蒸发源装置的制作方法

本发明涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种蒸发源装置。

背景技术：

蒸镀制程在液晶显示器组件、半导体组件及太阳能电池组件制作过程中受到了广泛的应用，为了将制作过程中所使用的蒸镀材料均匀涂布于基板，一般是将基板设置于坩埚喷嘴的上方，借助加热丝将坩埚内的蒸镀材料加热，形成蒸汽，以均匀地附着在基板上，获得高品质的膜层。

如图1和图2所示，对于需要共混，掺杂蒸镀多种材料的膜层如主发光材料和辅助发光材料，需要主坩埚101和辅助坩埚102蒸镀成膜。主坩埚101和辅助坩埚102分别线性排列在两排，主坩埚101蒸镀区域103，辅助坩埚102蒸镀区域104，蒸镀区域103和蒸镀区域104的重叠区域1034，重叠区域1034对于基板105呈现主发光材料和辅助发光材料，重叠区域1034以外的蒸镀区域103对于基板105呈现主发光材料，重叠区域1034以外的蒸镀区域104对于基板105呈现辅助发光材料，这两个区域只包含某一种材料，导致基板105成膜的均一性和膜层的品质较差，进而影响oled器件的显示质量和寿命，随着蒸发源的数量增加，这种由蒸发源导致的缺陷会更加明显。

综上所述，现有技术的线性坩埚之间有一定的距离，导致除了多种材料共混的部分外，还存在只包含某一种材料的部分，这样降低了成膜的均一性和膜层的品质的技术问题。

技术实现要素：

本发明提供一种蒸发源装置，能够解决现有技术的线性坩埚之间有一定的距离，导致除了多种材料共混的部分外，还存在只包含某一种材料的部分，这样降低了成膜的均一性和膜层的品质的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种蒸发源装置，包括主坩埚和辅助坩埚，所述主坩埚的喷嘴和所述辅助坩埚的喷嘴位于相同高度，且线性交替设置。

根据本发明一优选实施例，所述主坩埚和所述辅助坩埚的形状均为长方体，每个所述长方体均设置有加热装置，所述加热装置设置于所述长方体底部和/或侧部。

根据本发明一优选实施例，所述加热装置包括多条加热丝。

根据本发明一优选实施例，所述喷嘴呈柱状，所述喷嘴与所连接坩埚主体表面形成有夹角α，且0°＜α≤90°。

根据本发明一优选实施例，所述主坩埚和所述辅助坩埚形状和大小相同，沿纵向交替设置。

根据本发明一优选实施例，所述主坩埚和所述辅助坩埚均设置有1个喷嘴，所述喷嘴沿着纵向等间距设置。

根据本发明一优选实施例，任意相邻两个所述喷嘴的中心间距为5mm到15mm范围之间。

根据本发明一优选实施例，所述主坩埚和所述辅助坩埚分层设置，所述主坩埚设置在所述辅助坩埚下方，所述辅助坩埚呈线性间隔设置于所述主坩埚表面，且所述主坩埚的喷嘴位于相邻所述辅助坩埚之间；

或者，所述辅助坩埚设置在所述主坩埚下方，所述主坩埚呈线性间隔设置于所述辅助坩埚表面，且所述辅助坩埚的喷嘴位于相邻所述主坩埚之间。

根据本发明一优选实施例，所述主坩埚的喷嘴和所述辅助坩埚的喷嘴为中空的圆柱体。

根据本发明一优选实施例，所述主坩埚和所述辅助坩埚均设有两个或两个以上的喷嘴，且所述主坩埚的喷嘴和所述辅助坩埚的喷嘴排列方式相同。

本发明的有益效果：本申请提供一种蒸发源装置，本申请中每一排中主坩埚和辅助坩埚的喷嘴位于相同高度，线性交替排列，主坩埚和辅助坩埚的蒸镀区域完全重合，解决了掺杂蒸镀多种材料的膜层均一性差及膜层的性质不同的技术问题，从而改善oled器件的显示质量和寿命，提高oled器件的良率。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中一种蒸发源装置结构示意图；

图2为现有技术中一种蒸发源装置蒸镀结构示意图；

图3为本申请提供一种蒸发源装置结构示意图；

图4为本申请提供一种蒸发源装置正视结构示意图；

图5为本申请提供一种蒸发源装置蒸镀结构示意图；

图6为本申请提供一种蒸发源装置中坩埚喷嘴预设夹角示意图；

图7为本申请提供另一种蒸发源装置正视结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示，图中虚线表示在结构中并不存在的，仅仅说明结构的形状和位置。

本发明针对现有技术的线性坩埚之间有一定的距离，导致除了多种材料共混的部分外，还存在只包含某一种材料的部分，这样降低了成膜的均一性和膜层的品质的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。

本申请提供一种蒸发源装置，该蒸发源装置包括主坩埚和辅助坩埚，主坩埚的喷嘴和辅助坩埚的喷嘴位于相同高度，且线性交替设置。

如图3和图4所示，本申请提供一种蒸发源装置结构示意图，主坩埚201和辅助坩埚202的形状优选均为长方体，长方体便于按列或行排列。每个长方体均设置有加热装置，加热装置设置于长方体底部和/或侧部，主坩埚201设置有加热装置2012，加热装置2012包括多条加热丝，辅助坩埚202设置有加热装置2022，加热装置2022也包括多条加热丝，加热丝加热蒸镀材料，形成蒸镀气体，打开主坩埚201的喷嘴和辅助坩埚202的喷嘴阀门后，蒸镀气体溅射到相应的基板上，形成均匀膜层。

