用于形成软膏抛光垫的方法和装置的制作方法

专利名称：用于形成软膏抛光垫的方法和装置的制作方法
用于形成软膏抛光垫的方法和装置相关申请的交叉引用本申请根据35U.S.C. § 119(e)要求2007年12月31日提交的美国临时申请序列 号第11/967818号的优先权权益。
背景技术：
本发明涉及一种诸如用于抛光半导体器件的新型软膏垫构造，以及制造该新型软 膏垫的方法和制造该软膏垫所用的装置。诸如但不限于绝缘体上的半导体(SOI)结构的半导体器件制备成可有相对平坦 的半导体层可利用，在该半导体层上形成电子部件。SOI技术对于在包括有机发光二极管 (OLED)显示器、液晶显示器(LCD)、有源矩阵显示器在内的显示器，集成电路，光伏器件，薄 膜晶体管应用等中的使用变得日益重要。最通常用于绝缘体结构上的半导体的半导体材料是硅。SOI结构可包括绝缘材料 上的基本上为单晶硅的一个薄层(通常0. 05-0. 3微米厚，但在某些情况下厚5微米)。用 于在多晶硅上形成TFT的现有技术工艺致使硅的厚度在约50nm数量级。如稍后将讨论的那样，可通过控制将硅层键合到衬底(例如玻璃或玻璃陶瓷衬 底)的工艺参数来调整硅层厚度。在显示器应用中，硅层厚度通常在50-150nm范围内。除 了硅层厚度之外，硅层的表面粗糙度对于获得高性能TFT也是很关键的。在将硅层刚刚键 合到衬底(所谓的“制造状态” S0I)之后表面粗糙度通常在I-IOnm范围内。因此，通常进 行后续工艺来降低半导体(硅)层厚度并降低硅层粗糙度。以下将讨论这些工艺。缩写SOI在此总地用于指绝缘体上的半导体结构，包括但不限于绝缘体上的硅结 构。类似地，缩写SiOG可总地用于指玻璃上的半导体结构，包括但不限于玻璃上的硅和/ 或玻璃陶瓷上的硅结构。SOI结构包含SiOG结构。得到SOI的各种方法包括硅(Si)在晶格匹配衬底上的外延生长。一种替代工艺 包括将单晶硅晶片键合到已经生长Sio2W氧化层的另一硅晶片上，接着将顶部晶片向下抛 光或蚀刻成例如0. 05至0. 3微米的单晶硅层。其它方法包括离子注入方法，其中注入氢离 子或氧离子，以在注入氧离子的情况下在由Si覆盖的硅晶片内成形埋入的氧化层，或在注 入氢离子的情况下将薄Si层分离(剥离)以键合到具有氧化层的另一 Si晶片上。前两种方法在成本和/或键合强度和耐久性方面并未产生令人满意的结构。包括 氢离子注入的后一种方法已经引起了一定的关注，并被认为优于前面的方法，因为所需要 的注入能量小于氧离子注入的50%且所需要的剂量要低两个量级。美国专利第5，374，564号揭示了一种使用热处理获得衬底上的单晶硅膜的工艺。 具有平坦面的硅晶片经受以下步骤(i)通过离子对硅晶片表面的轰击注入形成一层气体 微泡，气体微泡限定构成硅晶片的下部区域和构成薄硅膜的上部区域；(ii)用刚性材料层 (诸如绝缘氧化材料)接触硅晶片的平坦表面；以及(iii)对硅晶片和绝缘材料的组件热 处理的第三阶段，热处理的温度在进行离子轰击的温度以上。该第三阶段采用足以将硅薄 膜和绝缘材料键合到一起的温度，以形成微泡内的压力效应，并使薄硅膜与硅晶片的其余部分分离。(由于这些高温步骤，该工艺不能用于较低成本的玻璃或玻璃陶瓷衬底)。美国专利第7，176，528号中揭示了一种生产SiOG结构的工艺。步骤包括(i)将 硅晶片表面暴露于氢离子注入以形成键合表面；(ii)使晶片的键合表面与玻璃衬底接触； (iii)对晶片和玻璃衬底施加压力、温度和电压以促进其间的键合；以及(iv)将结构冷却 到常温以便于玻璃衬底和硅薄层与硅晶片分离。