膜的制造方法与使用该方法制造的膜的半导体装置的制作方法

专利名称：膜的制造方法与使用该方法制造的膜的半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及采用化学气相淀积(以下简称CVD)法形成半导体元件层间等中所用的绝缘膜或电路部件的基板等使用的膜(“也称低介电常数膜”)的膜的制造方法，还涉及使用本发明的方法制造的膜的半导体装置。
背景技术：
随着半导体元件的高速化、高集成化，信号延迟的问题正在变得深刻。信号延迟采用配线的电阻和配线间与层间的容量之积表示。为了把信号延迟抑制到最小，降低配线电阻以及降低层间绝缘膜的介电常数是有效的方法。
最近，作为降低层间绝缘膜的介电常数的方法，公开了采用等离子体CVD在含烃系气体和硼嗪与等离子体系气体的环境气氛中形成含B-C-N键的层间绝缘膜的方法。此外，也公开了该层间绝缘膜介电常数低(例如，参照特开2000-058538号公报(专利文献1)。
然而，上述以往的方法由于使用硼嗪作为VCD原料，虽然可以形成低介电常数且高机械强度的膜，但由于缺乏耐水性，故有这些的特性不持续的问题。此外在随着使用成膜的基板制造器件时的加热处理中，从膜中产生气体成分，有对器件的制造工艺产生不良影响的问题。
专利文献1特开2000-058538号公报发明内容本发明是为解决上述以往技术的问题而完成的研究，其目的在于提供长期稳定地获得低介电常数和高机械强度，同时降低加热膜时放出的气体成分(脱气)量，不引起器件制造工艺上有问题的膜的制造方法。
另外，本发明目的在于提供使用上述制造方法制造的膜的半导体装置。
本发明的膜的制造方法，其特征在于在使用有硼嗪骨架的化合物作为原料，采用化学气相淀积法在基板上形成膜的方法中，对设置前述基板的部位施加负电荷。
这里，有前述硼嗪骨架的化合物，优选是下述化学式(1)表示的化合物。
(式中，R1-R6可以分别相同或不同，分别单独选自氢原子、C1-4的烷基，链烯基或炔基，并且R1-R6的至少1个不是氢原子)。
本发明的膜的制造方法在化学气相淀积时，优选合并等离子体使用。这里，更优选利用所述等离子体生成原料气的离子和/或自由基。
进一步，本发明涉及使用上述的本发明的制造方法制的膜的半导体装置，也提供(1)将前述膜用作配线间绝缘材料的半导体装置，(2)将前述膜用作元件上保护膜的半导体装置。
根据本发明的膜的制造方法，可长期稳定地提供低介电常数与高机械强度，也可降低制造所得膜的器件时的脱气发生量。
另外，根据本发明还提供使用比以往介电常数低，并且交联密度提高，机械强度提高的膜的半导体装置。
附图简单说明

图1是示意地表示适用于本发明的PCVD装置一例的图。
图2是表示实施例1中所形成膜的TDS数据的曲线图。
图3是表示比较例1中所形成膜的TDS数据的曲线图。
图4是表示馈电电极侧(实线)、对电极侧(虚线)分别形成的膜的FT-IR光谱形状一例的曲线图。
图5是示意地表示本发明优选一例的半导体装置21的截面图。
图6是示意地表示本发明优选的其他例半导体装置41的截面图。
符号说明1反应容器2高频电源3匹配器4真空泵5气体导入口6加热/冷却装置7馈电电极8基板9对电极21半导体装置22半导体基板23，25，27，29绝缘层24，26，28导电层41半导体装置42半导体基板43门电极44源电极45漏电极46绝缘层具体实施方式
本发明的膜的制造方法，在使用有硼嗪骨架的化合物作为原料，采用化学气相淀积法(CVD)在基板上形成膜的方法中，其特征是在设置前述基板的部位施加负电荷。
根据本发明的膜的制造方法，通过在CVD时通过对上述基板的部位施加负电荷，降低对采用该方法制造的膜加热时放出的脱气，使用该膜制造器件时不产生不当的问题。
原料本发明中作为有硼嗪骨架的化合物，只要是有硼嗪骨架的化合物，则可以没有特殊限制地使用以往公知的适宜的化合物，尤其是从可制造提高介电常数，热膨胀系数，耐热性，传热性，机械强度等的膜的观点考虑，优选使用下述化学式(1)表示的化合物作为原料。
