半导体装置用部件及其制造方法

专利名称：：半导体装置用部件及其制造方法
技术领域：
：本发明一般地说，涉及一种半导体装置用部件及其制造方法，特别地，涉及作为构成半导体装置的散热器材料、罩(盖)材料等散热部件的半导体装置用部件及其制造方法。
背景技术：
：例如，在作为半导体装置的高性能的功率器件(powerdevice)中，为了使作为半导体集成电路元件(IC)的硅(Si)芯片绝缘，将Si芯片软钎焊在表面具有铜(Cu)和铝(Al)的氮化铝(A1N)烧结体基板上，在A1N烧结体基板的下方，软钎焊作为本发明的对象的半导体装置用部件，此外，为了使用水对该半导体装置用部件进行冷却，采用将半导体装置用部件通过螺栓紧固在由铝合金构成的散热器上的构造。目前，作为半导体装置用部件，主要使用铜(Cu)—钼(Mo)类复合合金。但是，存在Mo的价格高、比重大而重的问题。对此，由于铝(Al)—碳化硅(SiC)复合材料，不会产生污染问题，可以利用廉价的Al和SiC原料进行制造，可以与所搭载的Si芯片、周围的部件等配合而在大范围内调整热膨胀系数，因此是一种重量轻且优良的半导体装置用部件。在将Al—SiC复合材料作为功率器件用部件使用中存在多种问题，除了一部分器件之外，无法实际采用Al—SiC复合材料。例如，如果使用Al—SiC复合材料作为半导体装置用部件的一个使用例即功率器件用部件，则具有如下问题。(1)为了将半导体装置用部件软钎焊在其它部件上，需要在表面上实施镀镍(Ni)等。例如，由于如果该镀层存在缺陷，则焊锡中会产生孔隙，从而可能使半导体装置的性能降低，同时使寿命縮短。向Al—SiC复合材料表面的电镀，存在如下问题在利用烧结法或自渗透法(self-infiltration)制造的Al—SiC复合材料的情况下，会产生孔状的缺陷，在利用烧结+锻造法制造的Al—SiC复合材料的情况下，SiC会发生龟裂，此外，对于任意一种方法都会由于电镀预处理的研磨而使SiC颗粒脱落。因此，存在无法在半导体装置用部件的表面形成高品质镀层的问题。(2)伴随功率器件的进一步高性能化和小型化，如果半导体装置用部件在高温下的热传导率低，则会使装置性能降低，同时寿命縮短的问题显著化。由此最近例如需要使高温(IO(TC)下的热传导率大于或等于180W/(m'K)。因此，需要进一步提高Al—SiC复合材料在高温下的热传导率。(3)在作为功率器件的一种的电力变换用器件中，使由Si芯片产生的热量高效地传导至散热器是很重要的。半导体装置用部件被螺栓紧固在Al合金的散热器上，但由于A1—SiC复合材料脆，因此可能会开裂，特别是在螺栓紧固的位置处发生开裂，存在导致装置损坏的问题。(4)在功率器件中，通过焊接使各个部分或各个部件接合，从而实现热阻的降低以及散热性的提高。此外，近年来，功率器件被用于混合动力EV车辆和EV车辆中，希望其重量轻、高性能、高可靠性、长寿命。另一方面，由于环境问题的加重，因此作为焊锡材料，具有无铅(Pb)化的倾向。由于焊锡材料的延展性差，因此在与杨氏模量大的材料接合的情况下，热应力会在焊锡部集中，可能会导致破坏，存在縮短装置寿命的问题。特别地，由于无Pb焊锡材料比含Pb焊锡材料延展性差，因此该问题具有进一步加剧的倾向。(5)希望半导体装置用部件价格低。为了获得可以与所搭载的Si芯片、周围的部件等配合而在大范围内特别是在大于或等于6.5X1(T6/K而小于或等于15X10々K的范围内，对热膨胀系数进行调整，同时为了实现很好的散热性而具有高热传导性、且重量轻的半导体装置用部件，如下所述，提出了使用铝和碳化硅的复合材料的多种方案。在特开平11—310843号公报(专利文献l)中，公开了一种热传导性优良的半导体装置用部件，其使用在粉末的混合、成型工序后，在非氧化性气氛中以大于或等于60(TC而小于或等于Al的熔点的温度进行烧结的方法，并且还使用在大于或等于700'C的温度(上限为900°C)下进行加压热处理的步骤，或者还使用将该烧结体在大于或等于600。C的温度下预热，放入模具内进行加压热处理的步骤，即所谓热锻法(气氛优选为非氧化性气氛，上限温度为800°C)进行制造。在该半导体装置用部件中，在表面实施电镀的情况下，无法防止由SiC的脱落、孔状的缺陷、SiC的龟裂等引起的镀层缺陷，可能会在焊锡中产生孔隙，使半导体装置的性能降低，同时使寿命縮短。此外，对螺栓紧固的位置处的开裂和由热应力集中导致脱焊的问题，解决得不充分。此外，该半导体装置用部件，通过利用在产生液相的温度下进行的加压处理而制造，可以实现热传导性的提高。在特开2000—192182号公报(专利文献2)中，作为用于半导体装置的散热基板中的材料，公开了一种碳化硅类复合材料，其通过在真空下对成型体以小于熔点的温度进行加热处理，随后，以大于或等于熔点的温度迸行烧结的方法制造，其无论气孔率高低，都具有优良的热传导性。如果将该材料用于半导体装置用部件中，则可能由于高气孔率和镀层缺陷，而在焊锡中形成孔隙，使半导体装置的性能降低，同时使寿命縮短。此外，对螺栓紧固的位置处的开裂和由热应力集中导致脱焊的问题，解决得不充分。此外，该碳化硅类复合材料，也通过利用在产生液相的温度下进行锻造而制造，可以实现热传导性的提高。在特开2000—160267号公报(专利文献3)中，作为用于半导体装置的散热基板中的材料，公开了一种热传导性优良的碳化硅类复合材料，其通过在将成型体加热至大于或等于熔点的温度后，在加压的条件下进行锻造而形成锻造体的方法制造。对于该材料，在进行电镀的情况下，无法防止由SiC的脱落、孔状的缺陷、SiC的龟裂等引起的镀层缺陷，可能会在焊锡中产生孔隙，使半导体装置的性能降低，同时使寿命縮短。此外，对螺栓紧固的位置处的开裂和由热应力集中导致脱焊的问题，解决得不充分。此外，该碳化硅类复合材料，也通过利用在产生液相的温度下进行锻造而制造，可以实现热传导性的提高。在特开2004—288912号公报(专利文献4)中，作为半导体散热基板，提出了一种尺寸精度高的罩型半导体装置用部件，其通过将成型体在小于或等于熔点的温度下进行烧结后，在空气中以65080(TC的温度进行锻造加工。对于该半导体装置用部件，在进行电镀的情况下，无法防止由SiC的脱落、孔状的缺陷、SiC的龟裂等引起的镀层缺陷，可能会在焊锡中产生孔隙，使半导体装置的性能降低，同时使寿命縮短。