如果在注入之前在硅表面上没有氧化的话，通过调节注入能量，可将半导体(例 如硅)层厚度降低到300-500nm，这对于SiOG工艺来说是理想的。应当将该层从300-500nm 的厚度降低到小于约lOOnm。在刚剥离后形成的SOI结构可能呈现表面粗糙(例如约IOnm或更大)、过大的硅 层厚度(即使认为该层“薄”)以及硅层的注入损坏(例如由于形成非晶化硅层)。非晶化 硅层的厚度可以是约50-150nm且应当将非晶化硅层去除以得到用于后来形成的电子部件 的所要求的电子特性。化学机械抛光(CMP)是在硅层已经从施主硅晶片剥离之后减薄硅层厚度、降低硅 层粗糙度并去除非晶化硅层的典型工艺。使用与包含研磨膏的织物抛光垫(有时是纤维 的)联接的研磨膏来完成用于SiOG结构应用的CMP。研磨膏是研磨颗粒和液体载体的混合 物，液体载体可能是去离子水。抛光垫键合(通过粘结剂)到转动压板。所要抛光的SOI 结构和抛光垫经受泵吸的浆液流，且通过将充有研磨剂的抛光垫强制抵靠SOI的半导体材 料，致使半导体表面的材料去除并随后抛光来完成抛光作用。在大多数情况下，压板和所要抛光的SOI结构是平坦构造。形成抛光垫形成并将 其组装到压板，使形成的垫表面光滑且均勻，没有否则会产生抛光均勻性问题的褶皱或表 面不规则。在平坦抛光垫的情况下，相对直接的任务是切割该垫并将该垫安装到平坦抛光 压板。垫的形式切割成符合压板(是平坦的)的轮廓，并用压敏粘合剂将该垫键合到压板。 在大多数情况下，抛光垫和压板(以及其帽)是平坦的圆形几何形状。在更近期的研究开发中，将抛光垫安装到半圆形帽上，该半圆形帽使切向工具能 够接触抛光诸如透镜之类的球形形状。切向工具接触工艺也可用于抛光诸如SOI结构的平 坦表面。这通常通过确定性抛光来进行，确定性抛光是其中抛光垫的接触面积比SOI结构 的需要抛光的面积显著小的研磨工艺。通过将帽转动(以及附连的抛光垫)并同时沿SOI 的半导体层的轮廓以预定扫描模式来移动该帽来进行材料去除工艺。尽管有不同的扫描模 式可用，最通用的模式是一系列紧密间隔的平行线(光栅)，类似于常规电视机的阴极射线 管上的扫描线模式。对SOI减薄和降低粗糙度的要求相当严格。要求最终半导体层厚度控制在约 士8nm的精确度。半球形帽的曲率半径引起将平坦抛光垫以顺滑无褶皱方式牢固地安装到 圆弧形帽的挑战，褶皱会对抛光工艺产生不利影响。褶皱和/或抛光垫的其它不规则性可 能不利地影响抛光工艺，就像帽的转动偏移会对材料去除产生重大影响。应当理解，抛光垫 转动的任何偏心度(来自帽本身、垫上的褶皱、对准问题等)会致使半导体层的厚度变化。 业已发现，仅帽偏心度会使厚度变化约15nm，大于所要求的层厚公差。抛光垫上除了褶皱之 外的其它不规则性可能显著增加该变化。用于形成半球形抛光垫的常规技术是用板材切割成圆形、用丙酮(或类似溶剂) 软化该材料并然后将垫压入两部分模具内。该模具包括具有凸出表面的底部模具部分以及具有相应凹陷表面的顶部模具部分。图1示出去除了顶部模具之后的现有技术半球形垫 10。注意在垫10的圆周边缘处有褶皱12。考虑到前述内容，本领域需要用于生产半球形抛光垫的新型方法和装置。

发明内容
