环，生成酚羟基和叔胺。如此生成的叔胺作为固化促进剂发挥作用，因此不需要添加其它固化促进剂。酚羟基与主剂反应而使固化反应进行，能够提高固化物的交联密度。这样在固化剂包含苯并噁嗪化合物的情况下，达到200℃左右时噁嗪环不发生开环，因此能够提高固化反应的起始温度。以往，与焊料粉的熔点相比，热固化性树脂粘合剂的固化起始温度显著较低，因此首先是热固化性树脂粘合剂开始固化反应，抑制了焊料粉的熔融时的自我凝聚。但是，若固化起始温度为200℃左右，即便焊料粉的熔点为240℃，也能够使热固化性树脂粘合剂不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。即，在到达焊料粉的熔点的时刻，热固化性树脂粘合剂的固化反应也未进行至抑制焊料的自我凝聚的程度。而且，在固化剂包含苯并噁嗪化合物的情况下，仅仅通过在常温下将主剂和固化剂混合，固化反应难以进行，因此能够延长适用期。需要说明的是，作为一般的固化剂，已知双氰胺，但在双氰胺单独的情况下固化反应不进行，因此需要添加固化促进剂。但是，若在双氰胺中添加固化促进剂，则固化反应快速地进行，因此难以得到与苯并噁嗪化合物同样的效果。

(式(b0)中的r为任意的取代基，n为任意的整数。)

苯并噁嗪化合物优选为选自由下述式(b1)～(b3)组成的组中的1种以上的化合物。

式(b1)的苯并噁嗪化合物为p-d型的苯并噁嗪化合物。式(b1)的苯并噁嗪化合物即便噁嗪环开环也不产生苯胺，因此能够抑制固化物的耐湿性的降低。

式(b2)的苯并噁嗪化合物为双酚f型的苯并噁嗪化合物。式(b3)的苯并噁嗪化合物为双酚s型的苯并噁嗪化合物。式(b2)和式(b3)的苯并噁嗪化合物在化学结构上与式(o1)的氧杂环丁烷化合物和双酚f型等环氧化合物类似，因此与这些化合物的相容性良好。

相对于主剂100质量份，苯并噁嗪化合物优选为10质量份以上且40质量份以下。通过使苯并噁嗪化合物为10质量份以上，最终可抑制热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，能够提高热固化性树脂粘合剂的固化物的强度。通过使苯并噁嗪化合物为40质量份以下，能够抑制热固化性树脂粘合剂快速地固化，能够不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚。

(活化剂)

活化剂也被称为助焊剂。活化剂特别是用于在焊料粉的熔融时将覆盖焊料粉的各个粒子的表面的氧化膜除去、抑制氧化、并且降低表面张力、促进润湿性的溶剂。只要具有这样的作用，则对活化剂没有特别限定。活化剂优选包含选自由戊二酸和三乙醇胺组成的组中的1种以上的化合物。从协同作用的观点来看，活化剂更优选包含戊二酸和三乙醇胺两者。即便焊料粉的熔点为240℃，这些活化剂也不分解而是稳定的，在这种高温下也能够维持上述作用。而且，这些活化剂在软钎焊后难以作为改性物(助焊剂残渣)残存，对于降低膏状热固化性树脂组合物的粘度也有效。

(触变性赋予剂)

触变性赋予剂是对膏状热固化性树脂组合物赋予触变性的添加剂。触变性是在膏状热固化性树脂组合物的印刷时重要的性质之一。若对膏状热固化性树脂组合物赋予触变性，例如，在利用丝网印刷进行印刷后将丝网印刷版从印刷面分离时，能够抑制拉丝产生。对触变性赋予剂没有特别限定。优选触变性赋予剂包含酰胺系蜡。作为酰胺系蜡的具体例，可以举出n-羟乙基-12-羟基硬脂酰胺。

[膏状热固化性树脂组合物的制造方法]

本实施方式的膏状热固化性树脂组合物可以如下制造。

首先，对触变性赋予剂、作为主剂的氧杂环丁烷化合物、和根据需要的其它主剂(例如环氧化合物)进行混配，加热使触变性赋予剂溶解，由此得到第1混合物。

接着，在第1混合物中混配活化剂和固化剂(例如苯并噁嗪化合物)，利用行星式搅拌机等混炼机对其进行混炼，由此得到第2混合物。需要说明的是，关于活化剂和固化剂，在固态的情况下，从使其均匀分散的观点来看，例如优选使用通过了标准号jisz8801、孔径125μm、线径90μm、平纹的筛的物质。

最后，在第2混合物中混配焊料粉，接着继续利用上述混炼机对其进行混炼，由此可以得到膏状热固化性树脂组合物。

如上所述，本实施方式的膏状热固化性树脂组合物含有焊料粉、热固化性树脂粘合剂、活化剂和触变性赋予剂。焊料粉的熔点为100℃以上且240℃以下。热固化性树脂粘合剂包含主剂和固化剂。主剂包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物。

由此，无论焊料粉的熔点高低，均能够在软钎焊时不抑制焊料粉熔融并凝聚。

另外，氧杂环丁烷化合物也可以为选自由下述式(o1)～(o3)组成的组中的1种以上的化合物。

(式(o1)和(o3)中的n均为1～3的整数。)

另外，相对于主剂的总质量，氧杂环丁烷化合物可以为50质量％以上。

另外，固化剂可以包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。

另外，焊料粉可以为sn-ag-cu系焊料的粉末。

另外，焊料粉可以为sn-bi系焊料的粉末。

另外，焊料粉的平均粒径可以为3μm以上且30μm以下。

另外，主剂可以包含二官能以上的环氧化合物。

另外，活化剂可以包含选自由戊二酸和三乙醇胺组成的组中的1种以上的化合物。

另外，触变性赋予剂可以包含酰胺系蜡。

另外，本实施方式的膏状热固化性树脂组合物含有焊料粉、热固化性树脂粘合剂、活化剂和触变性赋予剂。焊料粉的熔点为100℃以上且240℃以下。热固化性树脂粘合剂包含主剂和固化剂。固化剂包含具有2个以上苯并噁嗪环的苯并噁嗪化合物。

由此，无论焊料粉的熔点高低，均能够在软钎焊时不抑制焊料粉熔融并凝聚。

另外，苯并噁嗪化合物可以为选自由下述式(b1)～(b3)组成的组中的1种以上的化合物。

另外，相对于主剂100质量份，苯并噁嗪化合物可以为10质量份以上且40质量份以下。

另外，主剂可以包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物。

(实施方式2)

[半导体部件]

图1是示出本发明的实施方式2的半导体部件2的示意性截面图。半导体部件2具备半导体封装件5、第1基板31、第1焊料接合部41和第1树脂加强部51。以下，对构成半导体部件2的这些要素进行说明。需要说明的是，在半导体部件2中使半导体封装件5为上、使第1基板31为下来规定上下方向，这只不过是为了便于说明而进行的规定。此外，“第1”等序数词是为了避免构成要素的混淆而添加的，在数字方面没有限定。

(半导体封装件)

半导体封装件5没有特别限定。作为半导体封装件5的具体例，可以举出bga(ballgridarray，球栅阵列)、csp(chipsizepackage，芯片尺寸封装件)。

(第1基板)

第1基板31为印刷电路板，没有特别限定。在第1基板31的上表面形成有第1焊盘21。第1焊盘21至少形成有1个以上。对后述的第2基板32安装半导体部件2的情况下，第1基板31可以为内插器。该情况下，优选在第1基板31的下表面形成有连接盘61，在连接盘61形成有第2焊料凸点8。通过这样的作为内插器的第1基板31，能够将半导体部件2中的半导体封装件5的布线间距变换为第2基板32的布线间距。

(第1焊料接合部)

第1焊料接合部41将半导体封装件5和第1基板31的上表面的第1焊盘21电接合。

第1焊料接合部41的熔点优选为100℃以上且240℃以下、更优选为130℃以上且240℃以下。第1焊料接合部41的熔点小于100℃的情况下，焊料自身变弱，有可能无法得到充分的强度。第1焊料接合部41的熔点超过240℃的情况下，形成第1树脂加强部51的后述第1热固化性树脂粘合剂在软钎焊时抑制焊料粉的自我凝聚的可能性升高。

第1焊料接合部41优选由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。若为这样的焊料，则能够提高第1焊料接合部41的接合强度，抑制裂纹等缺陷的产生。

(第1树脂加强部)

第1树脂加强部51与第1焊料接合部41接触地形成，对第1焊料接合部41进行加强。第1树脂加强部51与半导体封装件5的下表面和第1基板31的上表面中的至少任一者接触。

第1树脂加强部51由第1热固化性树脂粘合剂的固化物形成。第1热固化性树脂粘合剂与实施方式1的膏状热固化性树脂组合物中的热固化性树脂粘合剂同样。即，第1热固化性树脂粘合剂包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物。因此，在用于软钎焊的加热时，与焊料粉熔融而一体化的速度相比，第1热固化性树脂粘合剂的固化速度变慢。这样，第1热固化性树脂粘合剂能够不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚。熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。这样，形成第1焊料接合部41。所形成的第1焊料接合部41中的焊料粉的凝聚状态良好。

第1热固化性树脂粘合剂优选进一步包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。由此，在用于软钎焊的加热时，第1热固化性树脂粘合剂的固化起始温度升高。这未必意味着第1热固化性树脂粘合剂的固化起始温度比焊料粉的熔点高，而意味着与焊料粉的熔点相比第1热固化性树脂粘合剂的固化起始温度不会过低。虽然还取决于第1热固化性树脂粘合剂的固化反应的进行情况，但作为大致的目标，在焊料粉的熔点高、第1热固化性树脂粘合剂的固化起始温度低的情况下，优选两者之差为40℃以内。这样，能够使第1热固化性树脂粘合剂不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。第1焊料接合部41中的焊料粉的凝聚状态变得更加良好。

