溅射装置及基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及溅射装置及基板处理装置。
【背景技术】
[0002]专利文献I公开了一种围绕传送腔室布置多个溅射装置的布置。在每个溅射装置中，在形成沉积腔室的容器的顶部布置有四个靶材。在这些靶材与基板保持件之间，布置有双重转动遮挡机构。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本专利特开2009-41108号
【发明内容】
[0006]技术问题
[0007]为了以高产出量形成许多膜以用于装置的制造，使用具有围绕传送腔室布置的多个溅射装置的基板处理装置是有利的。多个溅射装置可以通过闸阀围绕传送腔室布置。在这种情况中，为了围绕传送腔室布置更多的溅射装置，应缩小每个溅射装置在与通过闸阀传送基板的方向垂直的方向上的宽度，尤其是每个溅射装置在闸阀侧的宽度。
[0008]在专利文献I的图2所示的沉积腔室中，靶材35、36、37、38布置在假想等腰梯形的顶点处。布置在闸阀20侧的靶材36、38之间的距离小于布置在闸阀20对侧的靶材35、37之间的距离。这种布置对围绕传送腔室布置许多沉积腔室是有利的。
[0009]然而，每个靶材的背面侧设置有用于引起磁控放电的磁体。每个磁体通常布置为使得N极和S极中的一个磁极朝向沉积腔室的内侧方向，而另一个磁极朝向沉积腔室的外侧方向。通过布置在每个靶材的背面侧的磁体形成在沉积腔室内的磁场受到布置在每个相邻靶材的背面侧的磁体的影响。在专利文献I的图2所示的每个沉积腔室中，由于靶材35、36、37、38布置在假想等腰梯形的顶点处，形成在各个靶材的正面的磁场可以彼此不同。例如，形成在靶材35的正面的磁场受到用于靶材36、37、38的磁体的影响，而形成在靶材36的正面的磁场受到用于靶材35、37、38的磁体的影响。由于靶材36、37、38相对于靶材35的位置不同于革G材35、37、38相对于革El材36的位置，形成在革El材35的正面的磁场可以不同于形成在靶材36的正面的磁场。因此，在专利文献I的图2所示的布置中，溅射特性可以根据待使用的靶材的布置位置而改变。
[0010]本发明通过对上述问题的认识而产生，其目的在于提供一种溅射装置，该溅射装置例如有利于围绕传送腔室布置，并有利于降低可以因待使用的靶材的位置而产生的溅射特性的差异。
[0011]问题的解决方案
[0012]根据本发明的第一方面，提供一种溅射装置，该溅射装置包括腔室、被构造用于在腔室中保持基板并围绕与在其上保持所述基板的表面垂直的轴线转动的基板保持件、以及被构造用于分别保持靶材的第一至第四靶材保持件，其中基板通过闸阀在腔室的内部空间与腔室的外部空间之间被传送，溅射装置还包括被构造用于从由第一至第四靶材保持件分别保持的四个靶材选择用于溅射的靶材的遮挡单元，其中第一至第四靶材保持件布置在具有长边及短边并内接于以所述轴线为中心的假想圆的假想长方形的顶点上，其中第一靶材保持件和第二靶材保持件分别布置在假想长方形的限定一个短边的两个顶点上，并且第一靶材保持件和第二靶材保持件到闸阀的距离小于第三靶材保持件和第四靶材保持件到闸阀的距离。
[0013]根据本发明的第二方面，提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括具有多个连接表面的传送腔室，以及与所述多个连接表面中的至少一个相连的溅射装置，其中溅射装置包括根据第一方面的溅射装置，并且由所述多个连接表面的相邻连接表面限定的角度大于90度。本发明的有利效果
[0014]本发明提供一种溅射装置，该溅射装置例如有利于围绕传送腔室布置，并且有利于降低因待使用的靶材的位置而产生的溅射特性的差异。
【附图说明】
[0015]图1A是根据本发明的一个实施例的溅射装置的示意性平面图；
[0016]图1B是根据本发明的一个实施例的溅射装置的示意性剖面图；
[0017]图2A是示出第一遮挡件的布置实例的视图；
[0018]图2B是示出第二遮挡件的布置实例的视图；
[0019]图3A是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0020]图3B是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0021]图4A是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0022]图4B是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0023]图5A是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0024]图5B是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0025]图6A是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0026]图6B是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0027]图7A是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0028]图7B是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0029]图7C是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0030]图7D是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；
[0031]图8是根据本发明的一个实施例的溅射装置的示意性剖面图；
[0032]图9是根据本发明的一个实施例的基板处理装置的剖面图；以及
[0033]图10是用于说明提供在根据本发明的一个实施例的基板处理装置中的控制器的框图。
【具体实施方式】
[0034]下面，参照附图，将通过示例性实施例对本发明进行说明。
[0035]图1A和图1B是根据本发明的一个实施例的溅射装置100的示意性平面图和示意性剖面图。溅射装置100包括腔室7、基板保持件108、及第一至第四靶材保持件91、92、93、94。基板保持件108可以在腔室7中保持基板109，并且围绕与基板109的表面垂直的轴线8转动。第一至第四靶材保持件91、92、93、94分别保持靶材T1、T2、T3、T4。第一至第四靶材保持件91、92、93、94沿以轴线8为中心的假想圆VC以第一靶材保持件91、第二靶材保持件92、第三靶材保持件93、第四靶材保持件94的顺序顺时针布置。溅射装置100设置有闸阀6，基板109通过闸阀6在腔室7的内部空间与外部空间之间传送。
[0036]溅射装置100还包括用于从由第一至第四靶材保持件91、92、93、94分别保持的四个靶材Τ1、Τ2、Τ3、Τ4中选择用于溅射的靶材的遮挡单元SU。遮挡单元SU可以包括可以围绕轴线8转动的第一遮挡件111及第二遮挡件112、以及分别转动第一遮挡件111及第二遮挡件112的驱动单元110。
[0037]第一遮挡件111及第二遮挡件112每个可以具有至少一个开口。如果第一遮挡件111及第二遮挡件112每个具有两个开口，可以同时使用两个靶材进行