上述化学式(1)表示的化合物中，作为R1-R6表示的取代基可以分别相同也可以不同，可以分别单独地使用氢原子或C1-4的烷基、链烯基或炔基的任何一种基。但没有R1-R6均是氢原子的情况。都是氢的场合膜中容易残留硼-氢键或氮-氢键。由于这些的键亲水性高，故有可能产生膜的吸湿性增大之类的问题，不能得到所期望的膜。而上述化合物(1)的R1-R6中，碳数大于4时成膜的膜中的碳原子含量增多，有可能膜的耐热性，机械强度降低。更优选碳数是1或2。
CVD本发明的膜的制造方法为了在基板上形成膜，采用化学气相淀积法(CVD)。膜形成采用CVD法时，由于上述原料的气体边顺序交联边形成膜，可提高交联密度，故可期待提高膜的机械强度。
在CVD法中，作为载气使用氦、氩或氮等，向使上述化学式(1)所示的有硼嗪骨架的化合物(1)的原料气成膜的基板附近移动。
此时，也可以将向上述载气中混合甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、氨或烷基胺类的化合物成膜的膜的特性控制成所期望的特性。
上述载气的流量可在100-1000sccm，有硼嗪骨架的化合物的气体流量可在1-300sccm，甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、氨或烷基胺类的流量可在0-100sccm的范围任意地设定。
这里，上述载气的流量小于100sccm时，获得所期望膜厚使用的时间极慢，有时也不能进行膜的形成。而大于1000sccm时有基板面内的膜厚均匀性恶化的倾向。更优选是20-800sccm。
有硼嗪骨架的化合物的气体流量小于1sccm时，获得所期望膜厚使用的时间极慢，有时也不能进行膜的形成。而大于300sccm时由于形成交联密度低的膜，故机械强度降低。更优选是5-200sccm。
甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、氨或烷基胺类气体大于100sccm时所得膜的介电常数增大。更优选是5-100sccm。
这样地运送到基板附近的上述原料气通过伴随化学反应堆积在基板上而形成膜，但为了高效率地引起化学反应，在CVD时优选并用等离子体。另外，也可对这些原料气组合紫外线或电子射线促进反应。
本发明的膜的制造方法，在CVD时若对拟形成膜的基板进行加热，则由于更容易减少脱气而优选。为了加热基板使用热的场合，在室温～450℃之间控制气体温度与基板温度。这里，原料气与基板温度大于450℃时获得所期望膜厚使用的时间极慢，有时也不能进行膜的形成。更优选是50-400℃。
另外，为了加热基板使用等离子体的场合，例如在平行平板型的等离子体发生器内设置基板向其中导入上述原料气。此时使用的RF的频率是13.56MHz或400kHz，功率可在5-1000W的范围任意地设定。另外也可以将这些不同的频率的RF混合使用。
这里，为了进行等离子体CVD使用的RF的功率大于1000W时，上述化学式(1)表示的具有硼嗪骨架的化合物被等离子体分解的频度增加，难得到有所期望硼嗪结构的膜。更优选是10W-800W。
另外，本发明中，反应容器内的压力优选成为0.01Pa-10Pa，小于0.01Pa时有硼嗪骨架的化合物被等离子体分解的频度增加，难得到具有所期望的硼嗪结构的膜。而大于10Pa时由于成为交联密度低的膜。故机械强度降低。更优选是5Pa-6.7Pa。再者，该压力可以利用真空泵等的压力调节器或气体流量进行调节。