此外，对螺栓紧固的位置处的断裂和由热应力集中导致脱焊的问题，解决得不充分。此外，通过利用在产生液相的温度下进行锻造而制造，可以获得尺寸精度优良的罩型半导体装置用部件。因此，如果使用上述公报的任意一个中公开的铝和碳化硅的复合材料，构成半导体装置用部件，则即使解决了上述问题(2)和(5)，也无法获得在解决问题(2)和(5)的同时，解决问题(1)、(3)和(4)的半导体装置用部件。此外，还提出了如下所示的半导体装置用部件，其使用铝和碳化硅的复合材料。在特开平10—335538号公报(专利文献5)中，公开了一种半导体装置用部件，其通过在铝和碳化硅的复合材料的表面，设置主要成分为铝的覆层，从而改善其与树脂间的接合强度，该复合材料通过烧结法制造，热传导率大于或等于100W/(m'K)(或大于或等于180W/(m.K))，热膨胀率小于或等于20X10—6/K。作为改善其与树脂间接合强度的方法，具体地说，公开了在制造Al—SiC复合材料后，将Al—SiC复合材料的表面粗糙化，利用电镀法、蒸镀法、丝网印刷法，在该表面上附加形成厚度为1100pm的Al层的方法。但是，即使如上述公报中公开那样，在Al—SiC复合材料的表面上附加形成A1层，解决上述问题(1)、(3)和(4)，也会由于以下理由而难以实现。在作为半导体装置用部件而用于功率器件用部件的情况下，由于需要使热阻更小，因此需要使Al—SiC复合材料与Al层更加牢固地接合。通过电镀法、蒸镀法、丝网印刷法而附加形成的A1层，与Al—SiC复合材料之间的接合强度不充分。此外，在通过电镀法、蒸镀法、丝网印刷法形成的Al层是薄膜的情况下，由于Al层内可能会存在缺陷，因此在将其它部件软钎焊在Al层的表面上的情况下，可能会在焊锡中产生孔隙，发生如半导体装置的性能降低、寿命縮短这样的问题。如果使A1层厚膜化，则上述可能性变小，但会使制造成本升高。此外，对螺栓紧固的位置处的开裂和由热应力集中导致脱焊的问题，解决得不充分。此外，为了解决上述问题(1)、(3)以及(4)，考虑以在作为Al—SiC复合材料的原材料的成型体的表面层上，预先形成有Al层的状态，进行烧结或锻造。但是，上述特开平11一310843号公报(专利文献1)、特幵2000—192182号公报(专利文献2)、特开2000—160267号公报(专利文献3)以及特开2004—288912号公报(专利文献4)中公开的制造方法，由于均为通过在产生液相的温度下进行烧结或锻造而制造的方法，因此难以获得使厚Al层与表面牢固接合的Al—SiC复合材料。专利文献l:特开平11—310843号公报专利文献2:特开2000—192182号公报专利文献3:特开2000—160267号公报专利文献4:特开2004—288912号公报专利文献5:特开平10—335538号公报
发明内容如上所述，作为半导体装置用部件，在现有技术中没有提出满足如下所有要求特性的材料。i)为了将半导体装置用部件软钎焊在其它部件上，要在表面进行电镀，但例如如果该镀层中存在缺陷，则可能在焊锡中产生孔隙，使半导体装置的性能降低，同时使寿命縮短。因此，要可以在半导体装置用部件的表面上，形成没有缺陷而高品质的镀层。ii)伴随功率器件的进一步高性能化和小型化，需要使半导体装置用部件在高温下的热传导性良好。因此，要使高温(IO(TC)下的半导体装置用部件的热传导率大于或等于180W/(mK)。iii)由于在电力变换用器件中，将由Si芯片产生的热量髙效地传导至散热器是很重要的，因此将半导体装置用部件通过螺栓紧固在Al合金散热器上。因此，半导体装置用部件要具有不会由于螺栓紧固等发生开裂的程度的韧性。iv)在功率器件中通过焊接而使各个部件接合，可以实现热阻的降低、散热性的提高。因此，即使将半导体装置用部件通过焊接与其它部件接合，也要不会由热应力导致脱焊。v)半导体装置用部件不仅原材料成本低，制造成本也要较低，并且廉价。因此，本发明的目的在于，提供一种廉价的半导体装置用部件及其制造方法，该半导体装置用部件可以满足上述所有要求特性，即，其可以在表面上形成高品质的镀层，高温(IO(TC)下的热传导率大于或等于180W/(m.K)，具有不会由螺栓紧固等导致开裂程度的韧性，并且，即使通过焊接而与其它部件接合，也不会由热应力导致脱焊。本发明所涉及的半导体装置用部件，其热膨胀系数大于或等于6.5X10"/K而小于或等于15X10'6/K，温度IO(TC下的热传导率大于或等于180W/(m*K)，具有基材和表面层。基材由原材料为粉末材料的铝一碳化硅复合材料构成，该铝一碳化硅复合材料是将颗粒状的碳化硅分散在铝或铝合金中而成，碳化硅的含量大于或等于30质量%而小于或等于85质量％，并且该基材具有一侧表面、和该一侧表面的相反侧的另一侧表面。表面层与基材的一侧表面和另一侧表面接合，其含有原材料为熔铸材料的铝或铝合金。在这里，所谓粉末材料是指粉末状态或颗粒形状的材料。此外，所谓熔铸材料是指从熔融状态凝固后的块状材料，包括凝固后实施了轧制加工等塑性加工的材料。本发明的半导体装置用部件中，可以在由铝一碳化硅复合材料构成的基材的外表面、即一侧表面和另一侧表面上，以较厚且无缺陷的状态，接合含有铝或铝合金而具有优良的韧性的表面层。在本发明的半导体装置用部件中，优选基材和表面层之间的接合强度大于或等于2X9.8MPa。此外，在本发明的半导体装置用部件中，优选基材和表面层之间的分界面的至少一部分通过金属键接合。此外，在本发明的半导体装置用部件中，优选表面层的平均厚度，大于或等于半导体装置用部件的平均厚度的2%而小于或等于30%。在本发明的半导体装置用部件中，优选表面层的厚度的波动，在表面层的平均厚度的±30%以内。在本发明的半导体装置用部件中，优选表面层含有铝或铝合金的再结晶组织。在本发明的半导体装置用部件中，优选表面层的铝合金，含有从由镁(Mg)、硅(Si)、钛(Ti)、铜(Cu)、锌(Zn)、锰(Mn)、铬(Cr)、铁(Fe)以及镍(Ni)构成的群中选出的至少一种元素，元素的总含量大于或等于0.005质量％而小于或等于15质量％。本发明的半导体装置用部件中，表面层的铝的纯度也可以大于或等于99%。在本发明的半导体装置用部件中，优选表面层的硬度大于或等于维氏硬度25而小于或等于185。在本发明的半导体装置用部件中，优选碳化硅的颗粒的平均粒径大于或等于10pm而小于或等于150nm。