技术特征：
技术总结
本文提供了一种用于安装用于半导体处理装置的气体输送系统的气体供给部件的气体输送基底。基底可以包括具有主表面的多层，所述多层结合在一起以形成具有用于接收和安装第一气体供给部件、第二气体供给部件、第三气体供给部件和第四气体供给部件在外部主表面上的开口的层压件。基底可以包括延伸穿过内部主表面的第一气体通道，其至少部分地与延伸穿过不同内部主表面的第二气体通道重叠。基底可以包括第一气体管道和第二气体管道，第一气体管道包括将第一气体供给部件连接到第二气体供给部件的第一气体通道，第二气体管道包括将第三气体供给部件连接到第四气体供给部件的第二通道。还公开了用于制造气体输送基底的多种技术。
技术研发人员：安德鲁·C·李;迈克尔·C·凯洛格;克里斯多夫·J·佩纳;约翰·E·多尔蒂
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2015.10.16
技术公布日：2017.08.18