第1热固化性树脂粘合剂优选进一步包含二官能以上的环氧化合物。由此，最终可抑制第1热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，能够提高作为第1热固化性树脂粘合剂的固化物的第1树脂加强部51的强度。

图2a是示出图1所示的半导体部件2的一部分的示意性截面图。如图2a所示，为了使第1焊料接合部41不露出到外部，第1焊料接合部41的侧面整体可以被第1树脂加强部51被覆。该情况下，第1树脂加强部51与半导体封装件5的下表面和第1基板31的上表面均接触，因此利用第1树脂加强部51加强第1焊料接合部41的效果提高。

图2b是示出图1所示的半导体部件2的另一部分的示意性截面图。如图2b所示，为了使第1焊料接合部41的一部分露出到外部，可以在第1树脂加强部51设有间隙9。第1焊料接合部41若加热至熔点以上则再次熔融并膨胀，因此，第1焊料接合部41的侧面整体被第1树脂加强部51所被覆，则熔融的焊料没有去处，第1树脂加强部51有可能破裂而产生焊料隆起或焊桥。如图2b所示，若第1树脂加强部51设有间隙9，则即便第1焊料接合部41熔融，体积增加的量的焊料也会通过间隙9而暂时出去到外部。之后，若冷却到小于熔点的温度，则出去到外部的焊料会通过间隙9而回到原本的部位，再次形成第1焊料接合部41，因此可抑制焊料隆起和焊桥的产生。图2b中，按照第1树脂加强部51不与半导体封装件5的下表面接触的方式设有间隙9，但对间隙9的形成部位没有特别限定。需要说明的是，若暂时形成的第1焊料接合部41不会再次被加热至熔点以上，则也可以不在第1树脂加强部51设有间隙9。例如，在1次安装后进行2次安装的情况下，由于1次安装的部位在2次安装时可能被再次加热，因此，在1次安装中优选采用图2b所示的形态。

[半导体部件的制造方法]

本实施方式的半导体部件2的制造方法包括工序a1～工序d1。下面，对各工序依次进行说明。

(工序a1)

图3是示出图1所示的半导体部件2的制造方法中的工序a1的示意性截面图。工序a1中，如图3所示，准备半导体封装件5和第1基板31。

如上所述，半导体封装件5具体为芯片尺寸封装件(chipsizepackage(csp))等。在半导体封装件5的下表面形成有第1焊料凸点6。第1焊料凸点6至少形成有1个以上。第1焊料凸点6优选由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。若为这样的焊料，则能够提高第1焊料接合部41的接合强度，能够抑制裂纹等缺陷的产生。

如上所述，第1基板31具体为印刷电路板。在第1基板31的上表面形成有第1焊盘21。第1焊盘21与第1焊料凸点6形成有相同数量。第1焊料凸点6和第1焊盘21按照使半导体封装件5的下表面与第1基板31的上表面相向时一对一地对应的方式形成。在第1基板31的下表面可以形成有连接盘61。连接盘61能够用于2次安装。

(工序b1)

图4是示出图1所示的半导体部件2的制造方法中的工序b1的示意性截面图。工序b1中，如图4所示，将第1膏状热固化性树脂组合物11涂布至第1基板31的第1焊盘21。在第1基板31形成有多个第1焊盘21的情况下，优选对各个第1焊盘21分别涂布第1膏状热固化性树脂组合物11。

此处，第1膏状热固化性树脂组合物11与实施方式1的膏状热固化性树脂同样。即，第1膏状热固化性树脂组合物11含有焊料粉、第1热固化性树脂粘合剂、活化剂和触变性赋予剂。第1热固化性树脂粘合剂包含主剂和固化剂。主剂包含氧杂环丁烷化合物。

这样，第1膏状热固化性树脂组合物11含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、二官能以上的氧杂环丁烷化合物、活化剂和触变性赋予剂。通过含有氧杂环丁烷化合物，能够减慢第1热固化性树脂粘合剂的固化速度。因此，能够使第1热固化性树脂粘合剂不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。

焊料粉可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料的粉末形成。

第1膏状热固化性树脂组合物11优选进一步含有具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。由此，能够进一步促进熔融的焊料的自我凝聚所引起的一体化。

第1膏状热固化性树脂组合物11优选进一步含有二官能以上的环氧化合物。这样，若进一步含有环氧化合物，最终可抑制第1热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，能够提高固化物的强度。

第1膏状热固化性树脂组合物11在第1基板31的第1焊盘21上的涂布方法没有特别限定。作为涂布方法的具体例，可以举出丝网印刷和滴涂法。

(工序c1)

图5是示出图1所示的半导体部件2的制造方法中的工序c1和工序d1的示意性截面图。工序c1中，如图5所示，将半导体封装件5的第1焊料凸点6配置于第1基板31的第1焊盘21。此时，在第1焊料凸点6与第1焊盘21之间夹杂有第1膏状热固化性树脂组合物11。

(工序d1)

工序d1中，在图5所示的状态下，按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件5和第1基板31加热4分钟以上进行回流软钎焊。加热时间的上限没有特别限定，例如为10分钟，特别是峰值温度下的加热时间的上限例如为1分钟。图6a是将图5的一部分放大的示意性截面图。含有焊料粉4和第1热固化性树脂粘合剂7的第1膏状热固化性树脂组合物11被涂布到第1焊盘21，与第1焊料凸点6接触。活化剂和触变性赋予剂省略图示。峰值温度基本上设定为比第1膏状热固化性树脂组合物11中含有的焊料粉4的熔点高20～30℃的温度。

此处，根据第1焊料凸点6和焊料粉4的材质，假定了：(1)第1焊料凸点6的熔点与焊料粉4的熔点相同的情况；(2)第1焊料凸点6的熔点低、焊料粉4的熔点高的情况；(3)第1焊料凸点6的熔点高、焊料粉4的熔点低的情况；这三种情况。

图6b是示出图1所示的半导体部件2的一部分的示意性截面图。在(1)和(2)的情况下，若将峰值温度设定为比焊料粉4的熔点高20～30℃的温度，则第1焊料凸点6也能够熔融。因此，由图6a所示的状态，如图6b所示，第1焊料凸点6和焊料粉4两者熔融而浑然成为一体，形成牢固的第1焊料接合部41。而且，由于第1膏状热固化性树脂组合物11中含有氧杂环丁烷化合物，因此能够不抑制第1焊料凸点6和焊料粉4的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。

图6c是示出图1所示的半导体部件2的另一部分的示意性截面图。在(3)的情况下，即便将峰值温度设定为比焊料粉4的熔点高20～30℃的温度，第1焊料凸点6有时也不熔融。作为该情况的一例，可以举出第1焊料凸点6由sn-ag-cu系焊料(熔点218～219℃)形成、焊料粉4为sn-bi系焊料(熔点138～139℃)的粉末的情况。该情况下，即便将峰值温度设定为160℃，第1焊料凸点6也不熔融。因此，由图6a所示的状态，如图6c所示，仅焊料粉4熔融而形成具有中间变细的部分的第1焊料接合部41。在该中间变细的部分，存在第1焊料凸点6与焊料粉4熔融后一体化的焊料的界面。与图6b所示的第1焊料接合部41相比，图6c所示的第1焊料接合部41由于具有中间变细的部分，因此在强度方面变弱。但是，由于利用第1树脂加强部51进行了加强，因此综合来看可靠性没有特别的问题。优选的是，在(3)的情况下，将峰值温度设定为比第1焊料凸点6的熔点高20～30℃的温度。这样的话，第1焊料凸点6和焊料粉4两者熔融，因此能够形成图6b所示的牢固的第1焊料接合部41。例如，在第1焊料凸点6由sn-ag-cu系焊料(熔点218～219℃)形成、焊料粉4为sn-bi系焊料(熔点138～139℃)的粉末的情况下，将峰值温度设定为240℃即可。需要说明的是，由于第1膏状热固化性树脂组合物11中含有氧杂环丁烷化合物，因此若峰值温度为焊料粉4的熔点以上，则能够不抑制焊料粉4的熔融时的自我凝聚。由此，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。优选的是，如上所述将峰值温度设定为比第1焊料凸点6的熔点高20～30℃的温度。这样的话，第1焊料凸点6和焊料粉4两者熔融，能够不抑制它们熔融时的自我凝聚。由此，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化，能够形成不存在中间变细的部分的牢固的第1焊料接合部41。

至峰值温度为止的升温速度优选为1℃/秒以上且4℃/秒以下。通过使升温速度为1℃/秒以上，在到达焊料粉4的熔点前，能够抑制第1热固化性树脂粘合剂7的固化反应进行、粘度上升。由此，能够进一步促进由熔融的焊料的自我凝聚所引起的一体化。通过使升温速度为4℃/秒以下，能够充分确保利用活化剂的还原作用将焊料粉4的氧化膜除去的时间。由此，能够进一步促进焊料的润湿性。加热起始温度通常为常温，没有特别限定。

若回流软钎焊结束，则可以得到图1所示的半导体部件2。在半导体部件2的第1基板31的下表面的连接盘61形成有第2焊料凸点8，但在不进行2次安装的情况下不需要连接盘61和第2焊料凸点8。优选在第1树脂加强部51不残存活化剂和触变性赋予剂。但是，只要不损害可靠性，也可以残存微量的活化剂和触变性赋予剂。因此，不需要通过清洗将它们除去。

如上所述，本实施方式中，第1膏状热固化性树脂组合物11含有氧杂环丁烷化合物，因而无论焊料粉4的熔点高低，均能够在软钎焊时不抑制焊料粉4熔融并凝聚

[半导体安装品]

