进行取片或放片时的高度，以避免环形槽体27对传输装置的运动产生干涉。
[0032]而且，在本实施例中，环形槽体27的内侧壁紧靠基座22的外周壁设置，以节省基座22周围的空间；而且，环形槽体27的顶端与基座22的外周壁的顶端相平齐，其底端(即，环形槽体27的底壁)与基座22的外周壁的底端相平齐，即，环形槽体27的内侧壁将基座22的外周壁完全覆盖，从而可以在不占用基座22下方的空间的前提下，最大限度地增大环形槽体27的深度。此外，在环形槽体27的内侧壁顶端设置有连接部271，连接部271自环形槽体27的内侧壁顶端弯曲叠置在基座22上表面的边缘区域上，且将基座22上表面的未被被加工工件23覆盖的边缘区域完全覆盖；沉积环28设置在连接部271上。借助连接部271，可以覆盖环形槽体27的内侧壁与基座22的外周壁之间的间隙，从而可以防止沉积物自该间隙穿过。另外，环形槽体27与基座22采用可拆卸地方式连接，例如，在本实施例中，可以借助紧固螺钉29将连接部271与基座22固定连接。
[0033]衬环25环绕在反应腔室的侧壁内侧，且与反应腔室的腔室壁采用可拆卸地方式连接，以便于在需要清洗或交换衬环25时，将其自反应腔室拆卸下来，从而给沉积物的清洗带来方便。而且，衬环25的顶端位于反应腔室的顶部，以保证衬环25在基座22位于工艺位置时，能够对反应腔室的整个侧壁进行保护。在本实施例中，衬环25的底端位于环形槽体27的外侧壁外侧，且低于环形槽体27的槽口的位置处；在衬环25的底端形成有环形延伸部26，环形延伸部26在基座22位于工艺位置时，沿环形槽体27的外侧壁朝上延伸，并通过环形槽体27的槽口弯曲伸入环形槽体27内，且不与环形槽体27相接触。此时衬环25、环形延伸部26和环形槽体27形成封闭的保护壁，以覆盖反应腔室的侧壁以及基座上表面以下的各个元件，从而不仅可以防止腔室壁以及反应腔室内的其他元件上附着沉积物，而且由图4A和图4B可知，环形延伸部26和环形槽体27在基座22上升至工艺位置或下降至传输位置的过程中始终不相互接触，从而可以避免因屏蔽组件中的各个元件发生碰撞而掉落颗粒，进而可以提闻广品质量。
[0034]在实际应用中，应适当设置环形延伸部26和环形槽体27之间的间隙，即，在基座22位于工艺位置时，环形延伸部26伸入环形槽体27内的端部与环形槽体27的底部之间的间隙，以保证沉积物不会穿过该间隙。另外，在基座22位于工艺位置时，环形延伸部26的顶端高度不高于用于传输被加工工件23的传输装置在位于反应腔室内进行取片或放片时的高度，以避免环形槽体27对传输装置的运动产生干涉。
[0035]需要说明的是，在本实施例中，衬环25的底端位于环形槽体27的外侧壁外侧，且低于环形槽体27的槽口的位置处，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，衬环和环形延伸部也可以采用下述结构，具体地，如图5所示，衬环25’的底端位于环形槽体27的槽口上方，即，衬环25’的环壁采用上端开口大于下端开口的锥状结构，在这种情况下，在基座22位于工艺位置时，环形延伸部26’自衬环25’的底端竖直朝下延伸，并通过环形槽体27的槽口伸入环形槽体27内。
[0036]与之相类似的，衬环和环形延伸部还可以采用下述结构，即:如图6所示，衬环25’ ’的底端位于环形槽体27的外侧壁外侧，且高于环形槽体27的槽口的位置处，即，衬环25’’的环壁采用上端开口等于下端开口的柱状结构，在这种情况下，在基座22位于工艺位置时，环形延伸部26’ ’自衬环25’ ’的底端倾斜朝下延伸，即，先倾斜延伸至形槽体27的槽口上方，再竖直朝下延伸，并通过环形槽体27的槽口伸入环形槽体27内。在实际应用中，环形槽体的槽口尺寸应根据衬环和环形延伸部的不同结构进行设定，以在不影响反应腔室的使用容积的前提下，保证环形延伸部能够伸入环形槽体中。
[0037]还需要说明的是，在实际应用中，环形槽体的内侧壁的顶端应不低于基座22的外周壁的顶端，以保证环形槽体能够保护整个基座22的外周壁。容易理解，环形槽体的内侧壁的底端可以高于或低于基座22的外周壁的底端，也可以与基座22的外周壁的底端相平齐；而由于环形槽体的内侧壁的底端高度决定了环形槽体的深度，且环形槽体的深度对环形延伸部与环形槽体形成的保护壁的封闭性具有一定的影响，因而环形槽体的内侧壁的底端高度，或者环形槽体的深度的设定应能够保证环形延伸部与环形槽体形成的保护壁的封闭性。
[0038]作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种等离子体加工设备，其包括反应腔室，该反应腔室采用了本发明实施例提供的上述反应腔室。