主坩埚201和辅助坩埚202优选形状和大小相同，沿纵向交替设置，主坩埚201和辅助坩埚202均设置1个主喷嘴2011和1个辅助喷嘴2021，主喷嘴2011和辅助喷嘴2021沿着纵向等间距设置。任意相邻两个主喷嘴2011和辅助喷嘴2021的中心间距为5mm到15mm范围之间，间距设置在12mm为最佳，喷嘴中心线与水平面呈预设夹角α，且0°＜α≤90°，预设夹角α优选为85°、80°、75°，本实施例中喷嘴呈柱状，喷嘴垂直于所连接坩埚主体表面，主喷嘴2011与主坩埚201表面形成有90°夹角，辅助喷嘴2021与辅助坩埚202表面形成有90°夹角。

在一种实施例中每个主坩埚201和每个辅助坩埚202均可以设置多个喷嘴，每个坩埚上形成喷嘴分布群，任意相邻两个喷嘴分布群中心间距为5mm到15mm范围之间，间距设置在12mm为最佳。

如图5所示，由于主喷嘴2011和辅助喷嘴2021沿着纵向等间距设置，主喷嘴2011和辅助喷嘴2021在横向上的蒸镀区域203相同，基板204对于主喷嘴2011和辅助喷嘴2012上蒸镀材料相同，解决了多种材料共混的部分外，存在只包含某一种材料的局部部分，降低了成膜的均一性和膜层的品质的技术问题，从而改善oled器件的显示质量和寿命，提高oled器件的良率。

如图6所示，本申请提供一种蒸发源装置中主坩埚201主喷嘴2011预设夹角示意图，喷嘴2011中心线与水平面呈预设夹角α，且0°＜α≤90°，预设夹角α优选为85°、80°、75°，主喷嘴2011与主坩埚201表面形成有夹角α。辅助坩埚202喷嘴2021的预设夹角跟喷嘴2011预设夹角类似，辅助喷嘴2021与辅助坩埚202表面也形成有夹角α。

本申请提供另一种蒸发源装置结构示意图，主坩埚和辅助坩埚分层设置，主坩埚和辅助坩埚分层设置，主坩埚设置在辅助坩埚下方，辅助坩埚呈线性间隔设置于主坩埚表面，且主坩埚的喷嘴位于相邻辅助坩埚之间；或者，辅助坩埚设置在主坩埚下方，主坩埚呈线性间隔设置于辅助坩埚表面，且辅助坩埚的喷嘴位于相邻主坩埚之间，主坩埚的喷嘴和辅助坩埚的喷嘴为中空的圆柱体。

如图7所示，本申请提供另一种蒸发源装置结构示意图，本实施例中主坩埚301和辅助坩埚302分层设置，主坩埚301位于辅助坩埚302下方，主坩埚301的数量为1个，主坩埚301设置有加热装置3016和n个主喷嘴，加热装置3016包括多条加热丝，n等于5，5个主喷嘴包括主喷嘴3011、主喷嘴3012、主喷嘴3013、主喷嘴3014、以及主喷嘴3015，辅助坩埚302的数量为n-1，n-1等于4，4个辅助坩埚302位于主坩埚301表面，且位于两个主喷嘴之间，每个辅助坩埚302设置有加热装置3022，加热装置3022包括多条加热丝，本实施例主坩埚301的数量还可以为2个或2个以上，主坩埚3016的主喷嘴3011、主喷嘴3012、主喷嘴3013、主喷嘴3014、以及主喷嘴3015与水平面均呈预设夹角α，且0°＜α≤90°、辅助坩埚302的喷嘴3021的中心线与水平面均呈预设夹角α，且0°＜α≤90°，本实施例中主喷嘴3011、主喷嘴3012、主喷嘴3013、主喷嘴3014、、主喷嘴3015、以及喷嘴3021均优选为中空的圆柱形。

在又一种实施例中辅助坩埚的数量为1个，辅助坩埚设置有m个辅助喷嘴，主坩埚的数量为m-1，主坩埚位于辅助坩埚上方，且辅助坩埚的喷嘴从主坩埚之间孔隙穿过，具体的结构跟图7类似。

在再一种实施例中主坩埚和辅助坩埚均设有两个或两个以上的喷嘴，且主坩埚的喷嘴和辅助坩埚的喷嘴排列方式相同或随机排列，蒸发源装置还可以包括两列或两列以上的坩埚组件，每个坩埚包括线性交替设置的主坩埚和辅助坩埚。

本发明的有益效果：本申请提供一种蒸发源装置，本申请中每一排中主坩埚和辅助坩埚的喷嘴位于相同高度，交替排列，主坩埚和辅助坩埚的蒸镀区域相互重合，解决了掺杂蒸镀多种材料的膜层均一性差及膜层的性质不同的技术问题，从而改善oled器件的显示质量和寿命，提高oled器件的良率。

综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。