在本发明的半导体装置用部件中，优选还具有形成于外表面的镀层。在该情况下，优选镀层含有从由镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)以及金(Au)构成的群中选出的至少一种元素，厚度大于或等于O.lnm而小于或等于10pm。此外，镀层的表面粗糙度，其Ra值优选小于或等于2pm。在本发明的半导体装置用部件中，优选在半导体装置用部件的长边为Xmm，其弯曲量为Ymm的情况下，(Y/X)的值小于或等于0.2%。本发明的一个方面所涉及的半导体装置用部件的制造方法，具有如下工序。a)将铝或铝合金的粉末和碳化硅的粉末，以使碳化硅的含量大于或等于30质量％、而小于或等于85质量％的方式混合，而准备混合粉末。b)通过在铝或铝合金的第l和第2熔铸材料之间，配置混合粉末并进行成型，从而获得成型体。c)在熔铸材料的熔点或固相线温度为Tm'C的情况下，将成型体加热至大于或等于(Tm—100)"C而小于Tm"C的温度，对其进行压縮。根据本发明的一个方面所涉及的半导体装置用部件的制造方法，可以在由铝一碳化硅复合材料构成的一侧表面和另一侧表面，以较厚且无缺陷的状态，接合含有铝或铝合金而具有优良的韧性的表面层。在本发明的半导体装置用部件的制造方法中，优选第1和第2熔铸材料的平均厚度大于或等于O.lmm而小于或等于2.0mm。此外，在本发明的半导体装置用部件的制造方法中，优选在获得成型体的工序中，成型压力大于或等于(2X98)MPa。此外，本发明的半导体装置用部件的制造方法，优选在获得成型体的工序和加热压縮工序之间，还具有如下工序在使铝或铝合金的熔点或固相线温度为TnTC的情况下，通过在大于或等于(Tm—300)。C而小于TnTC的温度下，在非氧化性气氛中对成型体进行加热处理，而获得加热处理体。Tm的值，在铝的情况下为66(TC，作为铝合金的一个例子，在铝一9质量％硅合金的情况下为577°C。在本发明的半导体装置用部件的制造方法中，优选加热压縮工序在非氧化性气氛中进行。本发明的另一个方面所涉及的半导体装置用部件的制造方法，具有如下工序。a)将铝或铝合金的粉末和碳化硅的粉末，以使碳化硅的含量大于或等于30质量％、而小于或等于85质量％的方式混合，而准备混合粉末。b)通过在铝或铝合金的第1和第2熔铸材料之间，配置所述混合粉末并进行成型，从而获得成型体。d)在使熔铸材料的熔点或固相线温度为Tmt:的情况下，将成型体加热至大于或等于(Tm—300)'C而小于Tm"C的温度，并对其进行轧制。根据本发明的另一个方面所涉及的半导体装置用部件的制造方法，可以在铝一碳化硅复合材料的一侧表面和另一侧表面，以较厚且无缺陷的状态，接合含有铝或铝合金而具有优良的韧性的表面层。在本发明的另一个方面所涉及的半导体装置用部件的制造方法中，优选第1和第2熔铸材料的平均厚度大于或等于O.lmm而小于或等于2.0mm。此外，在本发明的另一个方面所涉及的半导体装置用部件的制造方法中，优选在获得成型体的工序中，成型压力大于或等于(2X98)MPa。此外，本发明的另一个方面所涉及的半导体装置用部件的制造方法，优选在获得成型体的工序和加热轧制工序之间，还具有如下工序在铝或铝合金的熔点或固相线温度为TnTC的情况下，通过在大于或等于(Tm—300)'C而小于Tm"C的温度下，在非氧化性气氛中对成型体进行加热处理，而获得加热处理体。在本发明的另一个方面所涉及的半导体装置用部件的制造方法中，优选加热轧制工序在非氧化性气氛中进行。发明的效果如上所述，根据本发明，由于可以在由铝一碳化硅复合材料构成的基材的外表面、即一侧表面和另一侧表面上，以较厚且无缺陷的状态，接合含有铝或铝合金而具有优良韧性的表面层，因此可以获得一种低价的半导体装置用部件，其可以在表面上形成高品质的镀层，高温下(IOO'C)的热传导率大于或等于180W/(mK)，具有不会由螺栓紧固等造成开裂的程度的韧性，并且即使通过焊接而与其它部件接合，也不会由热应力造成脱焊。图1是作为本发明的一个实施方式，表示半导体装置用部件的概略剖面的剖面图。图2是作为使用了图1示出的半导体装置用部件的半导体装置的一个实施方式即功率器件的一个例子，表示搭载于车辆等中的绝缘栅型双极晶体管(IGBT)单元的概略剖面图。图3是作为使用了图1示出的半导体装置用部件的半导体装置的另一个实施方式的一个例子，表示计算机、服务器等的搭载了中央处理装置(CPU)单元或微处理器单元(MPU)的半导体集成电路元件芯片的半导体装置的概略剖面图。图4是表示用于测定作为表面层的Al层的剥离强度的实验方法的概略剖面图。图5是表示加热处理工序的加热温度，对热膨胀系数和温度IO(TC下的热传导率的影响的图。具体实施例方式对于可以满足上述全部5个要求特性的半导体装置用部件及其制造方法，发明人进行了深入研究，从而提出本发明。对于半导体装置用部件，通过在作为基材，在铝或铝合金中以颗粒状分散3085质量％的碳化硅的、原材料为粉末材料的铝一碳化硅复合材料的上下表面上，形成原材料为熔铸材料的铝或铝合金层作为表面层，可以获得铝一碳化硅复合材料和铝或铝合金层之间的接合强度大于或等于2kgf/mm2(2X9.8MPa),热膨胀系数大于或等于6.5X1(T6/K而小于或等于15X1(T6/K，IO(TC下的热传导率大于或等于180W/(m.K)的材料，并发现该材料满足所有的要求特性。图1是作为本发明的一个实施方式，表示半导体装置用部件的概略剖面的剖面图。如图1所示，半导体装置用部件1构成为具有基材ll，其由铝一碳化硅复合材料构成；以及表面层12,其与基材ll的一侧表面和该一侧表面相反侧的另一侧表面、即上下表面接合，含有铝或铝合金。图2是作为使用了图1示出的半导体装置用部件的半导体装置的一个实施方式即功率器件的一个例子，表示搭载于车辆等中的绝缘栅型双极晶体管(IGBT)单元的概略剖面图。如图2所示，本发明的半导体装置用部件1，作为散热基板(散热材料)，在其表面上形成镀层后，将其利用螺栓3固定在构成散热器的铝或铝合金基板2上。另一方面，绝缘层4经由焊锡层6固定在形成有镀层的半导体装置用部件1的上表面上，该绝缘层4由上下表面上形成有铜或铝层5的氮化铝(A1N)烧结体构成。在上表面形成有铜或铝层5的绝缘层5上，经由焊锡层6固定而搭载Si芯片7，Si芯片7在本例中，为包含绝缘栅型双极晶体管的半导体集成电路元件芯片。