根据一个或多个实施例，抛光垫的几何形状包括配合现有半球形帽的尺寸的外径 以及限定中心孔的内径。垫的外径上的一组等间距的径向狭槽使材料能够去除，消除模制 和附连到帽时材料的积聚。这可减少材料褶皱并能够更顺滑地配装。垫的中心孔使垫中的 材料更有柔性并减少褶皱，并还提供使基准按钮(由比垫材料硬的材料制成)能够放置在 帽上的结构，该按钮用于相对于所要抛光的表面设置工具轴线位置。在成形前，通过将抛光垫沿多个径向方向在边缘(诸如台面边缘)上滚转、使垫 纤维屈服、减少材料记忆并使垫能够更有柔性并符合帽的凸出形状来调节抛光垫。该垫材 料包含溶剂以使其更有柔性和顺应性，并然后压在帽体(作为底部模具部分)上。将柔性 囊、即充气气动囊与帽体相对压在垫上，该囊在充胀到一定压力时能够对垫施加均勻的气 动力。该加压技术使垫能够均勻地顺应帽体，产生较小的垫不规则性、以及较大的抛光精度 和可预测性。根据本发明的一个或多个实施例，用于抛光半导体表面的抛光垫包括具有中心和 外周缘的圆形体；以及从外周缘朝向中心延伸的多个狭槽。该本体是半球形穹顶形状。当抛光垫处于平坦定向时，多个狭槽可包括沿其长度大致恒定的宽度。或者，当抛 光垫处于平坦定向时，宽度可沿其长度从周缘朝向中心渐缩。当采用12个狭槽时，它们可 围绕本体的周界均勻布置，彼此间隔约30度的角度。当采用6个狭槽时，它们可围绕本体 的周界均勻布置，彼此间隔约60度的角度。抛光垫可包括设置在本体中心处的孔。根据本发明的一个或多个另外实施例，用于形成用于抛光半导体表面的半球形抛 光垫的装置包括第一压板；帽体，该帽体联接到第一压板并具有方向远离第一压板并可 操作以接纳抛光垫预成形件的穹顶形成形表面；第二压板，该第二压板与第一压板间隔开； 囊，该囊联接到第二压板并面向帽体的穹顶形成形表面；以及压力机构，该压力机构联接到 第一和第二压板并可操作以将第一和第二压板推向彼此以促进囊配合抵靠抛光垫预成形 体。压力机构可操作以将第二压板朝向第一压板移动一定距离，从而将囊设置在离开 帽体的穹顶形成形表面预定距离处。压力机构可包括将第一和第二压板锁定以使囊处在预 定距离处的一个或多个夹持件。该囊可操作以响应于流体压力的变化而施加可控力，使得帽体的穹顶形成形表面 从一侧压抵抛光垫预成形体，且囊从相反侧压抵抛光垫预成形体。该流体可以是液体或诸 如空气的气体。该装置的使用方法包括将抛光垫预成形体放置在穹顶形成形表面上；将囊与穹 顶形成形表面和抛光垫预成形体相对设置；用流体充胀该囊，使得帽体的穹顶形成形表面 从一侧压抵抛光垫预成形体，且囊从相反侧压抵抛光垫预成形体；以及将加压步骤保持预 定时段来形成半球形抛光垫。在充胀步骤期间，囊内的压力可增加到约1巴。在将抛光垫预成形体放置到穹顶形成形表面上之前，垫预成形体可沿多个径向方向在直线边缘上滚转 和/或拖曳，使得抛光垫预成形体的材料纤维屈服且抛光垫预成形体变得更有柔性。另外 地或替代地，垫预成形体可用溶剂浸泡，使抛光垫预成形体更有柔性。对本领域的技术人员来说，在将在此本发明的说明书与附图结合时，其它方面、特 征和优点等将会变得显而易见。


为了对本发明的各方面进行说明，示出目前较佳的附图形式，但是应当理解，本发 明并不限于所示出的精确设置和方法。图1是根据现有技术的抛光垫的立体图；图2是用于根据本发明的一个或多个实施例的抛光垫的预成形切口的俯视示意 图；图3是用于根据本发明的一个或多个其它实施例的替代抛光垫的预成形切口的 俯视示意图；图4、5和6是用于形成根据本发明的一个或多个实施例的抛光垫的装置的立体 图、局部剖切图；图7是用于根据本发明的一个或多个实施例的用图2的切口形成的抛光垫的立体 图；以及图8是根据本发明的一个或多个实施例的用图3的切口形成的抛光垫的立体图。
