1.一种电路板纳米防水膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）将待镀膜的电路板浸泡在电路板清洗剂中超声清洗，然后烘干，所述电路板清洗液由脂肪醇聚氧乙烯醚、氨基酸、5-甲基苯并三氮唑和醇类溶剂组成，其中脂肪醇聚氧乙烯醚质量百分含量为0.1～5％，所述氨基酸质量百分含量为0.1～2％、所述5-甲基苯并三氮唑质量百分含量为0.5～1％，余量为醇类有机溶剂；
2）将待镀膜的电路板放入真空镀膜室，加热并抽真空；
3）将镀膜原材料放入蒸发室，继续抽真空，镀膜原材料加热升华；
4）连通蒸发室与裂解室，镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体；
5）活性单体进入真空镀膜室，最后沉积在电路板的表面，得到防水膜层。
2.根据权利要求1所述的一种电路板纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1）中的电路板清洗液中脂肪醇聚氧乙烯醚的质量百分含量为2～4％，所述氨基酸的质量百分含量为0.5～1％、所述5-甲基苯并三氮唑的质量百分含量为0.5～1％，余量为醇类有机溶剂。
3.根据权利要求1所述的一种电路板纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1）中的烘干温度为25-30℃，烘干时间为20-25min。
4.根据权利要求1所述的一种电路板纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述镀膜原材料为聚对二甲苯类型粉体，聚对二甲苯类型粉体包括有N粉、C粉和D粉，所述N粉、C粉和D粉的重量比为1：4：1。
5.根据权利要求1所述的一种电路板纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3）中的升华温度为145℃-150℃，蒸发压力为25-30Pa。
6.根据权利要求1所述的一种电路板纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤4）中的裂解温度为665℃-670℃，裂解压力为8-10Pa。
7.根据权利要求1所述的一种电路板纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤5）中的待镀膜的电路板的表面温度为35℃-40℃，镀膜压力为8-8.5Pa。
8.根据权利要求1所述的一种电路板纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述防水膜层的厚度为15-20μm。
9.根据权利要求1所述的一种电路板纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2）中当蒸发室的温度达到130℃时打开冷泵进行抽真空。
10.根据权利要求1所述的一种电路板纳米防水膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3）中放镀膜原材料前，抽真空用的冷泵的温度达到-30℃以下。