通过这样构成功率器件，由Si芯片7产生的热量，分别通过具有高热传导性的铜或铝层5、由氮化铝(A1N)烧结体构成的绝缘层4、铜或铝层5，传导至作为散热基板的本发明的半导体装置用部件1而发散出，由被实施水冷的散热器的构成部件、即铝或铝合金基板2吸收。此时，在本发明的半导体装置用部件1中，由于可以以较厚且无缺陷的状态，接合含有铝或铝合金的、韧性优良的表面层12(图1)，因此可以在表面上形成高品质的镀层，高温(IOO'C)下的热传导率大于或等于180W/(m，K)，具有不会由于利用螺栓3进行螺栓紧固等而发生开裂的程度的韧性，并且，即使利用焊锡层6与由氮化铝(A1N)烧结体构成的绝缘层4接合，也不会发生由热应力引起的脱焊。图3是作为使用了图1示出的半导体装置用部件的半导体装置的另一个实施方式的一个例子，表示计算机、服务器等的搭载了中央处理装置(CPU)单元或微处理器单元(MPU)的半导体集成电路元件芯片的半导体装置的概略剖面图。如图3所示，在半导体集成电路元件芯片与封装部件之间的电气接合中，使用焊锡球9(球栅阵列(BGA)方式)。CPU或MPU的Si芯片7，经由焊锡层6而固定在陶瓷基板8上，该陶瓷基板8上配置有多个焊锡球9，以作为配线端子使上下表面导通。在Si芯片7的上表面，经由焊锡层6固定本发明的半导体装置用部件1，其作为表面上形成有镀层的罩(盖)部件。半导体装置用部件1的周边部，以围绕Si芯片7的周围的方式配置，利用树脂等紧固在陶瓷基板8上。通过这样构成半导体装置，由Si芯片7产生的热量，传导至作为散热基板的本发明的半导体装置用部件1而发散出。此时，在本发明的半导体装置用部件1中，由于可以使含有铝或铝合金的、韧性优良的表面层12(图1),以较厚且无缺陷的状态接合，因此可以在表面上形成高品质的镀层，使其高温(IO(TC)下的热传导率大于或等于180W/(m.K)，并且，即使通过焊锡层6而与Si芯片7接合，也不会发生由热应力引起的脱焊。在作为构成本发明半导体装置用部件的基材的铝一碳化硅复合材料中，使碳化硅颗粒的含量为3085%的原因在于，如果小于30质量％，则热膨胀系数会变大，此外，如果超过85质量％，则难以致密化。通过在铝一碳化硅复合材料的上下表面形成铝或铝合金层，可以在外侧表面上形成高品质的镀层，获得良好的焊接性。使铝一碳化硅复合材料、和铝或铝合金层之间的接合强度大于或等于2kgf/mm2(2X9.8MPa)，是由于如果小于2kgf/mm2，则不仅会导致半导体装置用部件整体的热传导率降低，还会使螺栓紧固等时所需的韧性降低，使防止由热应力导致脱焊的效果减弱。接合强度优选大于或等于3kgf/mm2(3X9.8MPa)，更优选大于或等于5kgf/mm2(5X9.8MPa)。接合强度应当小于铝或铝合金的拉伸强度，例如小于或等于作为普通的铝软质材料的拉伸强度的10kgf/mm2(10X9.8MPa)。使热膨胀系数大于或等于6.5X10'"K而小于或等于15X10'6/K，是为了可以作为功率器件用部件，与所搭载的Si芯片、周围的部件等配合而在大范围内调整其热膨胀系数。此外，使温度10(TC下的热传导率大于或等于180W/(m'K)的原因在于，如果小于180W/(nrK)，则半导体装置用部件的热传导率低，会使半导体装置的性能下降，使寿命縮短。此外，发明人发现，如果使铝一碳化硅复合材料、和铝或铝合金层之间的分界面的一部分通过金属键结合，则可以进一步提高半导体装置用部件的热传导性和韧性，实现防止热应力向焊锡的集中。是否是通过金属键结合，可以利用透射电子显微镜等观察分界面的晶格像而确认。作为表面层的铝或铝合金层的平均厚度，优选大于或等于半导体装置用部件的平均厚度的2%而小于或等于30%。使铝或铝合金层的平均厚度大于或等于半导体装置用部件的平均厚度的2%而小于或等于30%，是由于如果小于半导体装置用部件的平均厚度的2%，则韧性以及热应力向焊锡的集中的缓解效果不充分，如果超过30%，则会使热膨胀系数过度地增大。还发现作为表面层的铝或铝合金层的厚度的波动，最好在铝或铝合金层的平均厚度的±30%以内。使厚度的波动在铝或铝合金层的平均厚度的±30%以内的原因在于，如果超过±30%，则不仅无法获得充分的韧性，而且会使热传导性和热膨胀系数的特性的波动变大。优选表面层的铝或铝合金的结晶组织是再结晶组织。如果表面层包含再结晶组织，则可以进一步提高韧性，此外，可以进一步减弱热应力向焊锡的集中。优选平均晶粒粒径大于或等于lnm而小于或等于500nm,更加优选大于或等于20nm而小于或等于200pm。表面层的铝合金只要是如下的铝合金即可，其含有从由Mg、Si、Ti、Cu、Zn、Mn、Cr、Fe以及Ni构成的群中选出的至少一种元素，元素的总含量大于或等于0.005质量％而小于或等于15质量％。例如，在要求表面层具有更高强度时控制晶粒粒径的情况下，也可以对铝进行合金化。在该情况下，可以添加从由Mg、Si、Ti、Cu、Zn、Mn、Cr、Fe、Ni构成的群中选出的至少一种元素，使添加量大于或等于0.005质量％而小于或等于15质量％，是由于如果小于0.005质量％，则没有添加的效果，如果超过15质量％，则该效果饱和。此外，在要求半导体装置用部件具有更高的热传导性的情况下，优选表面层的铝的纯度大于或等于99%。使纯度大于或等于99%的原因在于，如果小于99%则会使热传导性提高的效果较小。更加优选使铝的纯度大于或等于99.5%。优选表面层的铝或铝合金的硬度，大于或等于维氏硬度25而小于或等于185。使其维氏硬度大于或等于25而小于或等于185的原因在于，如果维氏硬度小于25，则难以通过螺栓紧固而固定，如果超过185，则会使韧性降低，同时使热应力集中的缓解效果减弱。更加优选表面层的铝或铝合金的维氏硬度大于或等于30而小于或等于120，此外，最优选大于或等于30而小于或等于70。如果本发明的半导体装置用部件的韧性优良，则不会由螺栓紧固等导致开裂，可以获得使焊接部的热应力集中的缓解效果增强等更优良的效果。作为其韧性的评价方法，例如具有如下方法。(A)在半导体装置用部件的表面，利用直径为12mm的超硬合金制钻头，一边涂敷切削油，一边钻出贯通孔。将M10的螺栓插入该孔中，在隔着垫片以10kgfm(98Nm)的扭矩紧固螺母时，表面层不会剥离，同时孔的周围不会发生龟裂。(B)在半导体装置用部件上使用100吨压力机通过冲压冲出直径为12mm的孔。