专利名称：腐蚀槽鼓泡装置及腐蚀槽的制作方法
技术领域：
腐蚀槽鼓泡装置及腐蚀槽技术领域：
本实用新型涉及基片生产的腐蚀过程中使用的搅动装置，尤其是涉及一种 腐蚀槽中使用的鼓泡装置。本实用新型还涉及一种具有鼓泡装置的腐蚀槽。背景4支术在半导体的生产过程中，需要将硅片上的铝去掉。目前常用的做法是将硅 片设置于搁置架中，再将搁置架置于磷酸槽中，通过化学反应将铝去掉。在磷 酸槽里发生化学反应的时候，为了防止由于局部酸液的浓度不均匀而导致腐蚀 速度不一致，出现硅片上有些地方腐蚀过快而钻蚀，有些地方铝又没有完全被 腐蚀掉，引起搁置架印痕、浮胶等质量问题，需要不断地抖动搁置架。现有技术是通过设置在清洗酸槽上方的抖动装置(由电机和一系列机械传动机构组成)，利用夹具带动搁置架按照一定^L律抖动。现有抖动装置的不足之 处在于1.所用的材料必须是抗强酸强碱腐蚀的，否则会被腐蚀掉；2.在抖 动时偶尔会有灰尘或者颗粒物掉到酸槽里造成沾污；3.因为所用的材料要求比 较高，所以整个装置的成本较高；4.搁置架"H"动的轨迹曲线很难符合实际生产 的要求，如果电机转速过高，搁置架的晃动会比较大，容易造成里面的硅片损 伤或者损坏。
实用新型内容本实用新型的目的是针对现有技术的不足，提供一种简单易行、成本低廉、 同时可达到均匀腐蚀效果的腐蚀槽鼓泡装置。本实用新型的另一目的是提供一种具有鼓泡装置的腐蚀槽。 为了解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案一 种腐蚀槽鼓泡装置，所述鼓泡装置为一板状物，其一侧设有至少一个进气口和至少一个出气口 ，其内部设有一连接所述出气口和进气口的通道。在本实用新型的优选方案中，所述的腐蚀槽鼓泡装置，其中，所述板状物为腐蚀槽槽体的一部分。所述的腐蚀槽鼓泡装置，其中，所述板状物上还包含至少一个提取该装置的手柄。所述的腐蚀槽鼓泡装置，其中，所述出气口均匀设置，孔径为0.75-0. 9訓。 所述的腐蚀槽鼓泡装置，其中，所述出气口之间的间距为7-8mm。一种具有鼓泡装置的腐蚀槽，包含腐蚀槽，还包含有一设置在所述腐蚀槽 底部的鼓泡装置，所述鼓泡装置上设有至少一个进气口和至少一个出气口，其 内部设有一连接所述出气口和进气口的通道。在本实用新型的优选方案中，所述的腐蚀槽，其中，所述鼓泡装置为一放 置于所述腐蚀槽内的板状物。所述的腐蚀槽，其中，所述板状物上还包含至少一个提取该装置的手柄。所述的腐蚀槽，其中，所述鼓泡装置为所述腐蚀槽底壁和/或侧壁的一部分。 所述的腐蚀槽，其中，所述出气口均匀"&置，孔径为0. 75-0. 9mm。 本实用新型具有以下有益效果1. 本实用新型结构简单、成本低。2. 本实用新型的鼓泡装置采用通入气体后喷出气体的鼓泡方式，可使酸槽 里面的酸的浓度一直保持4艮好的 一致性；3. 本实用新型的出气口为均匀设置的细孔，细孔可增大喷出气体的压力， 保证能够搅动上层酸液；细孔均勻设置可保证鼓泡尽量均匀，更好地保证酸液 的一致性。4. 本实用新型在腐蚀的过程中操作员只需要站在旁边控制腐蚀的终点即 可，不需要再去抖动，大大减少了劳动强度；5. 本实用新型使用高纯度的氮气(N2),不会因此带来沾污。6. 本实用新型可为腐蚀槽槽体底部和/或侧壁的一部分，气体从底部和/或 侧壁冒出，能够更好地保证酸液的一致性。以下结合附图对本实用新型进行进一步的说明。
图1为本实用新型鼓泡装置的示意图 图2为
图1的俯3见图和局部剖#见图图3为本实用新型鼓泡装置使用状态示意图图4为本实用新型鼓泡装置与腐蚀槽一体^1置的示意图其中I- 鼓泡装置 13-通道 21-底部II- 进气口 14-手柄 22-侧壁 12-出气口2-腐蚀槽具体实施方式本实用新型为设置于腐蚀槽底部的鼓泡装置(可以搁置于腐蚀槽底壁或构 成腐蚀槽底壁的一部分)，均匀冒出的气泡对酸液进行搅动，使得酸液浓度均匀， 无需再抖动放置在腐蚀槽中的硅片搁置架。实施例一如
图1和图3所示，本实施例的鼓泡装置1为搁置于腐蚀槽2底部的，形 状与腐蚀槽底壁21形状相适应的板状物。该装置的上表面设有至少一个进气口 ll和一个出气口 12，该装置内部则有通道13连通进气口 ll和出气口 12，使得 进气口 ll通入的气体从出气口 12中冒出而在腐蚀槽2中产生气泡，搅动酸液， 达到浓度的一致性。本装置通入的气体为高纯度的氮气(N2)，采用纯度的氮气(N2)可以避免 污染。如图3所示，为了保证鼓泡的效果，鼓泡装置1最好设置在腐蚀槽2的底 部，气泡从腐蚀槽2的底端冒出，从下到上地搅动酸液。如图2所示，为了保证搅动的效果，出气口 12最好为细孔，如0. 75-0. 