装置本发明的膜的制造方法可以使用以往公知的适宜的装置进行。如上述，作为本发明的膜的制造方法中，在CVD时并用等离子体的场合，作为特别适用的装置，可举出具有供给有硼嗪骨架化合物的设备，和使等离子体发生用的等离子体发生器，与对设置基板的电极施加负电荷的设备的等离子体CVD装置(PCVD装置)。该装置，例如采用向有加热室温的硼嗪化合物用的气化机构的装置内导入硼嗪气化的方法，或对贮藏硼嗪化合物的容器本身进行加热使硼嗪化合物气化后，利用此时硼嗪化合物进行气化上升的压力，向装置内导入气化的硼嗪化合物的方法，或将Ar、He、氮气等其他气体与气化的硼嗪化合物混合导入装置中的方法等，实现供给有硼嗪骨架的化合物。其中，从难引起原料受热变性的观点考虑，优选采用向装置内导入加热室温的硼嗪化合物的气化机构使其气化的方法，实现使之供给有硼嗪骨架的化合物。
另外，作为该装置中的等离子体发生器，例如可以使用容量结合方式(平行平板型)或感应结合方式(线圈方式)等适宜的等离子体发生器，其中从容易得到实用的成膜速度(10nm/分～5000nm/分)的观点考虑，优选容量结合方式(平行平板型)的等离子体发生器。
此外，该装置，例如使用容量结合型的等离子体发生器使电极间生成等离子体的场合采用对设置基板的电极施加高频的方法，或对设置基板的电极施加产生等离子体用的高频以外的直流电流，或高频交流电流的方法，实现对设置基板的电极施加负电荷。其中，从能把生成的等离子体产生的电位和独立的电荷施加到基板上的观点考虑，优选使用直流电流对设置基板的电极施加负电荷来实现。
上述PCVD装置中使用的有上述硼嗪骨架的化合物，因上述的理由，优选是上述化学式(1)表示的化合物。
本发明使用的PCVD装置，优选还具有在基板上利用PCVD形成膜用的反应容器。这种进一步具有反应容器的构成，可采用等离子体发生器设在反应容器之外、内的任何一种方式的构成。例如把等离子体发生器设在反应容器之外的构成时，由于等离子体不直接对基板发生作用，故具有可防止基板上形成的膜过多地暴露在等离子体的电子、离子、自由基等中进行不需要的反应的优点。而把等离子体发生器设在反应容器内的构成，具有容易得到实用的成膜速度(10nm/分-5000nm/分)的优点。
图1是示意地表示适用于本发明的PCVD装置一例的图。本发明使用的PCVD装置是在上述反应容器内设等离子体发生器的构成，还特优选使用等离子体发生器利用容量结合方式设在设置基板的电极上的平行平板型的PCVD装置实现。通过使用这样的PCVD装置进行上述的本发明的膜的制造方法，由于在施加电极侧(负偏压)进行成膜，故估计通过等离子体中产生的正离子化的硼嗪分子或作为载气使用的He、Ar等对堆积在基板上的硼嗪分子进行冲撞产生新的活性中心，可进一步进行交联反应。而在对电极侧(正偏压)进行成膜时，与在施加电极侧进行成膜的场合相比，等离子体中产生的电子更多地飞散，通过该电子与堆积在基板上的硼嗪分子进行冲撞更多地产生自由基。该产生的自由基由于活性比利用离子冲撞产生的自由基的活性小，故估计难得到充分的交联密度。
图1表示的PCVD装置中，在反应容器1中通过加热/冷却装置6设馈电电极7，在该馈电电极7上载置作为成膜对象的基板8。加热/冷却装置6可以把基板8加热或冷却到设定的工艺温度。另外，馈电电极7通过稳定器3与高频率电源2连接，可调整到设定的电位。
另外，图1中的反应容器中，在与基板8对置的一侧设置对电极9，还设气体导入口5与排出反应容器1内的气体用的真空泵4。
在产生等离子体用的反应容器1内，欲使膜成长的基板8，通过在使等离子体感应用的馈电电极7上设置基板8进行成膜可形成所期望的膜。此时，在与馈电电极7对置的对电极9上由另外的高频电源赋予电位，可任意地调整拟成膜的基板8上的电位。该场合，本发明具有基板8侧的馈电电极7变成负电位的特征。
另外，在使用高密度等离子体源的成膜装置内使膜成长的场合，通过使用与等离子源的高频电源2相独立的电源对基板施加负电荷也可以形成所期望的膜。