此时，表面层不会剥离，同时孔的周围不会发生龟裂。(C)对半导体装置用部件进行三点弯曲试验。此时，表面层不会剥离，同时弯曲的位移量比对比材料大。(D)进行拉伸实验时的拉伸强度的威布尔分布的m值大于或等于5，优选其大于或等于15。在本发明的半导体装置用部件中，优选铝一碳化硅复合材料中的碳化硅颗粒的平均粒径大于或等于10pm而小于或等于15(Him。使平均粒径大于或等于lOpm而小于或等于15(Him的原因在于，小于10pm或大于15(Him，都会使铝或铝合金层难以接合性良好地与铝一碳化硅复合材料接合。此外，发明人发现，由于以上述方式在铝一碳化硅复合材料的上下表面设有铝或铝合金层的半导体装置用部件的焊接性良好，外表面具有镀层的半导体装置用部件，能够满足作为功率器件用的半导体装置用部件的所有要求特性。特别地，优选在表面上进行电镀，使镀层的厚度大于或等于O.lpm而小于或等于10pm，含有从由Ni、Cu、Ag、Au构成的群中选出的至少一种元素。在该情况下，使镀层的厚度大于或等于O.lpm而小于或等于10pm，是由于如果小于O.ljim，则不会充分地增强焊接性，如果超过l(Him，则相反会对焊接性产生不良影响。此外，由于如果镀层的表面粗糙度增高，则焊锡浸润性变差，因此优选其表面粗糙度Ra值小于或等于2pm。此外，对于镀层的表面粗糙度的下限值不特别限定，但如果考虑工业中可实现的表面粗糙度，则使Ra值为0.03nm。上述范围内的镀层表面粗糙度，是通过在形成镀层前预先进行机械研磨、化学研磨等实现的。在使半导体装置用部件的长边为Xmm，弯曲量为Ymm的情况下，优选半导体装置用部件的(Y/X)值小于或等于0.2X。如果(Y/X)的值超过0.2%，则其与其它部件的接合不充分，容易使热阻增大。此外，发明人发现，作为满足上述所有要求特性的半导体装置用部件的制造方法，是在铝一碳化硅复合材料的上下表面形成有铝或铝合金层的半导体装置用部件的制造方法中，至少具备如下工序将主要成分为铝或铝合金、以及碳化硅的原料粉末，以使碳化硅含量为整体的3085质量％的方式混合为混合粉末；在成型该混合粉末时，在上下设置铝或铝合金板，在其间设置混合粉末并进行成型，而成为成型体；以及，在使铝或铝合金板的熔点或固相线温度为Tm"C的情况下，将该成型体加热至大于或等于(Tm—lOO)'C而小于TnTC的温度，进行压縮。此外，发明人还发现，通过在成型体的制造工序中，在上下设置铝或铝合金，成为成型体，在使铝或铝合金板的熔点或固相线温度为Tmr的情况下，将该成型体加热至大于或等于(Tm—lOO)'C而小于TnTC的温度，并进行压缩，可以低成本地制造半导体装置用部件，其具有如下特性接合性优良、厚度波动小，不会对碳化硅颗粒造成龟裂等损伤，具有良好的韧性，热传导性优良，不会发生由热应力集中造成的脱焊，并且弯曲程度不大。根据本发明的制造方法，由于虽然是2轴的压縮，但能够获得如等静压压縮那样的效果，因此可以获得如上所述的特征。此外，由于工序数量少，因此可以低成本地获得具有优良特性的部件。在使铝或铝合金板的熔点或固相线温度为TnTC的情况下，使加热压縮温度大于或等于(Tm—100)'C而小于Tm"C，是由于如果小于(Tm—100)'C，则无法实现充分的接合性、韧性、热传导性以及小的弯曲量，如果大于或等于Tm'C,则会发生烧接在金属模具上、或产成液相等问题。优选铝或铝合金板的平均厚度大于或等于O.lmm而小于或等于2.0mm。使铝或铝合金板的平均厚度大于或等于O.lmm而小于或等于2.0mm的原因在于，如果小于O.lmm，则可能对碳化硅颗粒造成损伤，如果超过2.0mm，则由作为表面层而形成铝或铝合金层产生的效果饱和。如果成型工序的成型压力大于或等于2ton/cm2(2X98MPa)，则可以制造出接合性和热传导性更加优良的半导体装置用部件。此外，发明人发现，如果通过包含下述工序的方法进行制造，则可以使半导体装置用部件的热传导性和韧性更加优良，上述工序为在成型工序和加热压縮工序之间，在非氧化性气氛中，在使铝或铝合金板的熔点或固相线温度为Tm'C的情况下，在大于或等于(Tm—300)'C而小于Tm"C的温度下进行加热处理，而获得加热处理体。此外还发现，如果加热压縮工序在非氧化性气氛中进行，则可以进一步提高热传导性和韧性。此外，也可以在空气中或氧化性气氛中进行加热压縮工序。此外，发明人发现，作为本发明的其它制造方法，在上述制造方法中，取代在使铝或铝合金板的熔点或固相线温度为TnTC的情况下，将成型体加热至大于或等于(Tm—100)"C而小于TnTC的温度，并进行压縮的工序，而是使用在铝或铝合金板的熔点或固相线温度为TnTC的情况下，将成型体加热至大于或等于(Tm—300)。C而小于TnTC的温度，并进行轧制的工序，则也可以低成本地制造具有同样的特性、性能的半导体装置用部件。使加热轧制的温度在使铝或铝合金板的熔点或固相线温度为Tm'C的情况下，大于或等于(Tm—300)T而小于Tmt:，是由于如果小于(Tm—300)°C，则无法实现充分的接合性、韧性、热传导性以及小的弯曲量，如果大于或等于TnTC，则会发生烧接在轧辊上、或产生液相等问题。优选铝或铝合金板的平均厚度大于或等于O.lmm而小于或等于2.0mm。使铝或铝合金板的平均厚度大于或等于O.lmm而小于或等于2.0mm的原因在于，如果小于0.1mm，则可能对碳化硅颗粒造成损伤，如果超过2.0mm，则由作为表面层而形成铝或铝合金层产生的效果饱和。如果成型工序的成型压力大于或等于2ton/cm2(2X98MPa)，则可以制造出接合性和热传导性更加优良的半导体装置用部件。此外，在本发明的其它制造方法中，本发明人也发现，如果通过包含下述工序的方法进行制造，则可以使半导体装置用部件的热传导性和韧性更加优良，上述工序为在成型工序和加热轧制工序之间，在非氧化性气氛中，在铝或铝合金板的熔点或固相线温度为TnTC的情况下，在大于或等于(Tm—300)。C而小于Tm。C的温度下进行加热处理，而获得加热处理体的工序。此外，在本发明的其它制造方法中，发明人也发现，如果加热轧制工序在非氧化性气氛中进行，则可以进一步提高热传导性和韧性。此外，也可以在空气中或氧化性气氛中进行加热轧制工序。