专利名称：镀膜件的制备方法及由该方法制得的镀膜件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种镀膜件的制备方法及由该方法制得的镀膜件。
背景技术：
为在基材表面获得合金涂层，常采用热浸镀或热喷涂的方法。金属铜(Cu)和钴(Co)价格低廉，性能优良，在工业上有着广泛的应用。然而由于铜和钴的混合热为正值，合金熔炼的过程中铜钴合金易发生亚稳相分解(Spinodal分解)，分解成富铜相和富钴相；高温急冷时，铜和钴也会发生相分离。由于热浸镀或热喷涂均需要对合金原料进行熔炼，因此采用热浸镀或热喷涂的方法在基材表面较难形成稳定的铜钴合金层。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可形成稳定的铜钴合金层的镀膜件的制备方法。 另外，还有必要提供一种由上述方法所制得的披覆有铜钴合金层的镀膜件。一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤
提供基材；
采用粉末冶金法，以金属铜粉和钴粉为原料制备铜钴复合靶；
采用磁控溅射法，以上述步骤制备的铜钴复合靶为靶材，在基材表面溅射形成铜钴合金层。一种镀膜件包括基材及形成于基材上的铜钴合金层，该铜钴合金层采用溅射法形成。本发明镀膜件的制备方法在形成铜钴合金层时，采用PVD镀膜技术，通过制备铜钴复合靶和对溅射温度的控制，从而于基材表面形成超饱和的铜钴合金层。所述镀膜件的制备方法工艺稳定、可靠且环保。
图I是本发明一较佳实施例镀膜件的剖视图。图2为本发明一较佳实施例真空镀膜机的俯视示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤 提供基材； 采用粉末冶金法，以金属铜粉和钴粉为原料制备铜钴复合靶； 采用磁控溅射法，以上述步骤制备的铜钴复合靶为靶材，在基材表面溅射形成铜钴合金层。
2.如权利要求I所述的镀膜件的制备方法，其特征在于所述基材的材质为不锈钢或铜合金。
3.如权利要求I所述的镀膜件的制备方法，其特征在于所述铜钴复合靶中铜和钴的质量比介于1:4和4:1之间。
4.如权利要求3所述的镀膜件的制备方法，其特征在于所述制备铜钴复合靶的步骤的工艺参数为金属铜粉的纯度大于99. 9%，金属铜粉的粒径为10 100 y m ;金属钴粉的纯度大于99. 9%，金属钴粉的粒径为10 80 iim;金属铜粉与金属钴粉的质量比在1:4至4:1之间，该金属铜粉与金属钴粉的混合物被球磨120 200min,热等静压制成一还体,经1150 1200°C烧结I L 5h，再自然冷却。
5.如权利要求I所述的镀膜件的制备方法，其特征在于所述溅射形成铜钴合金层的步骤的工艺参数为铜钴复合靶的功率为6 13kw，以氩气为工作气体，氩气流量为100 300sccm,对基材施加-100 -200V的偏压，溅射温度为120 180°C，镀膜时间为30 50mino
6.如权利要求I所述的镀膜件的制备方法，其特征在于该铜钴合金层的厚度为120 200nm。
7.如权利要求I所述的镀膜件的制备方法，其特征在于该镀膜件的制备方法还包括在溅镀铜钴合金层前对基材进行预处理的步骤。
8.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于所述预处理的步骤包括除油、除蜡、酸洗、中和、去离子水清洗及烘干步骤。
9.一种由权利要求1-8中的任一项所述的方法制得的镀膜件。
全文摘要
本发明提供一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤提供基材；采用粉末冶金法，以金属铜粉和钴粉为原料制备铜钴复合靶；采用磁控溅射法，以铜钴复合靶为靶材在基材表面溅射形成铜钴合金层。本发明所述铜钴合金层的制备利用铜和钴原子同时溅射并沉积于基材表面以及较低的沉积温度，制备出超饱和的铜钴合金。所述镀膜件的制备方法工艺稳定、可靠且环保。本发明还提供一种由上述方法制得的镀膜件。
文档编号C23C14/34GK102747326SQ20111010074
公开日2012年10月24日 申请日期2011年4月21日 优先权日2011年4月21日
发明者张新倍, 林顺茂, 蒋焕梧, 陈文荣, 陈正士 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司