此外，图1表示的PCVD装置中，其构成在装置的上侧配置对电极9，同时在装置的下侧配置馈电电极7，这些电极也可以彼此相反地对置，例如当然也可以是上下相反的构成(该场合基板8利用被板簧、螺钉、销等的基板固定构件支撑形成的构成固定在馈电电极7上，这里，可把基座基板直接设置在馈电电极7上，但也可利用基板搬运用的夹具等把基板8固定在馈电电极7上。)以下对使用图1的装置进行本发明的方法进行说明。首先图1中，把基板8载置在馈电电极7上，将反应容器1内进行抽真空。接着，把原料气、载气与根据需要上述的其他的气体从气体导入口5向反应容器1内供给。供给时的流量如上述。与此同时使用真空泵4抽真空使反应容器1内的压力维持在设定的工艺压力。并且，利用加热/冷却装置6将基板8设定成设定的温度。
另外，利用高频电源2对给电电源7施加负电荷，使反应容器1内的气体产生等离子。等离子体中原料与载气变成离子和/或自由基，通过不断地堆积在基板8上形成膜。
其中离子被与自身所带电荷相反的电位电极吸附向基板上反复产生冲撞进行反应。即由于电荷的关系，阳离子被吸到馈电电极7侧，反之阴离子被吸到对电极9侧。
另一方面，自由基在等离子体场中同样地进行分布，由此在馈电电极7侧进行成膜的场合往往引起阳离子为主的反应，减少了自由基种对成膜的贡献。
因此，本发明如上述通过调整电极的电位，可以减少残留在成膜的膜中的自由基量，故从PCVD装置中取出后可抑制对空气中的氧或水等的自由基活性的物质与残留在膜中的自由基之间的反应。
膜中残留自由基的场合，加热膜时硼嗪自由基与氧或水的反应生成B-羟基硼嗪，而与空气中的水进一步反应生成烷基硼氧烷和氨，膜中的自由基容易破坏膜的一部分。因此容易产生脱气。此外，根据本发明的制造方法，由于减少膜中的自由基种，故采用本发明的方法形成的膜由于残留自由基量少故可减少脱气量。
再者，图1表示的平行平板型的PCVD装置中，所施加的电力的频率例如可举出13.56MHz，但也可以使用HF(数十～数百kHZ)或微波(2.45GHz)、30MHz-300MHz的超短波。使用微波的场合，可以采用激发反应气体，在后发光中进行成膜的方法，或使用向满足ECR条件的磁场中导入微波的ECR等离子体CVD。
膜根据本发明的膜的制造方法，与使用以往的具有硼嗪骨架的化合物作为原料的膜进行比较可以制造更低介电常数的膜。这里所谓“低介电常数”意味着可以长期稳定地维持一定的介电常数，具体地采用以往的制法制的膜维持3.0-1.8左右的介电常数数天，而本发明可维持前述介电常数至少数年。再者，该低介电常数，例如可采用与刚成膜后同样的方法测定介电常数确认保存一定期间的膜。
另外本发明制得的膜，与采用以往的制法得到的膜进行比较，可以实现更高的交联密度，是更致密且提高机械强度(弹性模量，强度等)的膜。该交联密度的提高，例如可以从FT-IR的光谱形状，由1400cm-1附近的峰位移到低频率侧来确认。图4表示该FT-IR光谱的一侧，看出相对于对电极侧的膜的FT-IR的光谱形状(图中，用虚线表示)，馈电电极侧的FT-IR的光谱形状(图中，用实线表示)，上述峰位移到低频率侧。
半导体装置本发明也提供使用上述本发明的制造方法制得的膜的半导体装置。图5是示意地表示本发明的优选一例半导体装置21的截面图。图5的半导体装置21可举出使用上述的本发明的膜作为配线间的绝缘材料(层间绝缘膜)的例。
图5所示例的半导体装置21在硅制的半导体基板22上形成第1绝缘层23，在该第1绝缘层23上形成相当于第1配线形状的凹部，使用导电性材料填充该凹部形成第1导电层24。此外，图5表示的例中，在第1绝缘层23与第1导电层24上形成第2绝缘层25，在该第2绝缘层25上形成贯通孔使之达到上述第1的导电层24，使用导电性材料填充该孔形成第2导电层26。图5表示的例中还在第2绝缘层25与第2导电层26上形成第3绝缘层27，在该第3绝缘层27上形成相当于第2配线形状的凹部，使用导电性材料填充该凹部形成第3导电层28。此外，在该第3绝缘层27与第3导电层上形成第4绝缘层。