实施例(实施例1)将平均粒径为l(Him的铝(Al)粉末和平均粒径为15pm的碳化硅(SiC)粉末，改变混合比例而以如表1所示的SiC含量进行混合，将JIS标准1050的铝板配置在混合粉末的上下表面，即，通过以利用表1中示出的厚度的铝板夹持混合粉末的状态进行成型，制造成型体(成型工序)。混合粉末的成型是使用100吨压力机，对粉末施加72吨的载荷而以成型压力为2ton/cm2(2X98MPa)的方式进行的。将这样得到的成型体以加热至60(TC的状态，使用与制作成型体相同的压力机，向成型体施加72吨的载荷，以压縮压力为2ton/cm2(2X98MPa)的方式加热成型体并进行压縮(加热压縮工序)。这样，制作出长度60mmX宽度60mmX厚度5mm的试样。对各个试样，进行如下特性的评价。得到的特性如表1所示。此外，表1中的对比例47，在成型时没有将铝板配置在混合粉末的上下表面上。(I)Al层的厚度[mm]，A1层/试样的厚度比率[X]对最终获得的作为表面层的Al层的厚度(一个表面侧的厚度)进行测定，计算Al层厚度相对于试样厚度的比例。(II)A1层厚度的波动[X]对最终获得的表面层的厚度相对于厚度平均值的波动进行测定。(in)热膨胀系数[xi(y6/K]使用NETZSCH公司制的PIL—402PC，对切为4mmX4mmX20mm大小的试样进行加热，同时利用差动变压器对伸长进行检测，从而测定热膨胀系数。(IV)温度10(TC下的热传导率[W/(mK)]使用了/PA^夕理工公司制的热常数测定装置TC一700，通过激光闪烁法求出。具体地说，在切为直径10mmX厚度2mm大小的试样的一侧表面上，短时间地照射激光而施加热能，此时，由电热偶和InSb(锑化铟)红外线检测器测定试样的相反侧表面的非稳态温度变化，分别获得比热和热扩散率，求出热传导率。(V)Al层的剥离强度(接合强度)[X9.8MPa]图4是表示用于对作为表面层的Al层的剥离强度进行测定的试验方法的概略剖面图。如图4所示，Al层的剥离试验是以如下方式进行，将接合面的直径为10mm、拉伸试验的夹持部的直径为8mm的拉伸试验夹具20，利用住友只U—工厶株式会社制的商品名为只a、_y于々工》KDP460的粘接剂30，粘贴在试验材料1的上下表面上，该试验材料1是预先通过线切割将各个试样切割成直径为10mm的圆板而获得的，在粘接剂30硬化后，向箭头示出的方向拉伸，进行拉伸试验。作为拉伸试验机，使用具有拉伸轴校正机构的内向式拉伸试验机。通过该拉伸试验，测定直至使作为表面层12的Al层剥离为止的强度，由此对作为表面层12的Al层、和作为基材11的铝一碳化硅复合材料之间的接合强度进行评价。(VI)弯曲量的比例Y/X[%]对各个试样的相对于一条边的长度X二60[mm]的弯曲量Y[mm]进行测定，计算弯曲量相对于长度的比例。(VII)有无孔隙在各个试样的表面上电镀厚度为2pm的镍镀层，加热至温度25(TC后，观察有无孔隙。本发明例17和对比例12没有观察到产生孔隙的产生，但对比例47中都形成了孔隙。此外，分别电镀厚度为0.1pm10^im范围内的铜、银、金镀层而进行同样的试验，获得了同样的结果。(VIII)焊锡浸润性对形成有镍镀层的本发明例17的焊锡浸润性进行评价。评价方法为，将各个试样浸入加热至20(TC的共晶铅锡焊锡浴中后，拉起并观察焊锡的附着程度。浸入后，在镀层表面没有未附着焊锡的部分、焊锡附着良好的试样，其镀层的表面粗糙度Ra值小于或等于2pm。在镀层的表面粗糙度Ra值大于2pm的试样中，在镀层的表面上存在没有附着焊锡的部位。取代镍镀层，在本发明例17的各个试样的表面上电镀铜、银、金的镀层，并对其焊锡浸润性进行评价，获得了与上述相同的结果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>根据表1中示出的结果，SiC含量为3085质量％的本发明例17中，热膨胀系数为6.515X1(tVk，温度io(TC下的热传导率大于或等于180W/(m'K)。SiC含量小于30质量％的对比例12中，热膨胀系数大于15X1(T6/K。SiC含量大于85含量X的对比例3，无法进行制造。在本发明例17和对比例12中，(Y/X)的值小于或等于0.2%。此外，对表面电镀有厚度为2Mm的镍镀层的本发明例17的试样，和在对比例47中，在蒸镀厚度为3Mm的铝镀层后，同样地电镀厚度为2pm的镍镀层的试样，进行冷热循环试验(一4(TC150'C的温度范围)。其结果，对比例47在IOO次循环后全部观察到Al蒸镀层的剥离，但本发明例17在5000次循环后也没有观察到Al层的剥离。此外，如图4所示使用粘接剂，与上述同样地进行用于测定作为表面层的Al层的剥离强度的试验，进行剥离强度的测定，对比例47具有0.30.4kgf/mm2(0.3X9.80.4X9.8MPa)的剥离强度，但本发明例17全部具有超过2kgf/mm2(2X9.8MPa)的剥离强度。利用透射电子显微镜观察接合部，确认本发明例17的接合部的一部分通过金属键结合。此外，在表面镀有厚度为2pm的镍镀层的本发明例17的试样，和在对比例47中，在蒸镀厚度为3pm的铝镀层后，同样地电镀厚度为2pm的镍镀层的试样，使用锡(Sn)-3质量％银(Ag)-0.5质量％铜(Cu)合金作为焊锡材料，软钎焊表面上具有铜或铝层的A1N烧结体后，对各个试样进行冷热循环试验(一40。C15(TC的温度范围)。其结果，对比例47在IOO次循环后全部观察到焊锡结合部的脱焊，但本发明例17在10000次循环后也没有观察到焊锡结合部处的脱焊。(实施例2)在实施例1的各个试样上，一边涂敷润滑油一边使用钻头钻出直径为10.5mm的孔，插入M10的螺栓，在以10kgfm(98Nm)的扭矩紧固螺母的情况下，对比例57发生开裂，但本发明例57则没有开裂，此外，即使使扭矩增加至15kgf*m(15X9.8N*m)也没有发生开裂。观察本发明例57的作为表面层的铝层的结晶组织，其平均晶粒分别为84pm、158jxm、34pm。(实施例3)使SiC的含量为60质量％，使SiC粉末的平均粒径在5pm、10nm、80pm、150pm、200pm之间变化，使铝层的厚度在0.050mm、O.lOOmm、0.500mm、l.OOOmm、2.000mm、2.500mm之间变化，以与实施例1相同的方法制造试样。与实施例1同样地对各个试样的温度IO(TC下的热传率、Al层厚度的波动、弯曲量的比例进行测定。