专利名称：低压化学气相沉积反应设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及光伏太阳能电池技术领域，特别涉及一种低压化学气相沉积(LPCVD) 反应设备。
背景技术：
随着能源的日益短缺，可再生绿色能源的开发利用越来越受到人们的关注，尤以 太阳能的利用特别受到世人的青睐。太阳能作为清洁、安全、可持续并且可靠的能源，太阳 能光伏(PV)系统正在迅速扩大其在能源和产业技术开发方面的应用。近年来，作为太阳能 转换媒介的光伏(photovoltaic)电池和大面积光伏模块器件的开发和应用引起了普遍关 注。以单晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜等为代表的太阳能电池板在商业和住宅建筑物等设施中 的广泛应用显示出巨大的潜力。特别是薄膜太阳能电池板，以其大面积、轻薄透明等特点正 日趋广泛应用于民用设施建筑等领域的太阳能发电。薄膜太阳能电池是多层器件，不同层在整个结构中具有不同特点和作用。一个典 型的薄膜太阳能电池通常包括玻璃基板、TCO(透明导电氧化物)前电极，具有由P、i和η 型半导体硅薄膜组成的p-i-n结构，背电极以及背玻璃板。掺杂层ρ层和η层在i层之间 建立一个内部电场。基于硅的i层直接将入射光能转换成电能，由前电极和背电极收集。透明导电前电极和背电极通常采用氧化锌(SiO)材料，利用LPCVD在玻璃表面沉 积形成。LPCVD是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳 定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，故可采用密集装片方 式来提高生产率。但是，目前大部分LPCVD反应设备多为单片反应设备，且横向在线装片， 生产效率不高。而且单片反应设备不利于清洗或维护，需要清洗或维护时须停掉设备，不利 于生产效率的提高和降低成本。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种低压化学气相沉积反应设备，能够进一步提高 生产效率，降低生产成本和维护成本。为达到上述目的，本发明提供的一种低压化学气相沉积反应设备，包括箱体和位于所述箱体内部的工件架，所述工件架具有纵向间隔交替排列的复数个 支架，所述支架两侧放置基板；所述设备还包括第一反应气体管路和第二反应气体管路，所述第一反应气体管路 和第二反应气体管路均具有复数个出气口，将反应气体引入基板之间的反应空间。可选的，所述第一反应气体管路的出气口从基板之间的反应空间的上部或下部将 气体引入反应空间；所述第二反应气体管路的出气口从基板之间的反应空间的下部或上部 将气体引入反应空间。可选的，所述第一反应气体管路的出气口和第二反应气体管路的出气口从基板之 间的反应空间的上部或下部将气体引入反应空间。
可选的，所述第一反应气体管路的出气口和第二反应气体管路的出气口前后排 列。可选的，所述第一反应气体管路的出气口和第二反应气体管路的出气口并排排 列。可选的，所述第一反应气体管路的出气口和/或第二反应气体管路的出气口具有 冷却装置。与现有技术相比，本发明具有以下优点本发明的LPCVD反应设备在腔室中纵向间隔放置基板，在基板之间的空间通入不 同的反应气体，通过控制温度来控制反应气体的反应，在两侧的基板表面沉积透明导电膜。 本发明的LPCVD反应设备操作简单、易于控制，生产效率高，降低了生产成本和维护成本。
通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目 的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按 比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。图1为根据本发明实施例的LPCVD反应设备结构示意图；图2为根据本发明另一实施例的LPCVD反应设备结构示意图；图3a和图北为图2所示实施例的俯视结构示意图。所述示图只是说明性而非限制性的，在此不能过度限制本发明的保护范围。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明 的具体实施方式