图7是示出本发明的实施方式2的半导体安装品3的示意性截面图。半导体安装品3具备半导体封装件5、第1基板31、第1焊料接合部41、第1树脂加强部51、第2基板32、第2焊料接合部42和第2树脂加强部52。对构成半导体安装品3的这些要素进行说明。需要说明的是，在半导体安装品3中使半导体封装件5为上、使第2基板32为下来规定上下方向，这只不过是为了便于说明而进行的规定。此外，“第1”等序数词是为了避免构成要素的混淆而添加的，在数字方面没有限定。

(半导体封装件)

对半导体封装件5没有特别限定。作为半导体封装件5的具体例，可以举出bga、csp。

(第1基板和第2基板)

第1基板31和第2基板32为印刷电路板，没有特别限定。在第1基板31的上表面形成有第1焊盘21。第1焊盘21至少形成有1个以上。在第1基板31的下表面形成有连接盘61。连接盘61至少形成有1个以上。第1基板31作为内插器发挥功能，因而能够将半导体封装件5的布线间距变换为第2基板32的布线间距。在第2基板32的上表面形成有第2焊盘22。第2焊盘22与第1基板31的连接盘61形成有相同数量。第2基板32能够成为母板或主板。

(第1焊料接合部和第2焊料接合部)

第1焊料接合部41将半导体封装件5和第1基板31的上表面的第1焊盘21电接合。

第2焊料接合部42将第1基板31的下表面的连接盘61和第2基板32的上表面的第2焊盘22电接合。

第1焊料接合部41和第2焊料接合部42的熔点优选为100℃以上且240℃以下、更优选为130℃以上且240℃以下。第1焊料接合部41和第2焊料接合部42的熔点小于100℃的情况下，焊料自身变弱，有可能无法得到充分的强度。第1焊料接合部41和第2焊料接合部42的熔点超过240℃的情况下，形成第1树脂加强部51的后述第1热固化性树脂粘合剂和形成第2树脂加强部52的后述第2热固化性树脂粘合剂在软钎焊时抑制焊料粉的自我凝聚的可能性升高。

第1焊料接合部41和第2焊料接合部42优选由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。若为这样的焊料，则能够提高第1焊料接合部41和第2焊料接合部42的接合强度，抑制裂纹等缺陷的产生。

(第1树脂加强部和第2树脂加强部)

第1树脂加强部51与第1焊料接合部41接触地形成，对第1焊料接合部41进行加强。第1树脂加强部51与半导体封装件5的下表面和第1基板31的上表面中的至少任一者接触。

第2树脂加强部52与第2焊料接合部42接触地形成，对第2焊料接合部42进行加强。第2树脂加强部52与第1基板31的下表面和第2基板32的上表面中的至少任一者接触。

第1树脂加强部51由第1热固化性树脂粘合剂的固化物形成。第2树脂加强部52由第2热固化性树脂粘合剂的固化物形成。第1热固化性树脂粘合剂和第2热固化性树脂粘合剂与上述的膏状热固化性树脂组合物中的热固化性树脂粘合剂同样。即，第1热固化性树脂粘合剂和第2热固化性树脂粘合剂包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物。因此，在用于软钎焊的加热时，与焊料粉熔融而一体化的速度相比，第1热固化性树脂粘合剂和第2热固化性树脂粘合剂的固化速度变慢。这样，第1热固化性树脂粘合剂和第2热固化性树脂粘合剂能够不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚。熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。第1焊料接合部41和第2焊料接合部42中的焊料粉的凝聚状态良好。需要说明的是，第1热固化性树脂粘合剂和第2热固化性树脂粘合剂的构成成分的具体种类和含量可以相同，也可以不同。

第1热固化性树脂粘合剂和第2热固化性树脂粘合剂中的一者或两者优选进一步包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。由此，在用于软钎焊的加热时，第1热固化性树脂粘合剂和第2热固化性树脂粘合剂中的一者或两者的固化起始温度升高。这未必意味着，例如在第1热固化性树脂粘合剂包含苯并噁嗪化合物的情况下，第1热固化性树脂粘合剂的固化起始温度比焊料粉的熔点高，而意味着与焊料粉的熔点相比第1热固化性树脂粘合剂7的固化起始温度不会过低。虽然还取决于第1热固化性树脂粘合剂的固化反应的进行情况，但作为大致的目标，在焊料粉的熔点高、第1热固化性树脂粘合剂的固化起始温度低的情况下，优选两者之差为40℃以内。在第2热固化性树脂粘合剂包含苯并噁嗪化合物的情况下也同样。这样，能够进一步提高抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚的效果，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。第1焊料接合部41和第2焊料接合部42中的焊料粉的凝聚状态变得更加良好。

第1热固化性树脂粘合剂和第2热固化性树脂粘合剂中的一者或两者优选进一步包含二官能以上的环氧化合物。在第1热固化性树脂粘合剂包含环氧化合物的情况下，最终可抑制第1热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，能够提高作为第1热固化性树脂粘合剂的固化物的第1树脂加强部51的强度。同样，在第2热固化性树脂粘合剂包含环氧化合物的情况下，最终可抑制第2热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，能够提高作为第2热固化性树脂粘合剂的固化物的第2树脂加强部52的强度。

与图2a同样，为了使第1焊料接合部41不露出到外部，第1焊料接合部41的侧面整体可以被第1树脂加强部51被覆。该情况下，第1树脂加强部51与半导体封装件5的下表面和第1基板31的上表面均接触，因此利用第1树脂加强部51加强第1焊料接合部41的效果提高。第2树脂加强部52也与第1树脂加强部51同样。

与图2b同样，为了使第1焊料接合部41的一部分露出到外部，可以在第1树脂加强部51设有间隙9。第1焊料接合部41熔融、体积增加的情况下，增加的量的焊料会通过间隙9而暂时出去到外部，之后在小于第1焊料接合部41的熔点的温度下再次通过间隙9而回到原本的部位，因此可抑制焊料隆起和焊桥的产生。第2树脂加强部52也与第1树脂加强部51同样。需要说明的是，若第2焊料接合部42不会再次被加热至熔点以上，则第2焊料接合部42优选采用图2a所示的形态而不是图2b所示的形态。

[半导体安装品的制造方法]

本实施方式的半导体安装品3的制造方法包括工序a2～工序h2。下面，对各工序依次进行说明。

(工序a2)

图3是示出图1所示的半导体安装品3的制造方法中的工序a2的示意性截面图。如图3所示，工序a2与上述半导体部件2的制造方法中的工序a1几乎相同，但由于进行2次安装，因此在第1基板31的下表面形成有连接盘61。连接盘61至少形成有1个以上。

(工序b2)

图4是示出图1所示的半导体安装品3的制造方法中的工序b2的示意性截面图。如图4所示，工序b2与上述半导体部件2的制造方法中的工序b1相同。

(工序c2和工序d2)

图5是示出图1所示的半导体安装品3的制造方法中的工序c2和d2的示意性截面图。如图5所示，工序c2和工序d2与上述半导体部件2的制造方法中的工序c1和工序d1相同。工序a2～工序d2为1次安装的工序，通过工序d2的结束，1次安装结束。在1次安装后得到上述的半导体部件2。

(工序e2)

工序e2中，如图1所示，在第1基板31的下表面的连接盘61形成第2焊料凸点8。在第1基板31形成有多个连接盘61的情况下，在每个连接盘61形成第2焊料凸点8。第2焊料凸点8优选由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。若为这样的焊料，则能够提高第2焊料接合部42的接合强度，抑制裂纹等缺陷的产生。

(工序f2)

图8是示出图7所示的半导体安装品3的制造方法中的工序f2的示意性截面图。工序f2中，如图8所示，准备第2基板32。如上所述，第2基板32具体为印刷电路板。在第2基板32的上表面形成有第2焊盘22。第2焊盘22与第2焊料凸点8形成有相同数量。第2焊料凸点8和第2焊盘22按照使第1基板31的下表面与第2基板32的上表面相向时一对一地对应的方式形成。

进而，工序f2中，将第2膏状热固化性树脂组合物12涂布至第2基板32的第2焊盘22。在第2基板32形成有多个第2焊盘22的情况下，优选对各个第2焊盘22涂布第2膏状热固化性树脂组合物12。

此处，第2膏状热固化性树脂组合物12与上述的膏状热固化性树脂同样。即，第2膏状热固化性树脂组合物12含有焊料粉、第2热固化性树脂粘合剂、活化剂和触变性赋予剂。第2热固化性树脂粘合剂包含主剂和固化剂。主剂包含氧杂环丁烷化合物。

这样，第2膏状热固化性树脂组合物12含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、二官能以上的氧杂环丁烷化合物、活化剂和触变性赋予剂。通过含有氧杂环丁烷化合物，能够减慢第2热固化性树脂粘合剂的固化速度。因此，能够使第2热固化性树脂粘合剂不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。需要说明的是，第1膏状热固化性树脂组合物11和第2膏状热固化性树脂组合物12的构成成分的具体种类和含量可以相同，也可以不同。

焊料粉可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料的粉末形成。

第2膏状热固化性树脂组合物12优选进一步含有具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。由此，能够进一步促进由熔融的焊料的自我凝聚所引起的一体化。

第2膏状热固化性树脂组合物11优选进一步含有二官能以上的环氧化合物。这样，若进一步含有环氧化合物，最终可抑制第2热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，能够提高固化物的强度。

第2膏状热固化性树脂组合物12在第2基板32的第2焊盘22上的涂布方法没有特别限定。作为涂布方法的具体例，可以举出丝网印刷和滴涂法。

(工序g2)

图9是示出图7所示的半导体安装品3的制造方法中的工序g2和工序h2的示意性截面图。工序g2中，如图9所示，将第1基板31的第2焊料凸点8配置于第2基板32的第2焊盘22。此时，在第2焊料凸点8与第2焊盘22之间夹杂有第2膏状热固化性树脂组合物12。