具体实施例方式参照附图，其中相同的附图标记表示相同的构件，在图2中示出用于切向工具接 触抛光诸如透镜的球形、诸如SOI结构的平坦表面等的抛光垫预成形体20。尽管抛光垫预 成形体20是平坦的，但在成形工艺之后，会形成半球形穹顶形状，这是用于切向工具接触 抛光的预期构造。抛光垫预成形体20包括具有中心24以及外周缘26的圆形体22。垫预 成形体20的具体材料可以选自己知材料和由已知应商中供应的任何一种。多个狭槽28从外周缘26朝向中心24径向延伸。如下文将更详细讨论的，狭槽28 使材料能够去除，消除在垫预成形体20模制并附连到切向工具(未示出)的帽时的材料积 聚。这就可减少材料褶皱并能够更顺滑地配装。在图2所示的实施例中，狭槽28各包括沿 其长度大致恒定的宽度。在该实施例中，围绕本体22的周缘26均勻地设置多个狭槽28，使 狭槽28彼此隔开约30度的角度。可以几种方式来表达该实施例的狭槽28的细节，诸如绝对尺寸、相对尺寸等。例 如，狭槽28的宽度可以约为0. 1至约0. 4英寸，而狭槽28的长度可以约为0. 25至约0. 5 英寸。在相对方面中，狭槽的宽度可以是其长度的约20%-160%。狭槽的宽度相对于本体 22的直径可以为该直径的约2%至约10%英寸，而狭槽的长度可以为该直径的约6%至约 15%。在该特定构造中，本体22的直径约4英寸(尽管应当理解也可考虑其它直径)。在本体22的中心处设置孔29，且该孔较佳地为圆形构造。孔29的尺寸可表达为绝 对或相对方面。例如，孔的直径可以是约0. 5-1. 0英寸，或本体22的直径的约15% -25%。 从垫预成形体20的中心24去除材料使本体22的材料更有柔性，这会减少最终成形的垫(将在下文详细讨论)上的褶皱。参照图3，示出也用于切向工具接触抛光的替代的抛光垫预成形体30。同样，尽管 抛光垫预成形体30是平坦的，但在成形工艺之后，会形成半球形穹顶形状。抛光垫预成形 体30包括具有中心34以及外周缘36的圆形体32。同样，多个狭槽38从外周缘36朝向中 心34径向延伸。在该实施例中，当抛光垫预成形体30处于平坦定向时，狭槽38各包括沿 其长度从周缘36朝向中心34渐缩的宽度。在该实施例中，围绕本体32的周缘36均勻地 设置多个狭槽38，使狭槽38彼此隔开约60度的角度。垫预成形体30的该实施例的狭槽38的细节包括狭槽38在周缘36处的宽度约 0. 1至约0. 4英寸(例如当垫预成形体的直径约为4英寸时)。狭槽38的长度约为0. 5-1. 5 英寸。狭槽38可渐缩到一点、倒圆角的或者可直线切穿。在相对方面中，狭槽38在周缘36 处的宽度可以是其长度的约6% -80%。狭槽38在周缘处的宽度相对于本体32的直径可 以为该直径的约2%至约10%英寸，而狭槽38的长度可以为该直径的约12%至约40%。图4-6示出用于用预成形体诸如以上讨论的垫预成形体20和垫预成形体30的 垫预成形体形成半球形抛光垫20A的装置50。装置50包括彼此间隔开的第一和第二压板 100、200。第二压板200相对于第一压板100可动(尽管在其它实施例中该功能可以相反 或两个压板都可动)。第一压板100可操作以可松开地接纳帽体102。帽体102包括方向 远离第一压板100并可操作以接纳抛光垫预成形件20的穹顶形成形表面104。第二压板200可操作以接纳面向帽体102的穹顶形成形表面104的囊202。充气 端口 206与囊202的内部容积连通以从其输送和排出流体(液体或诸如空气的气体)。如 从图5的剖视图中可清楚看出的，囊202包括压抵垫预成形体20、30以随着囊202内压力 增加而改变角度的配合表面208。当压板100、200隔开较远时(如图4和5所示)，囊202 的配合表面208形成凸形，如囊型设备所期望的那样。