本发明的半导体装置21是在如上述的图5表示的结构中，至少任何一个的绝缘膜(优选第1-第4的全部绝缘层)，使用采用本发明的制造方法所制膜实现的装置。使用多个本发明所制膜的场合，可使用利用完全相同的原料形成的膜，也可以使用利用有硼嗪骨架的化合物中彼此不同的原料形成的膜。本发明制的膜如上述由于是比以往具有低介电常数的膜，故通过实现如图5所示配线结构，能比以往降低配线容量，可实现能更高速工作的半导体装置。
本发明的半导体装置21中形成导电层21使用的导电性材料，可以没有特殊限制地使用铜、铝、银、金、铂等以往公知的适宜的导电性材料，本发明的半导体装置21，即使是使用铜作为导电性材料的场合，通过采用本发明的膜与导电层相接的结构，具有可利用绝缘层防止从导电层扩散铜的优点。
再者，本发明的半导体装置21，不需要所有的绝缘层都使用本发明制的膜，任何一部分的绝缘层均可以适当使用例如氧化硅(SiO)或碳化氧化硅(SiOC)等有适宜绝缘性的膜。
图6是示意地表示本发明优选的另外例半导体装置41的截面图。图6的半导体装置41表示使用上述本发明的制造方法制得的膜作为器件上的保护膜(钝化膜)的例。
图6所示例的半导体装置41是在硅制的半导体基板42上分别形成门电极43，源电极44与漏电极45的场致效果型晶体管，表示覆盖这些门电极43，源电极44与漏电极45而形成保护膜(钝化膜)46的例。
本发明的半导体装置41，是在如上述的图6表示的结构中，使用本发明制的膜作为保护膜46的半导体装置。根据这样的本发明的半导体装置41，与使用以往典型地利用的氮化硅(SiN)形成的保护膜相比，由于降低门电极与半导体基板上产生的寄生容量，故提高晶体管的S/N特性。
再者，本发明的半导体装置41，当然也可以根据需要在保护层46上再复合SiN或SiO构成的绝缘层。
以下，举出实施例详细地说明本发明，但本发明不限定于此。
(实施例1，比较例1)使用图1所示例的平行平板型的等离子体CVD装置进行以下的成膜。作为载气使用氦，把流量设定成200sccm投入到反应容器中。另外，把作为原料气的B，B，B，N，N，N-六甲基硼嗪气体流量设定成10sccm，通过已加热的气体导入口导入到已设置基板的反应容器中。B，B，B，N，N，N-六甲基硼嗪气体的蒸气温度为150℃。另外，把基板温度加热到100℃从设置该基板的馈电电极侧施加13.56MHz的高频电流使之成为150W。再者，将反应容器内的压力维持在2Pa。由此在基板上进行成膜。
对制得的基板上的膜使用升温解吸气体分析装置(TDS)，按60℃/分速比例边升温边进行脱气量的测定。另外，为了比较起见，对在对置电板侧设置基板的场合(比较例1)，也对与上述同时制得的膜使用TDS进行脱气量的测定。
作为测定的条件，把基板作为1cm正方形对分别从膜中放出的脱气进行比较。图2表示采用本发明的方法在供给电极侧成膜的膜升温时的真空度。图2中纵座标表示真空度(Pa)，横座标表示温度(℃)。
图2表示真空度越上升越从膜中放出脱气。到400℃左右真空度不出现明显的变化，说明不因加热而产生脱气。
图3为了比较起见表示出在对电极侧成膜的膜的TDS数据。图3中纵座标表示真空度(Pa)，横座标表示温度(℃)。在图3中看出变成100℃以上的温度时由于真空度上升故在对电极侧进行成膜时产生脱气。由此说明通过在馈电电极上设置拟成膜的基板，成为负电位，可形成脱气少的膜。
(实施例2-13，比较例2-13)采用与实施例1同样的方法进行更换原料气的种类所制成膜的TDS测定。把有关实施例2-9(在馈电电极侧进行成膜的场合)的结果示于表1，把有关比较例2-9(在对电极侧进行成膜的场合)的结果示于表2。另外，把有关实施例10-13(在馈电电极侧进行成膜的场合)的结果示于表3。把有关比较例10-13(在对电极侧进行成膜的场合)的结果示于表4。
表1

表2

表3

表4