其测定结果如表2、表3以及表4所示。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>表4弯曲量的比例(Y/X)[%]<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>根据表2、表3以及表4示出的结果，在SiC粉末的平均粒径为5pm的情况下，热膨胀系数相同，温度IO(TC下的热传导率比其它粒径的情况小。此外，在SiC粉末的平均粒径为20(Him的情况下，在铝层的厚度为0.050mm时，由于铝层的厚度不均匀而形成较薄的部分。在铝层的厚度大于2.500mm的情况下，观察到弯曲变大的倾向。(实施例4)通过在表1中示出的本发明例17的制造方法中，使成型压力变化而制作试样。研究成型压力对热膨胀系数和温度IO(TC下的热传导率产生的影响。热膨胀系数和热传导率的测定，以与实施例1同样的方式进行。其结果如表5所示。表5中的"a"和"K"，分别表示热膨胀系数和热传导率。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>根据表5中示出的结果可知，如果成型压力升高，则热膨胀系数减小，温度IOO'C下的热传导率增高。此外，对本发明例5中在成型压力为98MPa和2X98MPa的情况下获得的试样的韧性进行评价。韧性评价方法为，在试样上一边涂敷润滑油一边使用钻头钻出直径为10.5mm的孔，插入M10的螺栓，以20kgf*m(2X98N*m)的扭矩紧固螺母时，通过试样开裂的数量占总数的比例进行评价。在成型压力为2X98MPa的情况下，开裂试样的数量的比例，是成型压力为98MPa的情况下的20%。可以看出，如果提高成型压力，则韧性上升。(实施例5)在表1中示出的本发明例17的制造方法中，在成型工序和加热*压縮工序之间，将成型体在氮气气氛中以温度60(TC热处理5小时，除此之外的工序与实施例1相同地制造试样。研究作为中间工序的加热处理工序，对热膨胀系数和温度IO(TC下的热传导率产生的影响。热膨胀系数和热传导率的测定，以与实施例1同样的方式进行。其结果如表6所示。表6中的"a"和"K"分别表示热膨胀系数和热传导率。<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>根据表6所示的结果可知，如果作为中间工序进行加热处理工序，则可以提高热传导率。此外，在本发明例5中，分别对具有和没有加热处理工序的试样的韧性进行评价。韧性评价方法为，在试样上一边涂敷润滑油一边使用钻头钻出直径为10.5mm的孔，插入M10的螺栓，以20kgfm(2X98N*m)的扭矩紧固螺母时，通过试样开裂的数量占总数的比例进行评价。在具有加热处理工序的情况下开裂试样的数量的比例，是没有加热处理工序的情况下的10%。可以看出，如果作为中间工序进行加热工序，则可以提高韧性。此外，在表1中示出的本发明例3和本发明例5中，通过在成型工序和加热压縮工序之间进行的氮气气氛中的加热处理工序中，使加热温度变化，研究该加热温度对热膨胀系数和温度IO(TC下的热传导率产生的影响。热膨胀系数和热传导率的测定，以与实施例1同样的方式进行。其结果如图5所示。在图5中，横轴表示加热温度，左纵轴表示热传导率K，右纵轴表示热膨胀系数a。根据图5中示出的结果可知，如果在大于或等于(Tm—300)°C(上述本发明例3和本发明例5约为大于或等于350°C)的加热温度下进行加热处理工序作为中间工序，则可以提高热传导率。(实施例6)将平均粒径为l(Him的铝(Al)粉末和平均粒径为15pm的碳化硅(SiC)粉末，改变混合比例而以如表7所示的SiC含量进行混合，将符合JIS标准1050的铝板配置在混合粉末的上下表面，即，通过以利用表7中示出的厚度的铝板夹持混合粉末的状态进行成型，制造成型体(成型工序)。混合粉末的成型是使用100吨压力机，向粉末施加72吨的载荷而以成型压力为2ton/cm2(2X98MPa)的方式进行。将这样得到的成型体在加热至600t:的状态下，以5%的加工率进行5次热轧，对成型体进行加热并轧制(加热轧制工序)。这样，制作出长度60mmX宽度60mmX厚度5mm的试样。对各个试样，以与实施例1同样的方式进行各个特性的评价。得到的特性如表7所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>此外，在各个试样的表面上电镀厚度为2pm的镍镀层，加热至温度250'C后，观察有无孔隙，但没有观察到孔隙的产生。此外，对表面上镀有厚度为2pm的镍镀层的各个试样进行冷热循环试验(一4(TC15(TC的温度范围)，经过5000次循环后也没有观察到Al层的剥离。此外，在表面上镀有厚度为2pm的镍镀层的各个试样上，使用锡(Sn)—3质量％银(Ag)—0.5质量％铜(Cu)合金作为焊锡材料，焊接表面具有铜或铝层的A1N烧结体后，对各个试样进行冷热循环试验(一4(TC15(TC的温度范围)，经过10000次循环后也没有观察到焊锡结合部的脱焊。以上公开的实施方式和实施例的所有内容仅是一个例子，并不仅限于此。本发明的范围，并不仅限于上述实施方式和实施例，还包括根据权利要求书示出的、与权利要求书均等的含义、以及在范围内进行的全部修正和变形。工业实用性本发明的半导体装置用部件，可以用于如下半导体装置中的散热器材料、罩(盖)材料等散热部件，上述半导体装置包括，搭载于车辆等中的绝缘栅型双极晶体管(IGBT)单元等称为功率器件的半导体装置，以及计算机、服务器等搭载有中央处理装置(CPU)单元或微处理器单元(MPU)的半导体集成电路元件芯片的半导体装置等。权利要求1.一种半导体装置用部件(1)，其热膨胀系数大于或等于6.5×10-6/K而小于或等于15×10-6/K，温度100℃下的热传导率大于或等于180W/(m·K)，其具有基材(11)，其由原材料为粉末材料的铝-碳化硅复合材料构成，该铝-碳化硅复合材料是将颗粒状的碳化硅分散在铝或铝合金中而成，其碳化硅的含量大于或等于30质量％而小于或等于85质量％，并且该基材(11)具有一侧表面、和该一侧表面相反侧的另一侧表面；以及表面层(12)，其与所述基材(11)的一侧表面和另一侧表面接合，其含有原材料为熔铸材料的铝或铝合金。2.