溅射装置及基板处理装置的制造方法_3

文档序号:8500824阅读:来源:国知局
7Β所示的情况中,由于靶材Τ1、Τ2之间的间隔大于开口 Η1、Η2之间的间隔,因此相较于靶材Τ1、Τ2之间的间隔小于开口 Η1、Η2之间的间隔的情况,污染靶材Τ3的可能性更低。
[0050]图5Α、图5Β和图7C例示出靶材Τ1、Τ2、Τ3、Τ4中的任一个均不用于溅射的情况。图6Α、图6Β和图7D例示靶材Tl、Τ2、Τ3、Τ4中的靶材Τ2、Τ3同时用于溅射的情况(即,同时进行溅射的状态)。
[0051]尽管接下来参照图8,将对与溅射装置100的构造相关联的实施例进行说明,本发明的技术范围不局限于该实施例。根据一个实施例,靶材Τ1、Τ2、Τ3、Τ4的中心中的每一个与轴线8之间的距离Rl为240mm,靶材T1、T2、T3、T4的中心中的每一个与基板109的表面的距离(沿轴线8的距离)Wd为250mm,由靶材Tl、T2、T3、T4的中心中的每一个的法线与轴线8限定的夹角α为35度,基板109的直径Dw为300mm。在该实施例中,通过溅射形成在基板109上的膜的厚度分布的σ (标准偏差)为2%以下。
[0052]图9例示出包括围绕传送腔室300布置的一个或多个溅射装置100的基板处理装置。传送腔室300具有多个连接表面301。溅射装置100被连接到所述多个连接表面301中的至少一个。传送腔室300与溅射装置100通过闸阀6彼此相连。由所述多个连接表面301的相邻连接表面301限定的夹角A优选地大于90度。这使得可以围绕传送腔室300布置更多的溅射装置100。
[0053]图10示出了根据本实施例的控制器400的布置。控制器400包括输入单元400b、储存程序及数据的存储单元400c、处理器400d及输出单元400e,并且可以控制根据本实施例的溅射装置100。控制器400可以通过使处理器400d读出并执行储存在存储单元400c的控制程序来控制溅射装置100的操作。即,驱动单元110在控制器400的控制下运行以使第一遮挡件111及第二遮挡件112运行,如图3A到图7D所示。注意到,控制器400可以独立于溅射装置100提供,也可以包含在溅射装置100中提供。另外,控制器400被连接到控制施加到靶材T1、T2、T3、T4的电力(S卩,施加到靶材保持件91、92、93、94的电力)的电源,并且可以根据对每个靶材的电力供给控制驱动单元110。
[0054]本申请要求于2012年11月30日提交的日本专利申请N0.2012-263648的优先权,上述专利申请将通过引用而全部并入本发明的说明书中。
【主权项】
1.一种溅射装置,所述溅射装置包括腔室、被构造用于在所述腔室中保持基板并围绕与在其上保持所述基板的表面垂直的轴线转动的基板保持件、及被构造用于分别保持靶材的第一至第四靶材保持件,其中所述基板通过闸阀在所述腔室的内部空间与所述腔室的外部空间之间传送,所述溅射装置包括: 遮挡单元,所述遮挡单元被构造用于从由所述第一至第四靶材保持件分别保持的四个靶材中选择用于溅射的靶材, 其中所述第一至第四靶材保持件布置在具有长边及短边并内接于以所述轴线为中心的假想圆的假想长方形的顶点上,以及 其中所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件分别布置在所述假想长方形的限定一个短边的两个顶点上,并且所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件到所述闸阀的距离小于所述第三靶材保持件及所述第四靶材保持件到所述闸阀的距离。
2.根据权利要求1所述的溅射装置,其中所述第一至第四靶材保持件中的每一个将靶材保持在靶材的表面相对于由所述基板保持件保持的基板的表面倾斜的姿势。
3.根据权利要求1或2所述的溅射装置,其中所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件到所述闸阀的距离彼此相等。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的溅射装置,其中所述第一至第四靶材保持件沿所述假想圆以所述第一靶材保持件、所述第二靶材保持件、所述第三靶材保持件、所述第四靶材保持件的顺序相继布置, 所述遮挡单元包括被构造用于围绕轴线转动的第一遮挡件及第二遮挡件, 所述第一遮挡件及所述第二遮挡件被布置为在沿所述轴线的方向上相互间隔, 所述第一遮挡件具有布置在以所述轴线为中心的一个假想圆上的两个开口,所述第二遮挡件具有布置在以所述轴线为中心的一个假想圆上的两个开口,以及 具有分别对应于所述第一遮挡件的所述两个开口的中心的两端的弧的中心角等于具有分别对应于能够从所述第一至第四靶材保持件中选择的相邻靶材保持件的中心的两端的弧的中心角,具有分别对应于所述第二遮挡件的所述两个开口的中心的两端的弧的中心角等于具有分别对应于能够从所述第一至第四靶材保持件中选择的相邻靶材保持件的中心的两端的弧的中心角。
5.根据权利要求4所述的溅射装置,其中具有分别对应于所述第一遮挡件的所述两个开口的中心的两端的弧的中心角等于具有分别对应于所述第二靶材保持件及所述第三靶材保持件的中心的两端的弧的中心角,具有分别对应于所述第二遮挡件的所述两个开口的中心的两端的弧的中心角等于具有分别对应于所述第二靶材保持件及所述第三靶材保持件的中心的两端的弧的中心角。
6.根据权利要求4所述的溅射装置,其中具有分别对应于所述第一遮挡件的所述两个开口的中心的两端的弧的中心角等于具有分别对应于所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件的中心的两端的弧的中心角,具有分别对应于所述第二遮挡件的所述两个开口的中心的两端的弧的中心角等于具有分别对应于所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件的中心的两端的弧的中心角。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的溅射装置,其中所述第一遮挡件布置在所述第一至第四靶材保持件与所述第二遮挡件之间,以及 当由所述第一至第四靶材保持件分别保持的四个靶材中的仅一个靶材被用于溅射时,所述第一遮挡件被控制为使得所述第一遮挡件的所述两个开口中的一个面对所述一个靶材、而另一个开口不面对所述四个靶材中的任一个。
8.一种基板处理装置,所述基板处理装置包括: 传送腔室,所述传送腔室具有多个连接表面;以及 溅射装置,所述溅射装置被连接到所述多个连接表面中的至少一个, 其中所述溅射装置包括由权利要求1到7中任一项限定的溅射装置,以及 由所述多个连接表面的相邻连接表面限定的夹角大于90度。
【专利摘要】一种溅射装置,所述溅射装置包括腔室、可以在所述腔室中保持基板并围绕与在基板保持表面垂直的轴线转动的基板保持件、第一至第四靶材保持件、遮挡单元、及通过其传送基板的闸阀。第一至第四靶材保持件布置在具有长边及短边并内接于以所述轴线为中心的假想圆的假想长方形的顶点上,第一靶材保持件及第二靶材保持件分别布置在假想长方形的限定一个短边的两个顶点上,并且第一靶材保持件及第二靶材保持件到闸阀的距离小于第三靶材保持件及第四靶材保持件到闸阀的距离。
【IPC分类】C23C14-34
【公开号】CN104822856
【申请号】CN201380062362
【发明人】石原繁纪, 小长和也, 户谷宽行, 须田真太郎, 安松保志, 藤本雄, 中泽俊和, 中村英司, 今井慎
【申请人】佳能安内华股份有限公司
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2013年8月23日
【公告号】DE112013005732T5, US20150262796, WO2014083728A1
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