(工序h2)

工序h2中，在图9所示的状态下，按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件5、第1基板31和第2基板32加热4分钟以上进行回流软钎焊。加热时间的上限没有特别限定，例如为10分钟，特别是峰值温度下的加热时间的上限例如为1分钟。峰值温度基本上设定为比第2膏状热固化性树脂组合物12中含有的焊料粉的熔点高20～30℃的温度。

此处，根据第2焊料凸点8和焊料粉的材质，假定了：(1)第2焊料凸点8的熔点与焊料粉的熔点相同的情况；(2)第2焊料凸点8的熔点低、焊料粉的熔点高的情况；(3)第2焊料凸点8的熔点高、焊料粉的熔点低的情况；这三种情况。

在(1)和(2)的情况下，若将峰值温度设定为比焊料粉的熔点高20～30℃的温度，则第2焊料凸点8也能够熔融。因此，第2焊料凸点8和焊料粉两者熔融而浑然成为一体，形成牢固的第2焊料接合部42。而且，由于第2膏状热固化性树脂组合物12中含有氧杂环丁烷化合物，因此能够不抑制第2焊料凸点8和焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。

在(1)和(2)的情况下，与第2膏状树脂组合物12中的焊料粉的熔点相比，通过1次安装形成的第1焊料接合部41的熔点高时，可以将焊料粉的熔点以上且小于第1焊料接合部41的熔点的温度作为峰值温度。若为这样的峰值温度，在2次安装时第1焊料接合部41不再次熔融，因而能够进一步抑制焊料隆起和焊桥的产生。

在(3)的情况下，即便将峰值温度设定为比焊料粉的熔点高20～30℃的温度，第2焊料凸点8有时也不熔融。作为该情况的一例，可以举出第2焊料凸点8由sn-ag-cu系焊料(熔点218～219℃)形成、焊料粉为sn-bi系焊料(熔点138～139℃)的粉末的情况。该情况下，即便将峰值温度设定为160℃，第2焊料凸点8也不熔融。因此，仅焊料粉熔融而形成具有中间变细的部分的第2焊料接合部42。在该中间变细的部分，存在第2焊料凸点8与焊料粉熔融后一体化的焊料的界面。若第2焊料接合部42具有中间变细的部分，则在强度方面变弱。但是，由于利用第2树脂加强部52进行了加强，因此综合来看可靠性没有特别的问题。优选的是，在(3)的情况下，将峰值温度设定为比第2焊料凸点8的熔点高20～30℃的温度。这样的话，第2焊料凸点8和焊料粉两者熔融，因此能够形成不具有中间变细的部分的牢固的第2焊料接合部42。例如，如上所述在第2焊料凸点8由sn-ag-cu系焊料(熔点218～219℃)形成、焊料粉为sn-bi系焊料(熔点138～139℃)的粉末的情况下，将峰值温度设定为240℃即可。需要说明的是，由于第2膏状热固化性树脂组合物12中含有氧杂环丁烷化合物，因此若峰值温度为焊料粉的熔点以上，则能够不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚。由此，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。优选的是，如上所述将峰值温度设定为比第2焊料凸点8的熔点高20～30℃的温度。这样的话，第2焊料凸点8和焊料粉两者熔融，能够不抑制它们熔融时的自我凝聚。由此，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化，能够形成不存在中间变细的部分的牢固的第2焊料接合部42。

在(3)的情况下，与第2焊料凸点8的熔点相比，通过1次安装形成的第1焊料接合部41的熔点高时，可以将焊料粉的熔点以上(优选第2焊料凸点8的熔点以上)且小于第1焊料接合部41的熔点的温度作为峰值温度。若为这样的峰值温度，在2次安装时第1焊料接合部41不再次熔融，因而能够进一步抑制焊料隆起和焊桥的产生。

至峰值温度为止的升温速度优选为1℃/秒以上且4℃/秒以下。通过使升温速度为1℃/秒以上，在到达焊料粉的熔点前，能够抑制第2热固化性树脂粘合剂的固化反应进行、粘度上升。由此，能够进一步促进由熔融的焊料的自我凝聚所引起的一体化。通过使升温速度为4℃/秒以下，能够充分确保利用活化剂的还原作用将焊料粉的氧化膜除去的时间。由此，能够进一步促进焊料的润湿性。加热起始温度通常为常温，没有特别限定。

若回流软钎焊结束，则可以得到图7所示的半导体安装品3。即，工序e2～工序h2为2次安装的工序，通过工序h2的结束，2次安装结束。在2次安装后得到上述的半导体安装品3。优选在第2树脂加强部52不残存活化剂和触变性赋予剂。但是，只要不损害可靠性，也可以残存微量的活化剂和触变性赋予剂。因此，不需要通过清洗将它们除去。

如上所述，本实施方式中，第2膏状热固化性树脂组合物12含有氧杂环丁烷化合物，因而无论焊料粉的熔点高低，均能够在软钎焊时不抑制焊料粉熔融并凝聚。

如上所述，本实施方式的半导体部件2具备半导体封装件5、在相当于上表面的第1面形成有第1焊盘21的第1基板31、将半导体封装件5和第1焊盘21电连接的第1焊料接合部41、与第1焊料接合部41接触地形成并对第1焊料接合部41进行加强的第1树脂加强部51。第1树脂51由包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物的第1热固化性树脂粘合剂的固化物形成。

由此，焊料粉的凝聚状态良好。

另外，第1热固化性树脂粘合剂可以包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。

另外，第1焊料接合部41的熔点可以为100℃以上且240℃以下。

另外，第1焊料接合部41可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。

另外，第1热固化性树脂粘合剂可以包含二官能以上的环氧化合物。

另外，本实施方式的半导体安装品3具备半导体封装件5、在与上表面相当的第1面形成有第1焊盘21并在第1面的相反侧的与下表面相当的第2面形成有连接盘61的第1基板31、将半导体封装件5和第1焊盘21电连接的第1焊料接合部41。另外，具备与第1焊料接合部41接触地形成并对第1焊料接合部41进行加强的第1树脂加强部51、和在与上表面相当的一个面形成有第2焊盘22的第2基板32。另外，具备将连接盘61和第2焊盘22电连接的第2焊料接合部42、和与第2焊料接合部42接触地形成并对第2焊料接合部42进行加强的第2树脂加强部52。由此，焊料粉的凝聚状态良好。

另外，第1热固化性树脂粘合剂和第2热固化性树脂粘合剂中的一者或两者可以包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。

另外，第1焊料接合部41和第2焊料接合部42的熔点可以为100℃以上且240℃以下。

另外，第1焊料接合部41和第2焊料接合部42可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。

另外，第1热固化性树脂粘合剂和第2热固化性树脂粘合剂中的一者或两者可以包含二官能以上的环氧化合物。

另外，本实施方式的半导体部件2的制造方法包括以下的工序a1～d1。工序a1：准备在与下表面相当的第2面形成有第1焊料凸点6的半导体封装件5、和在第2面的相反侧的与上表面相当的第1面形成有第1焊盘21的第1基板31的工序；工序b1：将第1膏状热固化性树脂组合物印刷至第1焊盘21的工序，该第1膏状热固化性树脂组合物含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、二官能以上的氧杂环丁烷化合物、活化剂和触变性赋予剂；工序c1：将第1焊料凸点6配置于第1焊盘21的工序；工序d1：按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件5和第1基板31加热4分钟以上进行回流软钎焊的工序。由此，焊料粉的凝聚状态良好。

另外，第1膏状热固化性树脂组合物可以含有具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。

另外，第1焊料凸点6可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。

另外，焊料粉可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料的粉末形成。

另外，第1膏状热固化性树脂组合物可以含有二官能以上的环氧化合物。

另外，至峰值温度为止的升温速度可以为1℃/秒以上且4℃/秒以下。

另外，本实施方式的半导体安装品3的制造方法包括以下的工序a2～h2。工序a2：准备在与下表面相当的一面形成有第1焊料凸点6的半导体封装件5、在与上表面相当的第1面形成有第1焊盘21并在第1面的相反侧的与下表面相当的第2面形成有连接盘61的第1基板31、和在与上表面相当的一面形成有第2焊盘22的第2基板32的工序；工序b2：将第1膏状热固化性树脂组合物印刷至第1焊盘21的工序，该第1膏状热固化性树脂组合物含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、二官能以上的氧杂环丁烷化合物、活化剂和触变性赋予剂；工序c2：将第1焊料凸点6配置于第1焊盘21的工序；工序d2：按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件5和第1基板加热4分钟以上进行回流软钎焊的工序；工序e2：在连接盘61形成第2焊料凸点8的工序；工序f2：将第2膏状热固化性树脂组合物印刷至第2焊盘22的工序，该第2膏状热固化性树脂组合物含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、二官能以上的氧杂环丁烷化合物、活化剂和触变性赋予剂；工序g2：将第2焊料凸点8配置于第2焊盘22的工序；工序h2：按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件5、第1基板31和第2基板32加热4分钟以上进行回流软钎焊的工序。由此，焊料粉的凝聚状态良好。

另外，第1膏状热固化性树脂组合物和第2膏状热固化性树脂组合物中的一者或两者可以含有具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。

另外，第1焊料凸点6和第2焊料凸点8中的一者或两者可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。

另外，焊料粉可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料的粉末形成。

另外，第1膏状热固化性树脂组合物和第2膏状热固化性树脂组合物中的一者或两者可以含有二官能以上的环氧化合物。

另外，至峰值温度为止的升温速度可以为1℃/秒以上且4℃/秒以下。

(实施方式3)

[半导体部件]

