一种oled像素图案蒸镀方法及掩膜板的制作方法
【专利摘要】本发明的目的一种OLED像素图案蒸镀方法，相同颜色的子像素分N次蒸镀完成，第n次蒸镀像素阵列中的第n+mN列，其中N为不小于2的正整数，n依次取自1开始小于N的整数，m依次取自0开始的整数。上述OLED像素图案蒸镀方法使用的掩膜板，包括开孔和桥，桥的宽度为第1列和第1+N列相同颜色的子像素之间的距离。有益效果在于用于生产解析度相同的OLED屏时，本技术方案的MASK相比现有FMM技术的MASK因为桥的宽度更大而易于加工且不易变形，有利于提高产品良率；或换言之，在MASK桥宽与现有FMM技术相同的情况下，本发明的方法可以生产像素密度更高的OLED显示屏，达到现有FMM技术的N倍解析度。
【专利说明】—种OLED像素图案蒸镀方法及掩膜板
【技术领域】
[0001]本发明属于OLED显示【技术领域】，涉及OLED显示器件的高解析度像素蒸镀技术，具体涉及一种OLED像素图案蒸镀方法以及应用于此蒸镀方法的掩膜板。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(OLED)显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术，可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。但是近期市场上的智能手机等个人移动产品对显示屏提出了越来越高的分辨率要求，屏幕解析度(即像素密度)已高达400ppi，甚至以后的发展趋势将超过500ppi，这对OLED的现有技术形成了巨大的挑战。因为OLED现有成熟的技术是采用精细金属掩模板(FMM)蒸镀有机发光材料来制备彩色化像素图案，这种技术很难生产解析度在300ppi以上的产品。如图1及图2所示为现有的OLED像素图案蒸镀示意图及其使用的掩膜板，不同发光颜色的子像素4通过坩锅3分别单次蒸镀到基板I上，使用的掩膜板2如图2所示，包括开孔21和桥22，开孔21与需要蒸镀的有机材料子像素区域一致，桥22用于防止有机材料蒸镀到其他区域。当蒸镀某种材料时(以红色发光材料为例)，使MASK开孔正对红色子像素，而绿、蓝子像素被MASK遮挡，这样从坩锅蒸发出的红色发光材料就可以精确地只沉积在红色子像素区；红色发光材料蒸镀完成后，MASK平移一个子像素的距离使开孔对准另一颜色的子像素，以此类推完成RGB三基色材料的蒸镀，从而形成彩色化像素图案。由于显示屏的像素密集，导致MASK桥(连接相邻像素开孔的肋骨)的宽度非常小，比如当显示屏解析度达300ppi时，MASK桥宽仅约56um，这对MASK选材及加工均提出了非常高的要求，尤其是此时MASK极易受重力及热膨胀影响发生变形，致使不能精 确形成彩色化像素图案。当解析度更高时，这个问题就更严重，这也就是现有FMM技术难以生产解析度在300ppi以上的显示屏的原因。行业内针对该问题，韩国三星等领先企业虽也积极研究以LITI (激光热转印)为代表的新技术以期能够生产高解析度的OLED显示屏，但这些新技术仍有诸多不足之处，目前还不能用于量产或量产时良率低下。比如需增加制程工序和额外的制程工艺而导致生产效率较低；需要增加设备和原材料，甚至需要开发特别的原材料，导致投资和成本增加等。即便如此，这些新技术仍难以生产450ppi以上的超高解析度显示屏。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是为了解决现有的OLED像素图案蒸镀方法不能很好的满足高解析度(像素密度)屏幕制造的缺陷，提出了一种可制造高解析度OLED屏幕的OLED像素图案蒸镀方法以及专用于该方法的蒸镀掩膜板。
[0004]本发明的技术方案为:一种OLED像素图案蒸镀方法，其特征在于，相同颜色的子像素分N次蒸镀完成，第η次蒸镀像素阵列中的第n+mN列，其中N为不小于2的正整数，η依次取自I开始小于N的整数，m依次取自O开始的整数。[0005]进一步的，所述方法中N取值为2。
[0006]上述OLED像素图案蒸镀方法使用的掩膜板，包括开孔和桥，其特征在于，桥的宽度为第I列和第1+N列相同颜色的子像素之间的距离。
[0007]优选的，上述掩膜板的桥的宽度为第一列和第三列颜色相同的子像素之间的距离。
[0008]进一步的，上述掩膜板的开孔在列方向上贯通形成一个孔。
[0009]本发明的有益效果:本发明的方法及掩膜板(MASK)用于生产解析度相同的OLED屏时，本技术方案的MASK相比现有FMM技术的MASK因为桥的宽度更大而易于加工且不易变形，有利于提高产品良率；或换言之，在MASK桥宽与现有FMM技术相同的情况下，本发明的方法可以生产像素密度更高的OLED显示屏，达到现有FMM技术的N倍解析度。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为现有的OLED像素蒸镀方法示意图；
[0011]图2为图1所示方法使用的掩膜板结构示意图；
[0012]图3为本发明分两次蒸镀的实施例的OLED像素蒸镀方法示意图；
[0013]图4为图3所示方法使用的掩膜板结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]本发明的实施例是依据本发明的原理而设计，下面结合附图和以下具体的实施例对本发明作进一步的阐述。`