装置50包括压力机构，该压力机构可操作以将第二压板200朝向第一压板100移 动一定距离，从而将囊202设置在离开帽体102的穹顶形成形表面104预定距离处。压力机 构包括固定在第一压板100上并可滑动地接纳在第二压板200的孔302内的一个或多个对 准杆300。压力机构还包括固定在第一压板100内的一个或多个夹持件304A、304B、304C， 夹持件与第二压板200 (通过互补机构)配合并将第一和第二压板100、200锁定，使囊202 处于预定距离处。可用螺栓和互补螺纹柱来形成锁定件304。当压板100、200彼此间隔很近(如图6所示)时，囊202的配合表面208压抵抛 光垫预成形体20、30。囊202 (和其配合表面208)的形状从凸形相反地变成凹形，以与帽体 102的穹顶形成形表面104和垫预成形体20、30的形状互补。响应于通过端口 206引入的 流体的量和/或压力的变化，囊202可操作以赋予可控力，使得帽体102的穹顶形成形表面 104从一侧压抵抛光垫预成形体20、30，且囊202的配合表面208从相反侧压抵抛光垫预成 形体20、30。囊202内的压力可增加到约1巴以提供足够的力(一段预定时间)来形成穹 顶形垫。在将抛光垫预成形体20、30放置到帽体102的穹顶形成形表面104上之前，垫预 成形体20、30可沿多个径向方向在直线边缘上滚转和/或拖曳，使得抛光垫预成形体20、30 的材料纤维屈服且抛光垫预成形体20、30变得更有柔性。另外地或替代地，在将垫预成形 体20、30放置到穹顶形成形表面104上之前，可用溶剂浸泡抛光垫预成形体20、30来增加其柔性。图7示出当垫预成形体20用在装置50中时形成的抛光垫20A。注意，在周缘26 处没有现有技术情况那样的褶皱。垫20A的中心孔29使材料更有柔性，由此减少褶皱。孔 29还提供使基准按钮70 (由比垫材料硬的材料制成)能够放置在帽103的穹顶形成形表 面104上的结构。按钮70用于相对于所要抛光的表面设置工具轴线位置。按钮70用于填 充中心孔29并应当具有与形成的抛光垫20A相同的厚度。按钮70可以是硬度值更大的材 料，以防止在探测功能过程中被压缩。该探测功能设定抛光垫表面相对于部件表面(所要 抛光的部件)的位置以能够控制施加到部件表面的抛光压力的量。此外，探测功能将探测 部件表面相对于机器轴线的几何误差，并能够在抛光运动过程中进行补偿。按钮70与部件 表面在一个或多个点接触，且机器控制器接收来自机器轴线内传感器的反馈以确定部件和 抛光垫位置。在探测过程中，将轴线馈送到部件内，直到抛光装置的轴线负载单元探测到触 发负载为止。当探测到触发负载时，记录轴线位置。该接触负载/位置感测用于电子地绘 制出部件表面。较硬的中心按钮70在用于探测部件表面时产生较小的可重复性误差。如 果中心按钮70显著被压缩，其会产生不可重复的探测触发负载，这又产生位置可重复性误 差。织物抛光垫往往产生几微米的绘图误差。图8示出当垫预成形体30用在装置50中时形成的抛光垫30A。再次注意，在周缘 36处没有现有技术情况那样的褶皱。成形装置50也可用于将形成的抛光垫20胶粘到抛光帽103上。这通过去除帽体 102 (图5-6)并将抛光帽103 (图7)安装到第一压板100上来实现。在将帽103安装到第 一压板100之前或之后，将粘合剂放置在帽103的适当表面上。通过第一压板100上的流 体配件(端口)106将由柔性材料制成的帽103充胀到所要求的工作压力。将形成的抛光 垫20轻轻放在帽103上。接着，使第二压板200下降并将第二压板200以与形成抛光垫20 时(如上所述)相同的方式锁定在位。气动囊202内的压力可调节成平均地分布负载并将 垫20挤压就位而没有褶皱或松动的粘合区域。尽管在此参照特定实施例对本发明进行了描述，但应当理解，这些实施例仅是对 本发明原理和应用的说明。因此，应当理解可对说明性实施例进行多种更改且可设计其它 设置而不偏离由所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围。