图10是示出本发明的实施方式3的半导体部件82的示意性截面图。半导体部件82具备半导体封装件85、第3基板33、第3焊料接合部43和第3树脂加强部53。以下，对构成半导体部件82的这些要素进行说明。需要说明的是，在半导体部件82中使半导体封装件85为上、使第3基板33为下来规定上下方向，这只不过是为了便于说明而进行的规定。此外，“第3”等序数词是为了避免构成要素的混淆而添加的，在数字方面没有限定。

(半导体封装件)

半导体封装件85没有特别限定。作为半导体封装件85的具体例，可以举出bga、csp。

(第3基板)

第3基板33为印刷电路板，没有特别限定。在第3基板33的上表面形成有第3焊盘23。第3焊盘23至少形成有1个以上。对后述的第4基板34安装半导体部件82的情况下，第3基板33可以为内插器。该情况下，优选在第3基板33的下表面形成有连接盘63，在连接盘63形成有第4焊料凸点88。通过这样的作为内插器的第3基板33，能够将半导体部件82中的半导体封装件85的布线间距变换为第4基板34的布线间距。

(第3焊料接合部)

第3焊料接合部43将半导体封装件85和第3基板33的上表面的第3焊盘23电接合。

第3焊料接合部43的熔点优选为100℃以上且240℃以下、更优选为130℃以上且240℃以下。第3焊料接合部43的熔点小于100℃的情况下，焊料自身变弱，有可能无法得到充分的强度。第3焊料接合部43的熔点超过240℃的情况下，形成第3树脂加强部53的后述第3热固化性树脂粘合剂在软钎焊时抑制焊料粉的自我凝聚的可能性升高。

第3焊料接合部43优选由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。若为这样的焊料，则能够提高第3焊料接合部43的接合强度，抑制裂纹等缺陷的产生。

(第3树脂加强部)

第3树脂加强部53与第3焊料接合部43接触地形成，对第3焊料接合部43进行加强。第3树脂加强部53与半导体封装件85的下表面和第3基板33的上表面中的至少任一者接触。

第3树脂加强部53由第3热固化性树脂粘合剂的固化物形成。第3热固化性树脂粘合剂与实施方式1的膏状热固化性树脂组合物中的热固化性树脂粘合剂同样。即，第3热固化性树脂粘合剂进一步包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。由此，在用于软钎焊的加热时，第3热固化性树脂粘合剂的固化起始温度升高。这未必意味着第3热固化性树脂粘合剂的固化起始温度比焊料粉的熔点高，而意味着与焊料粉的熔点相比第3热固化性树脂粘合剂的固化起始温度不会过低。虽然还取决于第3热固化性树脂粘合剂的固化反应的进行情况，但作为大致的目标，在焊料粉的熔点高、第3热固化性树脂粘合剂的固化起始温度低的情况下，优选两者之差为40℃以内。这样，能够使第3热固化性树脂粘合剂不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。第3焊料接合部43中的焊料粉的凝聚状态良好。

第3热固化性树脂粘合剂优选进一步包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物。由此，在用于软钎焊的加热时，与焊料粉熔融而一体化的速度相比，第3热固化性树脂粘合剂的固化速度变慢。这样，第3热固化性树脂粘合剂能够不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。这样，一体化而形成第3焊料接合部43。第3焊料接合部43中的焊料粉的凝聚状态变得更良好。

第3热固化性树脂粘合剂优选进一步包含二官能以上的环氧化合物。由此，最终可抑制第3热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，能够提高作为第3热固化性树脂粘合剂的固化物的第3树脂加强部53的强度。

图11a是示出图10所示的半导体部件82的一部分的示意性截面图。如图11a所示，为了使第3焊料接合部43不露出到外部，第3焊料接合部43的侧面整体可以被第3树脂加强部53被覆。该情况下，第3树脂加强部53与半导体封装件85的下表面和第3基板33的上表面均接触，因此利用第3树脂加强部53加强第3焊料接合部43的效果提高。

图11b是示出图10所示的半导体部件82的另一部分的示意性截面图。如图11b所示，为了使第3焊料接合部43的一部分露出到外部，可以在第3树脂加强部53设有间隙9。第3焊料接合部43若加热至熔点以上则再次熔融并膨胀，因此，第3焊料接合部43的侧面整体被第3树脂加强部53所被覆，则熔融的焊料没有去处，第3树脂加强部53有可能破裂而产生焊料隆起或焊桥。如图11b所示，若第3树脂加强部53设有间隙89，则即便第3焊料接合部43熔融，体积增加的量的焊料也会通过间隙89而暂时出去到外部。之后，若冷却到小于熔点的温度，则出去到外部的焊料会通过间隙89而回到原本的部位，再次形成第3焊料接合部43，因此可抑制焊料隆起和焊桥的产生。图11b中，按照第3树脂加强部53不与半导体封装件85的下表面接触的方式设有间隙89，但对间隙89的形成部位没有特别限定。需要说明的是，若暂时形成的第3焊料接合部43不会再次被加热至熔点以上，则也可以不在第3树脂加强部53设有间隙89。例如，在1次安装后进行2次安装的情况下，由于1次安装的部位在2次安装时能够被再次加热，因此，在1次安装中优选采用图11b所示的形态。

[半导体部件的制造方法]

本实施方式的半导体部件82的制造方法包括工序a3～工序d3。以下，对各工序依次进行说明。

(工序a3)

图12是示出图10所示的半导体部件82的制造方法中的工序a3的示意性截面图。工序a3中，如图12所示，准备半导体封装件85和第3基板33。

如上所述，半导体封装件85具体为芯片尺寸封装件等。在半导体封装件85的下表面形成有第3焊料凸点86。第3焊料凸点86至少形成有1个以上。第3焊料凸点86优选由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。若为这样的焊料，则能够提高第3焊料接合部43的接合强度，抑制裂纹等缺陷的产生。

如上所述，第3基板33具体为印刷电路板。在第3基板33的上表面形成有第3焊盘23。第3焊盘23与第3焊料凸点86形成有相同数量。第3焊料凸点86和第3焊盘23按照使半导体封装件85的下表面与第3基板33的上表面相向时一对一地对应的方式形成。在第3基板33的下表面可以形成有连接盘63。连接盘63能够用于2次安装。

(工序b3)

图13是示出图10所示的半导体部件的制造方法中的工序b3的示意性截面图。工序b3中，如图13所示，将第3膏状热固化性树脂组合物13涂布至第3基板33的第3焊盘23。在第3基板33形成有多个第3焊盘23的情况下，优选对各个第3焊盘23涂布第3膏状热固化性树脂组合物13。

此处，第3膏状热固化性树脂组合物13与实施方式1的膏状热固化性树脂同样。即，第3膏状热固化性树脂组合物13含有焊料粉、第3热固化性树脂粘合剂、活化剂和触变性赋予剂。第3热固化性树脂粘合剂包含主剂和固化剂。固化剂包含苯并噁嗪化合物。

这样，第3膏状热固化性树脂组合物13含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物、活化剂和触变性赋予剂。通过含有苯并噁嗪化合物，能够提高第3热固化性树脂粘合剂的固化反应的起始温度。因此，能够使第3热固化性树脂粘合剂不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。

焊料粉可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料的粉末形成。

第3膏状热固化性树脂组合物13优选进一步含有二官能以上的氧杂环丁烷化合物。由此，能够进一步促进由熔融的焊料的自我凝聚所引起的一体化。

第3膏状热固化性树脂组合物13优选进一步含有二官能以上的环氧化合物。这样，若进一步含有环氧化合物，则最终可抑制第3热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，能够提高固化物的强度。

第3膏状热固化性树脂组合物13在第3基板33的第3焊盘23的涂布方法没有特别限定。作为涂布方法的具体例，可以举出丝网印刷和滴涂法。

(工序c3)

图14是示出图10所示的半导体部件的制造方法中的工序c3和工序d3的示意性截面图。工序c3中，如图14所示，将半导体封装件85的第3焊料凸点86配置于第3基板33的第3焊盘23。此时，在第3焊料凸点86与第3焊盘23之间夹杂有第3膏状热固化性树脂组合物13。

(工序d3)

工序d3中，在图14所示的状态下，按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件85和第3基板33加热4分钟以上进行回流软钎焊。加热时间的上限没有特别限定，例如为10分钟，特别是峰值温度下的加热时间的上限例如为1分钟。图15a是将图14的一部分放大的示意性截面图。含有焊料粉84和第3热固化性树脂粘合剂87的第3膏状热固化性树脂组合物13被涂布至第3焊盘23，与第3焊料凸点86接触。活化剂和触变性赋予剂省去了图示。峰值温度基本上设定为比第3膏状热固化性树脂组合物13中含有的焊料粉84的熔点高20～30℃的温度。

此处，根据第3焊料凸点86和焊料粉84的材质，假定了：(1)第3焊料凸点86的熔点与焊料粉84的熔点相同的情况；(2)第3焊料凸点86的熔点低、焊料粉84的熔点高的情况；(3)第3焊料凸点86的熔点高、焊料粉84的熔点低的情况；这三种情况。

图15b是示出图10所示的半导体部件82的一部分的示意性截面图。在(1)和(2)的情况下，若将峰值温度设定为比焊料粉84的熔点高20～30℃的温度，则第3焊料凸点86也能够熔融。因此，由图15a所示的状态，如图15b所示，第3焊料凸点86和焊料粉84两者熔融而浑然成为一体，形成牢固的第3焊料接合部43。而且，由于第3膏状热固化性树脂组合物13中含有苯并噁嗪化合物，因此能够不抑制第3焊料凸点86和焊料粉84的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。