做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发 明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不 违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。图1为根据本发明实施例的LPCVD反应设备结构示意图。如图1所示，本发明实 施例的LPCVD反应设备包括箱体200和位于所述箱体200内部的工件架210，所述工件架 210具有纵向间隔交替排列的复数个支架230，所述支架230两侧放置基板221。所述设备 还包括第一反应气体管路310和第二反应气体管路320。第一反应气体管路310和第二反 应气体管路320均具有复数个出气口，将反应气体沿箭头方向所示引入基板之间的反应空 间。本实施例中，所述第一反应气体管路310的出气口从基板221之间的反应空间的上部 将气体引入反应空间；第二反应气体管路320的出气口从基板221之间的反应空间的下部 将气体引入反应空间，如箭头方向所示。在其它实施例中，也可以是第一反应气体管路310的出气口从基板221之间的反 应空间的下部将气体引入反应空间；第二反应气体管路320的出气口从基板221之间的反 应空间的上部将气体引入反应空间。图2为根据本发明另一实施例的LPCVD反应设备结构示意图。如图2所示，本实 施例的LPCVD反应设备包括箱体200和位于所述箱体200内部的工件架210，所述工件架 210具有纵向间隔交替排列的复数个支架230，所述支架230两侧放置基板221。所述设备还包括第一反应气体管路310和第二反应气体管路320。第一反应气体管路310和第二反 应气体管路320均具有复数个出气口，将反应气体沿箭头方向所示引入基板之间的反应空 间。本实施例中，所述第一反应气体管路310的出气口和第二反应气体管路320的出气口 从基板221之间的反应空间的上部将气体引入反应空间，如箭头方向所示。在其它实施例中，第一反应气体管路310的出气口和第二反应气体管路320的出 气口也可以从基板221之间的反应空间的下部将气体引入反应空间。图3a和图北为图2所示实施例的俯视结构示意图。如图所示，第一反应气体管 路310的出气口 311和第二反应气体管路320的出气口 321可以是前后排列，也可以是并 排排列。在其它实施例中，第一反应气体管路的出气口 311和/或第二反应气体管路的出 气口 321具有冷却装置。本发明的LPCVD反应设备利用管路在基板之间的空间通入不同的反应气体，例如 在沉积AZO透明导电膜时，第一反应气体管路310和第二反应气体管路320分别通入DEZ 气体(Zn(C2H5)2)和水蒸气，通过控制温度来控制反应气体的反应，沉积氧化锌(SiO)薄膜。 本发明的LPCVD反应设备操作简单易于控制，生产效率高，降低了生产成本和维护成本。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。任 何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方 法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实 施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做 的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。
权利要求
1.一种低压化学气相沉积反应设备，其特征在于包括箱体和位于所述箱体内部的工件架，所述工件架具有纵向间隔交替排列的复数个支 架，所述支架两侧放置基板；所述设备还包括第一反应气体管路和第二反应气体管路，所述第一反应气体管路和第 二反应气体管路均具有复数个出气口，将反应气体引入基板之间的反应空间。
2.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于所述第一反应气体管路的出气口从 基板之间的反应空间的上部或下部将气体引入反应空间；所述第二反应气体管路的出气口 从基板之间的反应空间的下部或上部将气体弓丨入反应空间。
3.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于所述第一反应气体管路的出气口和 第二反应气体管路的出气口从基板之间的反应空间的上部或下部将气体引入反应空间。
4.根据权利要求3所述的反应设备，其特征在于所述第一反应气体管路的出气口和 第二反应气体管路的出气口前后排列。
5.根据权利要求3所述的反应设备，其特征在于所述第一反应气体管路的出气口和 第二反应气体管路的出气口并排排列。
6.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于所述第一反应气体管路的出气口和/ 或第二反应气体管路的出气口具有冷却装置。
全文摘要
本发明公开了一种低压化学气相沉积反应设备，包括箱体和位于所述箱体内部的工件架，所述工件架具有纵向间隔交替排列的复数个支架，所述支架两侧放置基板；所述设备还包括第一反应气体管路和第二反应气体管路，所述第一反应气体管路和第二反应气体管路均具有复数个出气口，将反应气体引入基板之间的反应空间。本发明的低压化学气相沉积反应设备能够进一步提高生产效率，降低生产成本和维护成本。
文档编号C23C16/455GK102080220SQ201110047008
公开日2011年6月1日 申请日期2011年2月28日 优先权日2011年2月28日
发明者单洪青, 林朝晖 申请人:福建钧石能源有限公司