由表1～表4看出任何一种的场合在给电侧电极制成的膜的脱气可以比对电极侧成膜的脱气少。再者，使用硼嗪(化学式(1)中R1到R6均是氢)作为原料在对电极侧进行成膜的比较例9，由于刚从成膜装置取出后，膜开始白浊，故不能进行TDS测定。这估计是膜的吸湿性非常高的缘故。
(实施例14)制造图5所示例的半导体装置21。首先，在硅制的半导体基板22上，使用图1表示的PCVD装置，原料使用实施例2表示的N，N，N-三甲基硼嗪，对馈电电极侧施加负的电荷形成厚度0.2μm的第1绝缘层23。在该第1绝缘层23上将抗蚀剂膜进行图形曝光后，显影得到抗蚀剂图形，然后通过进行蚀刻甚至连上述第1导电层24上也形成宽0.1μm，深0.1μm的凹部(相当于第1配线形状)后，填充该凹部形成铜制的第1导电层24。然后，在第1绝缘层23与第1导电层24上，使用图1表示的PCVD装置，原料使用实施例2表示的N，N，N-三甲基硼嗪，对馈电电极侧施加负的电荷形成厚度0.2μm的第2绝缘层25。在该第2绝缘层25上，将抗蚀剂膜进行图形曝光后，进行显影得到抗蚀剂图形，然后通过蚀刻贯通使之达到上述第1导电层24形成直径0.1μm的孔后，填充该孔形成铜制的第2导电层26。此外，在第2绝缘层25与第2导电层26上，使用图1表示的PCVD装置，原料使用实施例2表示的N，N，N-三甲基硼嗪，对馈电电极侧施加负的电荷形成厚度0.2μm的第3绝缘层27，在该第3绝缘层27上将抗蚀剂膜进行图形曝光后，进行显影得到抗蚀剂图形，然后通过蚀刻形成宽0.1μm深0.2μm的凹部(相当于第2配线形状)，填充该凹部形成铜制的第3导电层28。再在该第3绝缘层27与第3导电层上使用图1表示的PCVD装置，原料使用实施例2表示的N，N，N-三甲基硼嗪，对馈电电极侧施加负的电荷形成厚度0.05μm的第4绝缘层，制得图5表示例的半导体装置21。
(实施例15)制造图6所示例的半导体装置41。在硅制的半导体基板42上分别形成门电极42，源电极43与漏电极44的场致效果型晶体管上，使用图1表示的PCVD装置，原料使用实施例2表示的N，N，N-三甲基硼嗪，对馈电电极侧施加负的电荷形成厚度0.05μm的保护膜46，制得图6所示例的半导体装置41。
与实施例14同样地测定的保护膜的介电常数是2.5，与以往典型地使用的介电常数为7左右的氮化硅(SiN)形成保护膜的场合相比，可实现S/N特性进一步提高的晶体管。
这次公开的实施方式与实施例应该视为在所有的方面是举例说明没有限制。本发明范围不是上述的说明而按照权利要求范围表示，意图是包含与权利要求均等的意义与范围内的所有的变更。
权利要求
1.膜的制造方法，其特征在于在使用具有硼嗪骨架的化合物作为原料，采用化学气相淀积法在基板上形成膜的方法中，对设置前述基板的部位施加负电荷。
2.权利要求1所述的膜的制造方法，其中前述具有硼嗪骨架的化合物是下述化学式(1)表示的化合物。 (式中，R1-R6可以分别相同也可以不同，分别单独地选自氢原子、C1-4的烷基、链烯基或炔基，并且R1-R6的至少1个不是氢原子)。
3.权利要求1所述的膜的制造方法，其特征在于化学气相淀积时，并用等离子体。
4.权利要求3所述的膜的制造方法，其特征在于利用前述等离子体生成原料气的离子和/或自由基。
5.半导体装置，其特征在于是使用权利要求1所述的方法制造的膜的半导体装置，是将前述膜作为配线间的绝缘材料使用的半导体装置。
6.半导体装置，其特征在于是使用权利要求1所述的方法制造的膜的半导体装置，是把前述膜作为元件上的保护膜使用的半导体装置。
全文摘要
本发明提供使用具有硼嗪骨架的化合物(优选下述化学式(1)(式中，R
文档编号C23C16/38GK101023516SQ200580031218
公开日2007年8月22日 申请日期2005年10月7日 优先权日2004年10月19日
发明者熊田辉彦, 保田直纪, 信时英治, 松本纪久, 松野繁 申请人:三菱电机株式会社