一种半导体整流桥焊接制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种半导体整流桥焊接制备方法，采用的是锡膏网印工艺，锡膏通过与芯片尺寸匹配网板上的网孔，采用刮刀水平均匀的将锡膏印刷至框架凸点及平台位置。由于网印板上的网孔大小一致，通过网板印刷最大程度的保证了锡膏量的均匀性。芯片采用真空吸笔方式吸取晶粒定位，由于吸笔不会直接与芯片表面接触，靠真空将芯片吸起，故解决了芯片受力暗裂之风险，同时也有效保证了芯片的准确定位。
【专利说明】
一种半导体整流桥焊接制备方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及一种半导体整流桥焊接制备方法。
【背景技术】
[0002]目前，半导体整流桥的焊接制备方法，主要是上下框架放置于定位板中定位，利用沾胶机上的探针沾取锡膏，将锡膏点于框架焊点位置，然后用探针上余的锡膏沾芯片定位于框架焊点位置，最后将框架移至焊接舟，将合模后的焊接舟放入焊接炉，使整流芯片与框架形成欧姆接触。
[0003]目前国内大多采用上述生产流程工艺。这种方法的缺点是探针沾锡膏的均匀性不易控制，且用探针上余留的锡膏沾芯片定位过程中，易存在部分芯片又会被探针从框架焊点处带起来的问题，同时又因探针会实际压到芯片表面，芯片如受力过大会导致芯片表面裂纹问题，影响焊接良品率且封装后的可靠性一般，无法达到高可信赖性需求客户使用要求。
【发明内容】
[0004]为解决以上技术上的不足，本发明提供了一种锡膏量容易控制，及芯片利于定位的半导体整流桥焊接制备方法。
[0005]本发明是通过以下措施实现的:
本发明的一种半导体整流桥焊接制备方法，所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片，所述上框架和下框架均设有凸点和平台，所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间，其制备方法依次包括如下步骤:
步骤I，将上下框架分别放置在对应位置的料仓内，上下框架均设有凸点及平台；
步骤2，自动网印机自动抓取框架定位于网印板下方的载板上定位，网印板与框架无缝对接，锡膏通过网印板印刷至框架焊接位置，即上下框架上的凸点及平台，然后将锡膏网印后的上下框架自动抓取至石墨板上定位；
步骤3，芯片采用具有分向功能的摇盘定位，采用吸笔利用真空负压原理将芯片从摇盘中吸取后定位于框架平台片，上下框架的平台处各放置2颗芯片；
步骤4，将上下框架合片后进炉焊接。
[0006]上述焊接粘连剂为锡膏Pbg2.5Sn sAg2.5。
[0007]本发明的有益效果是:1.通过网板印刷最大程度的保证了锡膏量的均匀性。2.芯片采用真空吸笔方式吸取晶粒定位，解决了芯片受力暗裂之风险，同时也有效保证了芯片的准确定位。
【具体实施方式】
[0008]本发明的一种半导体整流桥焊接制备方法，该半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片，所述上框架和下框架均设有凸点和平台，所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间，其制备方法依次包括如下步骤:
步骤I，将上下框架分别放置在对应位置的料仓内，上下框架均设有凸点及平台；
步骤2，自动网印机自动抓取框架定位于网印板下方的载板上定位，网印板与框架无缝对接，锡膏通过网印板印刷至框架焊接位置，即上下框架上的凸点及平台，然后将锡膏网印后的上下框架自动抓取至石墨板上定位；
步骤3，芯片采用具有分向功能的摇盘定位，采用吸笔利用真空负压原理将芯片从摇盘中吸取后定位于框架平台片，上下框架的平台处各放置2颗芯片；
步骤4，将上下框架合片后进炉焊接。焊接粘连剂为锡膏Pb92.5Sn5Ag2.5。
[0009]本发明采用的是锡膏网印工艺，锡膏通过与芯片尺寸匹配网板上的网孔，采用刮刀水平均匀的将锡膏印刷至框架凸点及平台位置。由于网印板上的网孔大小一致，通过网板印刷最大程度的保证了锡膏量的均匀性。
[0010]芯片采用真空吸笔方式吸取晶粒定位，由于吸笔不会直接与芯片表面接触，靠真空将芯片吸起，故解决了芯片受力暗裂之风险，同时也有效保证了芯片的准确定位。
[0011]以上所述仅是本专利的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本专利的保护范围。
【主权项】
1.一种半导体整流桥焊接制备方法，其特征在于:所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片，所述上框架和下框架均设有凸点和平台，所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间，其制备方法依次包括如下步骤: 步骤I，将上下框架分别放置在对应位置的料仓内，上下框架均设 有凸点及平台； 步骤2，自动网印机自动抓取框架定位于网印板下方的载板上定位，网印板与框架无缝对接，锡膏通过网印板印刷至框架焊接位置，即上下框架上的凸点及平台，然后将锡膏网印后的上下框架自动抓取至石墨板上定位； 步骤3，芯片采用具有分向功能的摇盘定位，采用吸笔利用真空 负压原理将芯片从摇盘中吸取后定位于框架平台片，上下框架的平台处各放置2颗芯片； 步骤4，将上下框架合片后进炉焊接。2.根据权利要求1所述的半导体整流桥焊接制备方法，其特征在于:所述焊接粘连剂为锡膏 Pb92.5Sn 5Ag2.5o
【文档编号】B23K1/20GK106001824SQ201610307661
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月11日
【发明人】陈钢全, 张胜君, 王刚
【申请人】山东迪电子科技有限公司, 山东迪一电子科技有限公司