[0015]如图3及图4所示，本实施例的OLED像素图案蒸镀方法，与现有方法相比，不同之处在于相同颜色的子像素分N次蒸镀完成，第η次蒸镀像素阵列中的第n+mN列，其中N为不小于2的正整数，η依次取自I开始小于N的整数，m依次取自O开始的整数。
[0016]在图3所示实施例中，N的取值为2。
[0017]上述OLED像素图案蒸镀方法使用的掩膜板5，包括开孔51和桥52，桥52的宽度为第I列和第1+N列相同颜色的子像素之间的距离。
[0018]在图4所示实施例中，上述掩膜板的桥的宽度为第一列和第三列颜色相同的子像素之间的距离。具体适应的是同种颜色的像素分两次蒸镀完成的情况。上述掩膜板的开孔在列方向上贯通形成一个孔。
[0019]具体以N等于2作为优选实施例进行详细描述:使用本发明的方法蒸镀红、绿、蓝有机发光材料的掩模板(MASK)，每种颜色间隔I列子像素开孔，使MASK桥(连接相邻开孔的肋骨)的宽度增加为现有FMM技术所用MASK桥宽的两倍(实际为两倍加上一个子像素的宽度)；在生产制备彩色化像素图案时，每种颜色分两次完成所有子像素的蒸镀:一次蒸镀形成奇数列子像素，然后移动MASK，再一次蒸镀形成偶数列子像素。以红色发光材料为例，分两次完成该颜色所有子像素的蒸镀，其中一次使MASK开孔正对奇数列红色子像素，而偶数列红色子像素及绿、蓝子像素被MASK遮挡，这样从坩锅蒸发出的红色发光材料就可以精确地只沉积在奇数列红色子像素区；另一次平移MASK使其开孔正对偶数列红色子像素，而奇数列红色子像素及绿、蓝子像素被MASK遮挡，这样从坩锅蒸发出的红色发光材料就可以精确地只沉积在偶数列红色子像素区。红色发光材料蒸镀完成后，以此类推再完成绿、蓝发光材料的蒸镀，从而形成彩色化像素图案。由此可见，在解析度相同的情况下，本实施例的方案的MASK桥宽为现有FMM技术的两倍，可以降低对制程工艺的要求，有利于提高产品良率；或换言之，在MASK桥宽与现有FMM技术相同的情况下，本发明所述技术方案可以生产比现有FMM技术高两倍解析度的OLED显示屏，由于现有FMM技术最高可生产近300ppi的显示屏，因此本发明所述技术方案可以生产近600ppi的超高解析度OLED显示屏，且由于本发明所述技术方案与现有FMM技术的材料、工艺要求相同，因此极具量产实用性。
[0020]本领域的普通技术人员应该理解，本实施例沉积有机发光材料是基于本领域成熟的真空蒸镀技术，因此对此不再累述。
[0021]图4为采用本专利方法制备解析度为500ppi的OLED屏的彩色化像素图案的MASK设计示例。图中MASK开口为矩形条，开口宽约15um，由于每种颜色间隔一列子像素开孔，也就是每两个像素间距开一列孔，因此MASK桥宽约85um。这种规格的MASK设计，可保证MASK加工、蒸镀有机材料时的MASK对位及MASK变形均在技术可控范围内，这是制备OLED彩色化像素图案的关键要素。用该MASK制备OLED彩色化像素图案的方法具体如下:首先使MASK开孔正对奇数列红色子像素，而偶数列红色子像素及绿、蓝子像素被MASK遮挡，使从坩锅蒸发出的红色发光材料精确地只沉积在奇数列红色子像素区；奇数列红色子像素区蒸镀完成后，平移MASK使其开孔正对偶数列红色子像素，而奇数列红色子像素及绿、蓝子像素被MASK遮挡，使从坩锅蒸发出的红色发光材料再精确地只沉积在偶数列红色子像素区；当所有红色子像素蒸镀完成后，再按此方法依次进行绿、蓝子像素的蒸镀，从而形成完整的彩色化像素图案。
[0022]由于现有FMM技术最高可生产近300ppi的显示屏，因此由实施例可知，本实施例所述技术方案在现有技术条件下可以生产近600ppi的超高解析度OLED显示屏，且由于本实施例所述技术方案以现有真空蒸镀技术为基础，因此继承了技术最成熟和器件性能最佳的优势。同时应该理解，本实施例所述彩色化像素图案不限于制备在玻璃基板上，也包括塑料基板或金属基板等；制备彩色化像素图案的顺序也不限于实施例中按红、绿、蓝的流程。另外，本实施例所述方法因增加了三次有机材料蒸镀，一是将带来生产效率降低的问题，但通过增加蒸镀设备的腔室能很容易解决，二是将增加有机材料的浪费，但通过材料回收也容易解决。`
[0023]本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.一种OLED像素图案蒸镀方法，其特征在于，相同颜色的子像素分N次蒸镀完成，第η次蒸镀像素阵列中的第n+mN列，其中N为不小于2的正整数，η依次取自I开始小于N的整数，m依次取自O开始的整数。
2.权利要求1所述的一种OLED像素图案蒸镀方法，其特征在于，所述方法中N取值为.2。
3.0LED像素图案蒸镀掩膜板，包括开孔和桥，其特征在于，桥的宽度为第I列和第1+N列相同颜色的子像素之间的距离。
4.权利要求3所述的OLED像素图案蒸镀掩膜板，其特征在于，掩膜板的桥的宽度为第一列和第三列颜色相同的子像素之间的距离。
5.权利要求3或4所述的OLED像素图案蒸镀掩膜板，其特征在于，掩膜板的开孔在列方向上贯通形 成一个孔。
【文档编号】C23C14/24GK103820756SQ201410100420
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2014年3月18日 优先权日:2014年3月18日
【发明者】田朝勇 申请人:四川虹视显示技术有限公司