专利名称：SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织的制备方法，特别是用于 SiCp/AZ61镁基复合材料半固态触变成形的重熔组织的制备方法。
技术背景SiC颗粒增强镁基复合材料具有重量轻，比强度、比刚度高、低热膨胀系数、优良的耐磨性和抗疲劳性以及成本低等优异的综合性能，被普遍认为是一种较理想的结构材料。但是SiC颗粒引入，使得镁基复合材料在提高强度、硬度、弹性模量的同时，却大大地降低了其塑性，不利于对其二次塑性加工。然而随着半固态触变成形技术和 理论不断成熟与发展，为镁基复合材料的半固态触变成形开拓了新的发展方向。半固态触变成形工艺中有如下三个关键工序(1)非枝晶坯料的制备；(2)坯料 的重熔；(3)触变成形。其中坯料的重熔工艺是整个触变成形的关键，而重熔组织的 好坏对其触变成形有重要的影响。中国专利申请200710068156.3中公开了一种用半固态的方法制备SiCp/AZ61镁基 复合材料，该复合材料微观结构好，不但气孔较少，而且SiC颗粒分布非常均匀。 发明内容本发明目的在于提供一种中国专利申请200710068156.3中所述的SiCp/AZ61镁基 复合材料重熔组织的制备方法。本发明所述的SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织的制备，是以该SiCp/AZ61镁基 复合材料作为制备材料，釆用半固态等温热处理法进行重熔组织的制备，其重熔加热 温度取595。C 600。C、保温时间取30 rain 60min。本发明所述的重熔加热，是在电阻炉中进行的。由于镁合金在高温时易燃烧，本发明所述的制备方法的加热过程，是在石墨覆盖 的条件下进行的，也可以在气体(氩气)保护下进行。本发明在中国专利申请200710068156. 3中公开的SiCp/AZ61镁基复合材料的基础 上，采用半固态等温热处理法，工艺简单，操作方便，使传统触变成形的三步骤变为 二步骤(坯料的重熔、触变成形)。该制备方法所得到的SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织，其球状晶粒组织比较好， 能获得了细小而均匀的半固态球状重熔组织，完全满足其触变成形的要求，而且工艺
简单、安全可靠，无三废污染。
图1为重熔温度595°C，保温时间30min条件下的重熔组织结构图。 图2为重熔温度595°C，保温时间60min条件下的重熔组织结构图。 图3为重熔温度600°C，保温时间30min条件下的重熔组织结构图。 图4为重熔温度600°C，保温时间60min条件下的重熔组织结构图。
具体实施方式
本发明将通过以下实施例作进一步的说明。 实施例1。取重熔温度为595°C，保温时间为30min，重熔是在井式电阻炉中，在石墨覆盖的 条件下进行的，其得到的重熔组织结构如图l所示。 实施例2。取重熔温度为595°C，保温时间为60min，重熔是在箱式电阻炉中，在石墨覆盖的 条件下进行的，其得到的重熔组织结构如图2所示。 实施例3。取重熔温度为60(TC，保温时间为30min，重熔是在箱式电阻炉中，在石墨覆盖的 条件下进行的，其得到的重熔组织结构如图3所示。 实施例4。取重熔温度为600°C 保温时间为60min，重熔是在井式电阻炉中，在石墨覆盖的 条件下进行的，其得到的重熔组织结构如图4所示。
权利要求
1、一种SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织的制备方法，在电阻炉中、用石墨覆盖SiCp/AZ61镁基复合材料的条件下进行重熔，其特征是重熔加热温度为595℃～600℃、保温时间为30min～60min。
全文摘要
一种SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织的制备方法，在电阻炉中、用石墨覆盖SiCp/AZ61镁基复合材料的条件下进行重熔，其特征是重熔加热温度为595℃～600℃、保温时间为30min～60min，本发明所述的制备方法得到的SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织，球状晶粒组织比较好，能获得了细小而均匀的半固态球状重熔组织，完全满足其触变成形的要求，而且工艺简单、安全可靠，操作方便，使传统触变成形的三步骤变为二步骤(坯料的重熔、触变成形)，且无三废污染。
文档编号C22C23/00GK101130836SQ200710071589
公开日2008年2月27日 申请日期2007年9月30日 优先权日2007年9月30日
发明者张发云, 洪 闫 申请人:南昌大学