图15c是示出图10所示的半导体82的另一部分的示意性截面图。在(3)的情况下，即便将峰值温度设定为比焊料粉84的熔点高20～30℃的温度，第3焊料凸点86有时也不熔融。作为该情况的一例，可以举出第3焊料凸点86由sn-ag-cu系焊料(熔点218～219℃)形成、焊料粉84为sn-bi系焊料(熔点138～139℃)的粉末的情况。该情况下，即便将峰值温度设定为160℃，第3焊料凸点86也不熔融。因此，由图15a所示的状态，如图15c所示，仅焊料粉84熔融，形成具有中间变细的部分的第3焊料接合部43。在该中间变细的部分，存在第3焊料凸点86与焊料粉84熔融后一体化的焊料的界面。与图15b所示的第3焊料接合部43相比，图15c所示的第3焊料接合部43由于具有中间变细的部分，因而在强度方面变弱。但是，由于利用第3树脂加强部53进行了加强，因此综合来看可靠性没有特别的问题。优选的是，在(3)的情况下，将峰值温度设定为比第3焊料凸点86的熔点高20～30℃的温度。这样的话，第3焊料凸点86和焊料粉84两者熔融，因此能够形成图15b所示的牢固的第3焊料接合部43。例如，在第3焊料凸点86由sn-ag-cu系焊料(熔点218～219℃)形成、焊料粉84为sn-bi系焊料(熔点138～139℃)的粉末的情况下，将峰值温度设定为240℃即可。需要说明的是，由于第3膏状热固化性树脂组合物13中含有苯并噁嗪化合物，因此若峰值温度为焊料粉84的熔点以上，则能够不抑制焊料粉84的熔融时的自我凝聚。由此，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。优选的是，如上所述将峰值温度设定为比第3焊料凸点86的熔点高20～30℃的温度。这样的话，第3焊料凸点86和焊料粉84两者熔融，能够不抑制它们熔融时的自我凝聚。由此，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化，能够形成不存在中间变细的部分的牢固的第3焊料接合部43。

至峰值温度为止的升温速度优选为1℃/秒以上且4℃/秒以下。通过使升温速度为1℃/秒以上，在到达焊料粉84的熔点前，能够抑制第3热固化性树脂粘合剂87的固化反应进行、粘度上升。由此，能够进一步促进由熔融的焊料的自我凝聚所引起的一体化。通过使升温速度为4℃/秒以下，能够充分确保利用活化剂的还原作用将焊料粉84的氧化膜除去的时间。由此，能够进一步促进焊料的润湿性。加热起始温度通常为常温，没有特别限定。

若回流软钎焊结束，则可以得到图10所示的半导体部件82。在该半导体部件82的第3基板33的下表面的连接盘63形成有第4焊料凸点88，但在不进行2次安装的情况下，不需要连接盘63和第4焊料凸点88。优选在第3树脂加强部53不残存活化剂和触变性赋予剂。但是，只要不损害可靠性，也可以残存微量的活化剂和触变性赋予剂。因此，不需要通过清洗将它们除去。

如上所述，本实施方式中，由于第3膏状热固化性树脂组合物13含有苯并噁嗪化合物，因而无论焊料粉84的熔点高低，均能够在软钎焊时不抑制焊料粉84熔融并凝聚。

[半导体安装品]

图16是示出本发明的实施方式3的半导体安装品83的一例的示意性截面图。半导体安装品83具备半导体封装件85、第3基板33、第3焊料接合部43、第3树脂加强部53、第4基板34、第4焊料接合部44、和第4树脂加强部54。对构成半导体安装品83的这些要素进行说明。需要说明的是，在半导体安装品83中使半导体封装件85为上、使第4基板34为下来规定上下方向，这只不过是为了便于说明而进行的规定。此外，“第3”等序数词是为了避免构成要素的混淆而添加的，在数字方面没有限定。

(半导体封装件)

半导体封装件85没有特别限定。作为半导体封装件85的具体例，可以举出bga、csp。

(第3基板和第4基板)

第3基板33和第4基板34为印刷电路板，没有特别限定。在第3基板33的上表面形成有第3焊盘23。第3焊盘23至少形成有1个以上。在第3基板33的下表面形成有连接盘63。连接盘63至少形成有1个以上。第3基板33作为内插器发挥功能，因而能够将半导体封装件85的布线间距变换为第4基板34的布线间距。在第4基板34的上表面形成有第4焊盘24。第4焊盘24与第3基板33的连接盘63形成有相同数量。第4基板34能够成为母板或主板。

(第3焊料接合部和第4焊料接合部)

第3焊料接合部43将半导体封装件85和第3基板33的上表面的第3焊盘23电接合。

第4焊料接合部44将第3基板33的下表面的连接盘63和第4基板34的上表面的第4焊盘24电接合。

第3焊料接合部43和第4焊料接合部44的熔点优选为100℃以上且240℃以下、更优选为130℃以上且240℃以下。第3焊料接合部43和第4焊料接合部44的熔点小于100℃的情况下，焊料自身变弱，有可能无法得到充分的强度。第3焊料接合部43和第4焊料接合部44的熔点超过240℃的情况下，形成第3树脂加强部53的后述第3热固化性树脂粘合剂和形成第4树脂加强部54的后述第4热固化性树脂粘合剂在软钎焊时抑制焊料粉的自我凝聚的可能性升高。

第3焊料接合部43和第4焊料接合部44优选由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。若为这样的焊料，则能够提高第3焊料接合部43和第4焊料接合部44的接合强度，抑制裂纹等缺陷的产生。

(第3树脂加强部和第4树脂加强部)

第3树脂加强部53与第3焊料接合部43接触地形成，对第3焊料接合部43进行加强。第3树脂加强部53与半导体封装件85的下表面和第3基板33的上表面中的至少任一者接触。

第4树脂加强部54与第4焊料接合部44接触地形成，对第4焊料接合部44进行加强。第4树脂加强部54与第3基板33的下表面和第4基板34的上表面中的至少任一者接触。

第3树脂加强部53由第3热固化性树脂粘合剂的固化物形成。第4树脂加强部54由第4热固化性树脂粘合剂的固化物形成。第3热固化性树脂粘合剂和第4热固化性树脂粘合剂与上述的膏状热固化性树脂组合物中的热固化性树脂粘合剂同样。即，第3热固化性树脂粘合剂和第4热固化性树脂粘合剂进一步包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。由此，在用于软钎焊的加热时，第3热固化性树脂粘合剂和第4热固化性树脂粘合剂中的一者或两者的固化起始温度升高。这未必意味着，例如在第3热固化性树脂粘合剂包含苯并噁嗪化合物的情况下，第3热固化性树脂粘合剂的固化起始温度比焊料粉的熔点高，而意味着与焊料粉的熔点相比第3热固化性树脂粘合剂的固化起始温度不会过低。虽然还取决于第3热固化性树脂粘合剂的固化反应的进行情况，但作为大致的目标，在焊料粉84的熔点高、第3热固化性树脂粘合剂的固化起始温度低的情况下，优选两者之差为40℃以内。在第4热固化性树脂粘合剂包含苯并噁嗪化合物的情况下也同样。这样，能够进一步提高抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚的效果，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。第3焊料接合部43和第4焊料接合部44中的焊料粉的凝聚状态良好。

第3热固化性树脂粘合剂和第4热固化性树脂粘合剂中的一者或两者优选进一步包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物。由此，在用于软钎焊的加热时，与焊料粉熔融而一体化的速度相比，第3热固化性树脂粘合剂和第4热固化性树脂粘合剂的固化速度变慢。这样，第3热固化性树脂粘合剂和第4热固化性树脂粘合剂能够不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。第3焊料接合部43和第4焊料接合部44中的焊料粉的凝聚状态变得更良好。需要说明的是，第3热固化性树脂粘合剂和第4热固化性树脂粘合剂的构成成分的具体种类和含量可以相同，也可以不同。

第3热固化性树脂粘合剂和第4热固化性树脂粘合剂中的一者或两者优选进一步包含二官能以上的环氧化合物。在第3热固化性树脂粘合剂包含环氧化合物的情况下，最终可抑制第3热固化性树脂粘合剂87的未固化部分的产生，能够提高作为第3热固化性树脂粘合剂的固化物的第3树脂加强部53的强度。同样，在第4热固化性树脂粘合剂包含环氧化合物的情况下，最终可抑制第4热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，能够提高作为第4热固化性树脂粘合剂的固化物的第4树脂加强部54的强度。

与图11a同样，为了使第3焊料接合部43不露出到外部，第3焊料接合部43的侧面整体可以被第3树脂加强部53被覆。该情况下，第3树脂加强部53与半导体封装件85的下表面和第3基板33的上表面均接触，因此利用第3树脂加强部53加强第3焊料接合部43的效果提高。第4树脂加强部54也与第3树脂加强部53同样。

与图11b同样，为了使第3焊料接合部43的一部分露出到外部，可以在第3树脂加强部53设有间隙89。第3焊料接合部43熔融、体积增加的情况下，增加的量的焊料会通过间隙89而暂时出去到外部，之后在小于第3焊料接合部43的熔点的温度下再次通过间隙89而回到原本的部位，因此可抑制焊料隆起和焊桥的产生。第4树脂加强部54也与第3树脂加强部53同样。需要说明的是，若第4焊料接合部44不会再次被加热至熔点以上，则第4焊料接合部44优选采用图11a所示的形态而不是图11b所示的形态。

[半导体安装品的制造方法]

本实施方式的半导体安装品83的制造方法包括以下的工序a4～工序h4。以下，对各工序依次进行说明。

(工序a4)

图12是示出图10所示的半导体安装品83的制造方法中的工序a4的示意性截面图。如图12所示，工序a4与上述半导体部件82的制造方法中的工序a3基本上相同，但由于进行2次安装，在第3基板33的下表面形成有连接盘63。连接盘63至少形成有1个以上。

(工序b4)

图13是示出图10所示的半导体安装品83的制造方法中的工序b4的示意性截面图。如图13所示，工序b4与上述半导体部件82的制造方法中的工序b3相同。

(工序c4和工序d4)