权利要求
一种用于抛光半导体表面的抛光垫，包括圆形体，所述圆形体具有中心和外周缘；以及多个狭槽，所述多个狭槽从所述外周缘朝向所述中心径向延伸。
2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述本体是半球形穹顶形状。
3.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，当所述抛光垫处于平坦定向时，所述多个 狭槽中的至少一个包括沿所述至少一个狭槽的长度大致恒定的宽度。
4.如权利要求3所述的抛光垫，其特征在于，以下中的至少一个 所述至少一个狭槽的所述宽度为约0. 1至约0. 4英寸； 所述至少一个狭槽的所述长度为约0. 25至约0. 5英寸；所述至少一个狭槽的所述宽度为所述至少一个狭槽的所述长度的约20% -160% ； 所述至少一个狭槽的所述宽度为所述本体的直径的约2%至约10% ； 所述至少一个狭槽的所述长度为所述本体的所述直径的约6%至约15%。
5.如权利要求3所述的抛光垫，其特征在于，所述多个狭槽围绕所述本体的所述周界 均勻布置，彼此间隔约30度的角度。
6.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，当所述抛光垫处于平坦定向时，所述多个 狭槽中的至少一个包括沿所述至少一个狭槽的长度从所述周缘朝向所述中心渐缩的宽度。
7.如权利要求6所述的抛光垫，其特征在于，以下中的至少一个 所述至少一个狭槽在所述周缘处的宽度为约0. 1至约0. 4英寸； 所述至少一个狭槽的所述长度为约0. 5-1. 5英寸；所述至少一个狭槽渐缩到一点；所述至少一个狭槽的所述宽度为所述至少一个狭槽的所述长度的约6% -80% ； 所述至少一个狭槽在所述周缘处的所述宽度为所述本体的直径的约2%至约10% ；以及所述至少一个狭槽的所述长度为所述本体的所述直径的约12%至约40%。
8.如权利要求6所述的抛光垫，其特征在于，所述多个狭槽围绕所述本体的所述周界 均勻布置，彼此间隔约60度的角度。
9.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，还包括设置在所述本体的所述中心处的孔。
10.一种用于形成用于抛光半导体表面的半球形抛光垫的装置，包括 第一压板；帽体，所述帽体联接到所述第一压板并具有方向远离所述第一压板并可操作以接纳抛 光垫预成形件的穹顶形成形表面；第二压板，所述第二压板与所述第一压板间隔开；囊，所述囊联接到所述第二压板并面向所述帽体的所述穹顶形成形表面；以及 压力机构，所述压力机构联接到所述第一和第二压板并可操作以将所述第一和第二压 板推向彼此以促进所述囊配合抵靠所述抛光垫预成形体。
11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述压力机构可操作以将所述第二压板 朝向所述第一压板移动一定距离，从而将所述囊设置在离开所述帽体的所述穹顶形成形表 面预定距离处。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述压力机构包括将所述第一和第二压 板锁定以使所述囊处在所述预定距离处的一个或多个夹持件。