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述基材(11)和所述表面层(12)之间的接合强度大于或等于(2X9.8)MPa。3.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述基材(11)和所述表面层(12)，其分界面的至少一部分通过金属键接合。4.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述表面层(12)的平均厚度大于或等于该半导体装置用部件(1)的平均厚度的2%而小于或等于30%。5.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述表面层(12)的厚度的波动在所述表面层(12)的平均厚度的±30%以内。6.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述表面层(12)含有铝或铝合金的再结晶组织。7.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述表面层(12)的铝合金，含有从由镁、硅、钛、铜、锌、锰、铬、铁以及镍构成的群中选出的至少一种元素，元素的总含量大于或等于0.005质量％而小于或等于15质量％。8.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述表面层(12)的铝的纯度大于或等于99%。9.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述表面层(12)的硬度大于或等于维氏硬度25而小于或等于185。10.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述碳化硅颗粒的平均粒径大于或等于10pm而小于或等于150,。11.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，还具有形成于外表面的镀层。12.根据权利要求11所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述镀层含有从由镍、铜、银以及金构成的群中选出的至少一种元素，厚度大于或等于O.lnm而小于或等于10pm。13.根据权利要求11所述的半导体装置用部件(1)，其中，所述镀层的表面粗糙度，其Ra值小于或等于2)tim。14.根据权利要求1所述的半导体装置用部件(1)，其中，在使该半导体装置用部件(1)的长边为Xmm，弯曲量为Ymm的情况下，(Y/X)的值小于或等于0.2%。15.—种半导体装置用部件(1)的制造方法，其具有如下工序:将铝或铝合金的粉末和碳化硅的粉末，以使碳化硅的含量大于或等于30质量％而小于或等于85质量％的方式混合，准备混合粉末；通过在铝或铝合金的第1和第2熔铸材料之间，配置所述混合粉末并进行成型，从而获得成型体；以及在使熔铸材料的熔点或固相线温度为TnTC的情况下，将所述成型体加热至大于或等于(Tm—100)r而小于TnTC的温度，对其进行压縮。16.根据权利要求15所述的半导体装置用部件(1)的制造方法，其中，所述第1和第2熔铸材料的平均厚度大于或等于O.lmm而小于或等于2.0mm。17.根据权利要求15所述的半导体装置用部件(1)的制造方法，其中，在获得所述成型体的工序中，成型压力大于或等于(2X98)MPa。18.根据权利要求15所述的半导体装置用部件(1)的制造方法，其中，在获得所述成型体的工序和所述加热压縮工序之间，还具有如下工序在使铝或铝合金的熔点或固相线温度为Tm'C的情况下，通过以大于或等于(Tm—300)'C而小于Tm。C的温度，在非氧化性气氛中对所述成型体进行加热处理，获得加热处理体。19.根据权利要求15所述的半导体装置用部件(1)的制造方法，其中，所述加热压縮工序在非氧化性气氛中进行。20.—种半导体装置用部件(1)的制造方法，其具有如下工序将铝或铝合金的粉末和碳化硅的粉末，以使碳化硅的含量大于或等于30质量％而小于或等于85质量％的方式混合，准备混合粉末；通过在铝或铝合金的第1和第2熔铸材料之间，配置所述混合粉末并进行成型，从而获得成型体；以及在使所述熔铸材料的熔点或固相线温度为TnTC的情况下，将成型体加热至大于或等于(Tm—300)。C而小于TnTC的温度，进行轧制。21.根据权利要求20所述的半导体装置用部件(1)的制造方法，其中，所述第1和第2熔铸材料的平均厚度大于或等于O.lmm而小于或等于2.0mm。22.根据权利要求20所述的半导体装置用部件(1)的制造方法，其中，在获得所述成型体的工序中，成型压力大于或等于(2X98)MPa。23.根据权利要求20所述的半导体装置用部件(1)的制造方法，其中，在获得所述成型体的工序和所述加热轧制工序之间，还具有如下工序在使铝或铝合金的熔点或固相线温度为Tm"C的情况下，通过以大于或等于(Tm—300)T而小于Tm"的温度，在非氧化性气氛中对所述成型体进行加热处理，获得加热处理体。24.根据权利要求20所述的半导体装置用部件(1)的制造方法，其中，所述加热轧制工序在非氧化性气氛中进行。全文摘要本发明提供一种低价的半导体装置用部件及其制造方法，该半导体装置用部件可以在表面上形成高品质的镀层，高温(100℃)下的热传导率大于或等于180W/(m·K)，具有不会由螺栓紧固等导致开裂程度的韧性，并且，即使通过焊接而与其它部件接合，也不会由热应力导致脱焊。半导体装置用部件(1)，其热膨胀系数大于或等于6.5×10^-6/K而小于或等于15×10^-6/K，温度100℃下的热传导率大于或等于180W/(m·K)，其具有基材(11)，其由原材料为粉末材料的铝-碳化硅复合材料构成，该铝-碳化硅复合材料是将颗粒状的碳化硅分散在铝或铝合金中而成，其碳化硅的含量大于或等于30质量％而小于或等于85质量％；以及表面层(12)，其与基材(11)的上下表面接合，其含有原材料为熔铸材料的铝或铝合金。文档编号C22C1/05GK101107707SQ200680002780公开日2008年1月16日申请日期2006年1月11日优先权日2005年1月20日发明者福井彰申请人:联合材料公司