图14是示出图10所示的半导体安装品83的制造方法中的工序c4和d4的示意性截面图。如图14所示，工序c4和工序d4与上述半导体部件82的制造方法中的工序c3和工序d3相同。工序a4～工序d4为1次安装的工序，通过工序d4的结束，1次安装结束。在1次安装后得到上述的半导体部件82。

(工序e4)

工序e4中，如图10所示，在第3基板33的下表面的连接盘63形成第4焊料凸点88。在第3基板33形成有多个连接盘63的情况下，在各个连接盘63形成第4焊料凸点88。第4焊料凸点88优选由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。若为这样的焊料，则能够提高第4焊料接合部44的接合强度，抑制裂纹等缺陷的产生。

(工序f4)

图17是示出图16所示的半导体安装品83的制造方法中的工序f4的示意性截面图。工序f4中，如图17所示，准备第4基板34。如上所述，第4基板34具体为印刷电路板。在第4基板34的上表面形成有第4焊盘24。第4焊盘24与第4焊料凸点88形成有相同数量。第4焊料凸点88和第4焊盘24按照使第3基板33的下表面与第4基板34的上表面相向时一对一地对应的方式形成。

进而，在工序f4中，将第4膏状热固化性树脂组合物14涂布至第4基板34的第4焊盘24。在第4基板34形成有多个第4焊盘24的情况下，优选对各个第4焊盘24涂布第4膏状热固化性树脂组合物14。

此处，第4膏状热固化性树脂组合物14与上述的膏状热固化性树脂同样。即，第4膏状热固化性树脂组合物14含有焊料粉、第4热固化性树脂粘合剂、活化剂和触变性赋予剂。第4热固化性树脂粘合剂包含主剂和固化剂。固化剂包含苯并噁嗪化合物。

这样，第4膏状热固化性树脂组合物14含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物、活化剂和触变性赋予剂。通过含有苯并噁嗪化合物，能够提高第4热固化性树脂粘合剂的固化反应的起始温度。因此，能够使第4热固化性树脂粘合剂不抑制焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。需要说明的是，第3膏状热固化性树脂组合物13和第4膏状热固化性树脂组合物14的构成成分的具体种类和含量可以相同，也可以不同。

焊料粉可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料的粉末形成。

第4膏状热固化性树脂组合物14优选进一步含有二官能以上的氧杂环丁烷化合物。由此，能够进一步促进由熔融的焊料的自我凝聚所引起的一体化。

第4膏状热固化性树脂组合物14优选进一步含有二官能以上的环氧化合物。这样，若进一步含有环氧化合物，最终可抑制第4热固化性树脂粘合剂的未固化部分的产生，能够提高固化物的强度。

第4膏状热固化性树脂组合物14在第4基板34的第4焊盘24的涂布方法没有特别限定。作为涂布方法的具体例，可以举出丝网印刷和滴涂法。

(工序g4)

图18是示出图16所示的半导体安装品83的制造方法中的工序g4和工序h4的示意性截面图。工序g4中，如图18所示，将第3基板33的第4焊料凸点88配置于第4基板34的第4焊盘24。此时，在第4焊料凸点88与第4焊盘24之间夹杂有第4膏状热固化性树脂组合物14。

(工序h4)

工序h4中，在图18所示的状态下，按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件85、第3基板33和第4基板34加热4分钟以上进行回流软钎焊。加热时间的上限没有特别限定，例如为10分钟，特别是峰值温度下的加热时间的上限例如为1分钟。峰值温度基本上设定为比第4膏状热固化性树脂组合物14中含有的焊料粉的熔点高20～30℃的温度。

此处，根据第4焊料凸点88和焊料粉的材质，假定了：(1)第4焊料凸点88的熔点与焊料粉的熔点相同的情况；(2)第4焊料凸点88的熔点低、焊料粉的熔点高的情况；(3)第4焊料凸点88的熔点高、焊料粉的熔点低的情况；这三种情况。

在(1)和(2)的情况下，若将峰值温度设定为比焊料粉的熔点高20～30℃的温度，则第4焊料凸点88也能够熔融。因此，第4焊料凸点88和焊料粉两者熔融而浑然成为一体，形成牢固的第4焊料接合部44。而且，由于第4膏状热固化性树脂组合物14中含有苯并噁嗪化合物，因此能够不抑制第4焊料凸点88和焊料粉的熔融时的自我凝聚，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。

在(1)和(2)的情况下，与第2膏状树脂组合物12中的焊料粉的熔点相比，通过1次安装形成的第3焊料接合部43的熔点高时，可以将焊料粉的熔点以上且小于第3焊料接合部43的熔点的温度作为峰值温度。若为这样的峰值温度，在2次安装时第3焊料接合部43不再次熔融，因而能够进一步抑制焊料隆起和焊桥的产生。

(3)的情况下，即便将峰值温度设定为比焊料粉的熔点高20～30℃的温度，第4焊料凸点88有时也不熔融。作为该情况的一例，可以举出第4焊料凸点88由sn-ag-cu系焊料(熔点218～219℃)形成、焊料粉为sn-bi系焊料(熔点138～139℃)的粉末的情况。该情况下，即便将峰值温度设定为160℃，第4焊料凸点88也不熔融。因此，仅焊料粉熔融，形成具有中间变细的部分的第4焊料接合部44。在该中间变细的部分，存在第4焊料凸点88与焊料粉熔融后一体化的焊料的界面。若第4焊料接合部44存在中间变细的部分，则在强度方面变弱。但是，由于利用第4树脂加强部54进行了加强，因此综合来看可靠性没有特别的问题。优选的是，在(3)的情况下，将峰值温度设定为比第4焊料凸点88的熔点高20～30℃的温度。这样的话，第4焊料凸点88和焊料粉两者熔融，因此能够形成不存在中间变细的部分的牢固的第4焊料接合部44。例如，如上所述在第4焊料凸点88由sn-ag-cu系焊料(熔点218～219℃)形成、焊料粉为sn-bi系焊料(熔点138～139℃)的粉末的情况下，将峰值温度设定为240℃即可。需要说明的是，由于第4膏状热固化性树脂组合物14中含有苯并噁嗪化合物，因此若峰值温度为焊料粉的熔点以上，则能够不抑制焊料粉84的熔融时的自我凝聚。由此，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化。优选的是，如上所述将峰值温度设定为比第4焊料凸点88的熔点高20～30℃的温度。这样的话，第4焊料凸点88和焊料粉84两者熔融，能够不抑制它们熔融时的自我凝聚。由此，熔融的焊料容易自我凝聚而一体化，能够形成不存在中间变细的部分的牢固的第4焊料接合部44。

在(3)的情况下，与第4焊料凸点88的熔点相比，通过1次安装形成的第3焊料接合部43的熔点高时，可以将焊料粉的熔点以上(优选第4焊料凸点88的熔点以上)且小于第3焊料接合部43的熔点的温度作为峰值温度。若为这样的峰值温度，在2次安装时第3焊料接合部43不再次熔融，因而能够进一步抑制焊料隆起和焊桥的产生。

至峰值温度为止的升温速度优选为1℃/秒以上且4℃/秒以下。通过使升温速度为1℃/秒以上，在到达焊料粉的熔点前，能够抑制第4热固化性树脂粘合剂的固化反应进行、粘度上升。由此，能够进一步促进由熔融的焊料的自我凝聚所引起的一体化。通过使升温速度为4℃/秒以下，能够充分确保利用活化剂的还原作用将焊料粉的氧化膜除去的时间。由此，能够进一步促进焊料的润湿性。加热起始温度通常为常温，没有特别限定。

若回流软钎焊结束，则可以得到图16所示的半导体安装品83。即，工序e4～工序h4为2次安装的工序，通过工序h4的结束，2次安装结束。在2次安装后得到上述的半导体安装品83。优选第4树脂加强部54不残存活化剂和触变性赋予剂。但是，只要不损害可靠性，也可以残存微量的活化剂和触变性赋予剂。因此，不需要通过清洗将它们除去。

如上所述，本实施方式中，由于第4膏状热固化性树脂组合物14含有苯并噁嗪化合物，因而无论焊料粉的熔点高低，均能够在软钎焊时不抑制焊料粉熔融并凝聚。

如上所述，本实施方式的半导体部件82具备半导体封装件85、在与上表面相当的第1面形成有第3焊盘23的第3基板33、和将半导体封装件85与第3焊盘23电连接的第3焊料接合部43。另外，具备与第3焊料接合部43接触地形成并对第3焊料接合部43进行加强的第3树脂加强部53。另外，第3树脂加强部53由包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物的第3热固化性树脂粘合剂的固化物形成。由此，焊料粉的凝聚状态良好。

另外，第3热固化性树脂粘合剂可以包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物。

另外，第3焊料接合部43的熔点可以为100℃以上且240℃以下。

另外，第3焊料接合部43可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。

另外，第3热固化性树脂粘合剂可以包含二官能以上的环氧化合物。

另外，本实施方式的半导体安装品83具备半导体封装件85、和在与上表面相当的第1面形成有第3焊盘23并在第1面的相反侧的与下表面相当的第2面形成有连接盘63的第3基板33。另外，具备将半导体封装件85与第3焊盘23电连接的第3焊料接合部43、和与第3焊料接合部43接触地形成并对第3焊料接合部43进行加强的第3树脂加强部53。另外，具备在与上表面相当的一面形成有第4焊盘24的第4基板34、将连接盘63与第4焊盘24电连接的第4焊料接合部44、和与第4焊料接合部44接触地形成并对第4焊料接合部44进行加强的第4树脂加强部54。另外，第3树脂加强部53包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物。另外，第3树脂加强部53由第3热固化性树脂粘合剂的固化物形成，第4树脂加强部54由包含具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物的第4热固化性树脂粘合剂的固化物形成。由此，焊料粉的凝聚状态良好。

