1.一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)选择一导电基体，对所述的导电基体清洗，去除所述的导电基体表面的有机物和氧化层，清洗后在所述的导电基体上生长石墨烯薄膜层；
(2)然后对所述的石墨烯薄膜层进行清洗，去除吸附在所述的石墨烯薄膜层的电解质离子，再在所述的石墨烯薄膜层上生长金属层，即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的石墨烯薄膜层为膨胀疏松状结构。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，还包括将制得的所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料进行真空退火或真空回流。
4.根据权利要求1所述的一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)对所述的导电基体清洗包括除油和酸洗；步骤(2)对所述的石墨烯薄膜层进行清洗包括去离子水清洗。
5.根据权利要求1所述的一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的石墨烯薄膜层的制备方法为电沉积或电泳；所述的金属层的制备方法为电沉积或化学沉积。
6.根据权利要求5所述的一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的电沉积所用溶液的溶质为氧化石墨烯，所述的电泳所用溶液的溶质为石墨烯，在所述的电沉积所用溶液和所述的电泳所用溶液中均还加入浓度为0.01～5mol/L的电解质。
7.根据权利要求6所述的一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的电解质为NaCl或Na2HPO4的一种或两种。
8.根据权利要求6所述的一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的溶液中氧化石墨烯的层数和所述的石墨烯的层数均为1～10层，所述的层大小在50纳米到100微米之间。
9.根据权利要求1所述的一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的金属层为Cu、Ni、Sn、Ag或及其合金。
10.根据权利要求1所述的一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，重复权利要求1所述的步骤1～2即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料的多层结构。