13.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述囊可操作以响应于流体压力的变化 而施加可控力，使得所述帽体的所述穹顶形成形表面从一侧压抵所述抛光垫预成形体，且 所述囊从相反侧压抵所述抛光垫预成形体。
14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述流体是气体。
15. 一种用于形成用于抛光半导体表面的半球形抛光垫的方法，包括将抛光垫预成形体放置在穹顶形成形表面上，所述抛光垫预成形体包括具有中心和外 周缘的圆形体；以及从所述外周缘朝向所述中心延伸的多个狭槽；将囊与所述穹顶形成形表面和所述抛光垫预成形体相对设置；用流体充胀所述囊，使得所述帽体的所述穹顶形成形表面从一侧压抵所述抛光垫预成 形体，且所述囊从相反侧压抵所述抛光垫预成形体；以及将所述加压步骤保持预定时段来形成半球形抛光垫。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述充胀步骤期间，所述囊内的压力增 加到约1巴。
17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括在将所述抛光垫预成形体放置到 所述穹顶形成形表面上之前，将所述垫预成形体沿多个径向方向在直线边缘上滚转和/或 拖曳，使得所述抛光垫预成形体的材料纤维屈服且所述抛光垫预成形体变得更有柔性。
18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括在将所述抛光垫预成形体放置到 所述穹顶形成形表面上之前，用溶剂浸泡所述抛光垫预成形体，使所述抛光垫预成形体更 有柔性。
19. 一种将半球形抛光垫组装到帽上的方法，所述帽和和抛光垫用于抛光半导体表面， 所述方法包括将粘合剂敷加到柔性帽的穹顶形表面；将形成的半球形抛光垫放置在所述帽的所述穹顶形表面上，所述抛光垫包括具有中 心和外周缘的圆形体，以及从所述外周缘朝向所述中心延伸的多个狭槽；将囊与所述抛光垫相对设置；用流体充胀所述囊，使得所述帽的所述穹顶形表面从一侧压抵所述抛光垫，且所述囊 从相反侧压抵所述抛光垫预成形体；以及将所述加压步骤保持预定时段来将所述抛光垫粘接到帽上。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，还包括在将所述囊压抵所述抛光垫之前 将流体弓I入所述帽的内部容积内来增加所述帽内的压力。
全文摘要
用于形成用于抛光半导体表面的半球形抛光垫的方法和装置，包括将抛光垫预成形体放置在穹顶形成形表面上，该抛光垫预成形体包括具有中心和外周缘的圆形体；以及从外周缘朝向中心延伸的多个狭槽；将囊与穹顶形成形表面和抛光垫预成形体相对设置；用流体充胀该囊，使得帽体的穹顶形成形表面从一侧压抵抛光垫预成形体，且囊从相反侧压抵抛光垫预成形体；以及将加压步骤保持预定时段来形成半球形抛光垫。
文档编号B24B1/00GK101909813SQ200880124117
公开日2010年12月8日 申请日期2008年12月22日 优先权日2007年12月31日
发明者M·A·斯托克, M·A·沙尔基, M·J·莫尔, R·C·卡迪 申请人:康宁股份有限公司