另外，第3热固化性树脂粘合剂和第4热固化性树脂粘合剂中的一者或两者可以包含二官能以上的氧杂环丁烷化合物。

另外，第3焊料接合部43和第4焊料接合部44的熔点可以为100℃以上且240℃以下。

另外，第3焊料接合部43和第4焊料接合部44可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。

另外，第3热固化性树脂粘合剂和第4热固化性树脂粘合剂中的一者或两者可以包含二官能以上的环氧化合物。

另外，本实施方式的半导体部件82的制造方法包括以下的工序a3～d3。工序a3：准备在与下表面相当的第2面形成有第3焊料凸点85的半导体封装件85、和在第2面的相反侧的与上表面相当的第1面形成有第3焊盘23的第3基板33的工序；工序b3：将第3膏状热固化性树脂组合物印刷至第3焊盘23的工序，该第3膏状热固化性树脂组合物含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物、活化剂和触变性赋予剂；工序c3：将第3焊料凸点86配置于第3焊盘23的工序；工序d3：按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件85和第3基板33加热4分钟以上进行回流软钎焊的工序。由此，焊料粉的凝聚状态良好。

另外，第3膏状热固化性树脂组合物可以含有二官能以上的氧杂环丁烷化合物。

另外，第3焊料凸点86可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。

另外，焊料粉可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料的粉末形成。

另外，第3膏状热固化性树脂组合物可以含有二官能以上的环氧化合物。

另外，至峰值温度为止的升温速度可以为1℃/秒以上且4℃/秒以下。

另外，本实施方式的半导体安装品83的制造方法包括以下的工序a4～h4。工序a4：准备在与下表面相当的一面形成有第3焊料凸点86的半导体封装件85、在与上表面相当的第1面形成有第3焊盘23并在第1面的相反侧的与下表面相当的第2面形成有连接盘63的第3基板33、在与上表面相当的第3面形成有第4焊盘24的第4基板34的工序；工序b4：将第3膏状热固化性树脂组合物印刷至第3焊盘23的工序，第3膏状热固化性树脂组合物含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物、活化剂和触变性赋予剂；工序c4：将第3焊料凸点86配置于第3焊盘23的工序；工序d4：按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件85和第3基板33加热4分钟以上进行回流软钎焊的工序；工序e4：在连接盘63形成第4焊料凸点88的工序；工序f4：将第4膏状热固化性树脂组合物印刷至第4焊盘88的工序，该第4膏状热固化性树脂组合物含有熔点为100℃以上且240℃以下的焊料粉、具有2个以上噁嗪环的苯并噁嗪化合物、活化剂和触变性赋予剂；工序g4：将第4焊料凸点88配置于第4焊盘24的工序；工序h4：按照峰值温度为220℃以上且260℃以下的方式，将半导体封装件85、第3基板33和第4基板34加热4分钟以上进行回流软钎焊的工序。由此，焊料粉的凝聚状态良好。

另外，第3膏状热固化性树脂组合物和第4膏状热固化性树脂组合物中的一者或两者可以含有二官能以上的氧杂环丁烷化合物。

另外，第3焊料凸点86和第4焊料凸点88中的一者或两者可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料形成。

另外，焊料粉可以由选自由sn-ag-cu系焊料和sn-bi系焊料组成的组中的1种以上的焊料的粉末形成。

另外，第3膏状热固化性树脂组合物和第4膏状热固化性树脂组合物中的一者或两者可以含有二官能以上的环氧化合物。

另外，至峰值温度为止的升温速度可以为1℃/秒以上且4℃/秒以下。

实施例

下面，使用实施例对本发明进行具体说明。

[膏状热固化性树脂组合物]

作为膏状热固化性树脂组合物的构成成分，使用下述物质。

(焊料粉)

·sn-ag-cu系焊料的粉末(sac305(sn-3.0ag-0.5cu))

·sn-bi系焊料的粉末(sn-58bi)

(热固化性树脂粘合剂)

＜主剂＞

·式(o1)的氧杂环丁烷化合物(宇部兴产株式会社制造“eternacolloxbp”(简写符号oxbp))

·式(o2)的氧杂环丁烷化合物(宇部兴产株式会社制造“eternacolloxipa”(简写符号oxipa))

·式(o3)的氧杂环丁烷化合物(东亚合成株式会社制造“oxt-121”(简写符号xdo))

·环氧化合物(三菱化学株式会社制造“epicoat806”(双酚f型环氧树脂))

＜固化剂＞

·式(b1)的苯并噁嗪化合物(四国化成工业株式会社制造“p-d型”)

·式(b2)的苯并噁嗪化合物(小西化学工业株式会社制造“bf-bxz”(双酚f型))

·式(b3)的苯并噁嗪化合物(小西化学工业株式会社制造“bs-bxz”(双酚s型))

(固化促进剂)

·2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(四国化成工业株式会社制造“2phz-pw”)

(活化剂)

·戊二酸

·三乙醇胺

(触变性赋予剂)

·酰胺系蜡(伊藤制油株式会社制造“itohwaxj-420”(n-羟乙基-12-羟基硬脂酰胺))

(实施例1～17)

实施例1～17的膏状热固化性树脂组合物如下制造。各构成成分的含量如(表1)所示。

对触变性赋予剂、氧杂环丁烷化合物和环氧化合物(实施例10中不使用)进行混配，加热使触变性赋予剂溶解，由此得到第1混合物。

在第1混合物中混配活化剂和固化剂，利用行星式搅拌机对其进行混炼，由此得到第2混合物。需要说明的是，关于活化剂和固化剂，使用通过了120目的筛的物质。

在第2混合物中混配焊料粉，继续利用行星式搅拌机对其进行混炼，由此得到膏状热固化性树脂组合物。

(比较例1)

比较例1的膏状热固化性树脂组合物如下制造。各构成成分的含量如(表1)所示。

对触变性赋予剂和环氧化合物进行混配，加热使触变性赋予剂溶解，由此得到第1混合物。

在第1混合物中混配活化剂和固化促进剂，利用行星式搅拌机对其进行混炼，由此得到第2混合物。需要说明的是，关于活化剂和固化促进剂，使用通过了120目的筛的物质。

在第2混合物中混配焊料粉，继续利用行星式搅拌机对其进行混炼，由此得到膏状热固化性树脂组合物。

(焊料球试验)

使用如上所述得到的膏状热固化性树脂组合物作为试样，进行标准号jisz3284的附录11中规定的焊料球试验。焊料浴的温度设定为240℃，加热时间为6分钟。将焊料的凝聚程度分成以下的水平1～5，将水平1～3评价为“gd”，将水平4评价为“ok”，将水平5评价为“ng”。

＜水平1＞

焊料粉熔融，焊料成为一个大球，周围没有焊料球。

＜水平2＞

焊料粉熔融，焊料成为一个大球，周围有三个以下直径75μm以下的焊料球。

＜水平3＞

焊料粉熔融，焊料成为一个大球，周围有四个以上直径75μm以下的焊料球，并未以半连续的环状排列。

＜水平4＞

焊料粉熔融，焊料成为一个大球，周围以半连续的环状排列有多个小球。

＜水平5＞

上述以外的情况。

(树脂固化程度)

将焊料球试验后的树脂的固化程度分成以下的水平1～3，将水平1评价为“gd”，将水平2评价为“ok”，将水平3评价为“ng”。

＜水平1＞

充分地固化。

＜水平2＞

略残留有未固化部分。

＜水平3＞

未固化部分残留，具有粘性。

[表1]

由(表1)可知，在不使用氧杂环丁烷化合物而使用固化促进剂的比较例1中，熔融的焊料粉的凝聚受到抑制，与此相对，在使用氧杂环丁烷化合物的实施例1～17中，确认到难以抑制熔融的焊料粉的凝聚。

由(表1)可知，在不使用苯并噁嗪化合物而使用固化促进剂的比较例1中，熔融的焊料粉的凝聚受到抑制，与此相对，在使用苯并噁嗪化合物而不使用固化促进剂的实施例1～17中，确认到难以抑制熔融的焊料粉的凝聚。

由实施例1、10、11与实施例12的对比可以确认，相对于主剂的总质量，氧杂环丁烷化合物优选为50质量％以上。即，在实施例1、10、11中，氧杂环丁烷化合物引起的固化反应的延迟占优势，变得难以抑制熔融的焊料粉的凝聚。与此相对，在实施例12中，环氧化合物引起的固化反应的促进略占优势，略微抑制了熔融的焊料粉的凝聚。

由实施例15的评价结果可以确认，相对于主剂100质量份，若苯并噁嗪化合物小于10质量份，则热固化性树脂粘合剂的固化物中略微产生未固化部分。

由实施例16的评价结果可以确认，相对于主剂100质量份，若苯并噁嗪化合物超过40质量份，则热固化性树脂粘合剂的固化略变快，略微抑制了熔融的焊料粉的凝聚。

工业实用性

本发明的膏状热固化性树脂组合物对于半导体部件和半导体安装品等有用。

符号说明

2半导体部件

3半导体安装品

4焊料粉

5半导体封装件

6第1焊料凸点

7第1热固化性树脂粘合剂

8第2焊料凸点

9间隙

11第1膏状热固化性树脂组合物

12第2膏状热固化性树脂组合物

13第3膏状热固化性树脂组合物

14第4膏状热固化性树脂组合物

21第1焊盘

22第2焊盘

23第3焊盘

24第4焊盘

31第1基板

32第2基板

33第3基板

34第4基板

41第1焊料接合部

42第2焊料接合部

43第3焊料接合部

44第4焊料接合部

51第1树脂加强部

52第2树脂加强部

53第3树脂加强部

54第4树脂加强部

61连接盘

63连接盘

82半导体部件

83半导体安装品

84焊料粉

85半导体封装件

86第3焊料凸点

87第3热固化性树脂粘合剂

88第4焊料凸点

89间隙