[0039]本发明实施例提供的等离子体加工设备，其通过采用本发明实施例提供的上述反应腔室，不仅可以防止腔室壁以及反应腔室内的其他元件上附着沉积物，而且可以避免因屏蔽组件中的各个元件发生碰撞而掉落颗粒，从而可以提高产品质量。
[0040]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种反应腔室，包括用于承载被加工工件的基座、用于驱动所述基座上升至工艺位置或者下降至传输位置的升降驱动机构、屏蔽组件，其特征在于，所述屏蔽组件包括衬环和遮蔽环，其中 所述遮蔽环为槽口朝上，且环绕设置在所述基座的外周壁上的环形槽体； 所述衬环环绕在所述反应腔室的侧壁内侧，且所述衬环的顶端位于所述反应腔室的顶部，并在所述衬环的底端形成有环形延伸部，所述环形延伸部在所述基座位于所述工艺位置时，自所述衬环的底端延伸至所述环形槽体内，且不与所述环形槽体相接触。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述衬环的底端位于所述环形槽体的外侧壁外侧，且低于所述环形槽体的槽口的位置处； 所述环形延伸部在所述基座位于所述工艺位置时，自所述衬环的底端沿所述环形槽体的外侧壁朝上延伸，并通过所述环形槽体的槽口弯曲伸入所述环形槽体内。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述基座位于所述工艺位置时，所述环形延伸部的顶端高度不高于用于传输被加工工件的传输装置在位于所述反应腔室内进行取片或放片时的高度。
4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述衬环的底端位于所述环形槽体的外侧壁外侧，且高于所述环形槽体的槽口的位置处，或者位于所述环形槽体的槽口上方； 所述环形延伸部在所述基座位于所述工艺位置时，自所述衬环的底端倾斜或竖直朝下延伸，并通过所述环形槽体的槽口伸入所述环形槽体内。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室，其特征在于，在所述基座位于所述传输位置时，所述环形槽体的顶端高度不高于用于传输被加工工件的传输装置在位于所述反应腔室内进行取片或放片时的高度。
6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述基座上表面的中心区域形成有凸台，所述被加工工件置于所述凸台上； 在所述基座上表面的环绕所述凸台的边缘区域上设置有沉积环，用以防止暴露在等离子体环境中的所述基座上表面附着沉积物；并且，所述沉积环的顶端不高于所述凸台的顶端。
7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述环形槽体的内侧壁紧靠所述基座的外周壁设置，且在所述环形槽体的内侧壁顶端设置有连接部，所述连接部自所述环形槽体的内侧壁顶端弯曲叠置在所述基座上表面的边缘区域上； 所述沉积环设置在所述连接部上。
8.根据权利要求1或7所述的反应腔室，其特征在于，所述环形槽体与所述基座采用可拆卸地方式连接。
9.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述衬环与所述反应腔室的腔室壁采用可拆卸地方式连接。
10.一种等离子体加工设备，其包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用了权利要求1-9任意一项所述的反应腔室。
【专利摘要】本发明提供的反应腔室及等离子体加工设备，包括用于承载被加工工件的基座、用于驱动基座上升至工艺位置或下降至传输位置的升降驱动机构以及屏蔽组件，屏蔽组件包括衬环和遮蔽环，遮蔽环为槽口朝上，且环绕设置在基座的外周壁上的环形槽体；衬环环绕在反应腔室的侧壁内侧，且衬环的顶端位于反应腔室的顶部，并在衬环的底端形成有环形延伸部，该环形延伸部在基座位于工艺位置时，自衬环的底端延伸至环形槽体内，且不与环形槽体相接触。本发明提供的反应腔室，其可以避免因屏蔽组件中的各个元件发生碰撞而掉落颗粒，从而可以提高产品质量。
【IPC分类】C23C14-34
【公开号】CN104746019
【申请号】CN201310730743
【发明人】杨玉杰
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月26日