技术总结
本发明公开了一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：选择一导电基体，对所述的导电基体清洗，清洗后在所述的导电基体上生长石墨烯薄膜层；然后对所述的石墨烯薄膜层进行清洗，再在所述的石墨烯薄膜层上生长金属层，即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料。本发明的制备方法具有工艺简单、反应条件温和和石墨烯掺杂比例可控的优点，且制得的该复合薄膜材料在保证电学性能的前提下，具有较好的力学性能、抗腐蚀氧化性能，并且能够有效阻止金属间化合物的生长，适用于表面涂层、电子封装等领域。
技术研发人员：胡安民;凌惠琴;孙梦龙;鞠隆龙
受保护的技术使用者：上海交通大学
文档号码：201611149178
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2017.06.06