9mm, 以保证出气口 12喷气体的压力，确保能够搅动最上端的酸液。为了搅动酸液更为均匀，出气口 12最好为均匀设置的多个，在多个点同时产生气泡，出气口 12 之间的间距7-8mm时效果比较好，优选间距为7mra。此时通道13可以扩大为一 空腔。为了保证进气的速度，进气口 ll的孔径应比较大，如10tnm。为了使得气体 到达各出气口 12的压力和速度比较均匀，可在该装置1的两端各设置一个进气 口 11。进气口 11设置在两端也可以防止接入气体的管道阻挡操作员进行硅片的 腐蚀操作。实施例二在实施例一的基础上，为了方便取出鼓泡装置l，可在鼓泡装置l上设置一 个或两个手柄14。同样手柄14的设置最好不要防碍到操作员进行硅片的腐蚀操 作。实施例三本实用新型将鼓泡装置与腐蚀槽2 —体制造。如图4所示，鼓泡装置即为 腐蚀槽底壁21的一部分。在底壁21的内壁设有进气口 11和出气口 12，底壁 21的夹层设有通道13连通进气口 ll和出气口 12。如图2所示，为了保证搅动的效果，出气口 12最好为细孑L,如0. 75-0. 9咖， 以保证出气口 12喷出气体的压力，确保能够搅动最上端的酸液。为了搅动酸液 更为均匀，出气口 12最好在腐蚀槽底壁21的内壁均匀设置的多个，在多个点 同时产生气泡，出气口 12之间的间距7-8mm时效果比较好，优选间距为7mm。 此时通道13可以扩大为一空腔。为了保证进气的速度，进气口 ll的孔径应比较大，如10ram。为了使得气体 到达各出气口 12的压力和速度比较均匀，可设置两个进气口 11。进气口 11可 以设置在底壁21的内壁两端，也可以设置在腐蚀槽侧壁22的夹层内。进气口 11设置在底壁21的内壁两端可以防止接入气体的管道阻挡才喿作员进行硅片的腐 蚀操作。当进气口 11设置在腐蚀槽侧壁22夹层内时，进气管道也可以位于腐 蚀槽侧壁22夹层中。当然，在本实施例中，进气口 ll和出气口 12也可以设置在腐蚀槽侧壁22 上，或同时设置在腐蚀槽底壁21和侧壁22上，可以达到更好的搅动效果。以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和 详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是， 对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以 做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型 专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求1.一种腐蚀槽鼓泡装置，其特征在于所述鼓泡装置为一板状物，其一侧设有至少一个进气口和至少一个出气口，其内部设有一连接所述出气口和进气口的通道。
2. 如权利要求1所述的腐蚀槽鼓泡装置，其特征在于所述寺反状物为腐蚀 槽槽体的一部分。
3. 如权利要求1所述的腐蚀槽鼓泡装置，其特征在于所述板状物上还包 含至少 一个提取该装置的手柄。
4. 如权利要求1至3任一所述的腐蚀槽鼓泡装置，其特征在于所述出气 口均匀设置,孔径为0. 75-0. 9咖。
5. 如权利要求1至3任一所述的腐蚀槽鼓泡装置，其特征在于所述出气 口之间的间距为7—8mm。
6. —种具有鼓泡装置的腐蚀槽，包含腐蚀槽，其特征在于还包含有一设 置在所述腐蚀槽底部的鼓泡装置，所述鼓泡装置上设有至少一个进气口和至少 一个出气口，其内部设有一连接所述出气口和进气口的通道。
7. 如权利要求6所述的腐蚀槽，其特征在于所述鼓泡装置为一^t置于所 述腐蚀槽内的板状物。
8. 如权利要求7所述的腐蚀槽，其特征在于所述板状物上还包含至少一 个提取该装置的手柄。
9. 如权利要求6所述的腐蚀槽，其特征在于所述鼓泡装置为所述腐蚀槽 底壁和/或侧壁的一部分。
10. 如权利要求7-9任一所述的腐蚀槽，其特征在于所述出气口均匀设 置，孔径为0. 75-0. 9mm。
专利摘要本实用新型提供了一种鼓泡装置以及具有鼓泡装置的腐蚀槽。鼓泡装置为一板状物，其一侧设有至少一个进气口和至少一个出气口，其内部设有一连接所述出气口和进气口的通道。该装置可以搁置在腐蚀槽的底壁也可以为腐蚀槽槽体的一部分。出气口可以为均匀设置的多个细孔。本实用新型简单易行、成本低廉，可达到均匀腐蚀效果。
文档编号C23F1/08GK201162047SQ200820092369
公开日2008年12月10日 申请日期2008年3月3日 优先权日2008年3月3日
发明者王友旺 申请人:深圳深爱半导体有限公司