专利名称：一种三氯氢硅提纯方法
技术领域：
本发明涉及一种化工材料的提纯方法，具体地讲是涉及一种三氯氢硅 的提纯方法。
背景技术：
硅单晶片气相外延片是生产电脑芯片及半导体器件的原料，被称为"微 电子大厦的基石"，而三氯氢硅提纯技术是生产气相外延片的关键技术之 一。现有三氯氢硅提纯工艺由蒸馏釜、提纯塔和塔顶冷凝器顺序连接而成， 属于超高纯工艺，从原料被投入精馏釜以后，到产品被充装到不锈钢瓶中， 生产过程完全是管道化，不暴露在大气环境中与空气接触，保证产品不被 污染，实现精馏除杂、自动充装及称重一体化，并且生产成本大大降低。
实用低成本且可以满足客户需求的三氯氢硅的提纯方法未见报道。
发明内容
为了概括本发明的目的，在这里描述了本发明的某些方面、优点和新 颖特征。应了解，无需所有这些方面、优点和特征包含在任一特殊的实施
为了解决上述现有技术中所存在的问题，本发明的目的是设计一种三 氯氢硅提纯方法，其技术方案是-
一种三氯氢硅提纯方法，其特征在于
将粗三氯氢硅投入进口 316L的不锈钢制作的双塔连续精馏釜中进行回 流5-7小时，除去总体积量的8-10%的低沸物，控制温度为31.5-32.5'C间，按13-17: 1回流比截取产品，产品灌装于预先清洗好的产品罐中，保留 18-21%的高沸物在精馏系统内，并在精馏系统冷却时，补充氢气，使其保 持恒温恒压。
本发明采用氢气的优点1)用户在使用电子级三氯氢硅产品时，载气 是氢气。氢气也是用户使用三氯氢硅生产产品时的辅助材料。本发明创造 采用氢气保护主要是与用户接轨。2) —般生产电子级三氯氢硅企业是采用 高纯氮气来保护，而氮气对用户来说在生产产品时会产生有害的副产物。 经过用户生产使用，完全满足用户的要求。
图1是本发明三氯氢硅提纯方法的流程图。
具体实施例方式
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细地说明。
如图l所示为本发明的三氯氢硅提纯方法的流程图，它包括以下步骤
将粗三氯氢硅投入进口 316L的不锈钢制作的双塔连续精馏釜中进行回 流5-7小时，除去总体积量的8-10%的低沸物，控制温度为31. 5-32. 5'C间， 按13-17: l回流比截留产品，产品灌装于预先清洗好的产品罐中，保留总 体积量的18_21%的高沸物在精馏系统内，并在精馏系统冷却时，补充氢气， 使其保持恒温恒压。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，但它们并不是用来限定本发明， 任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内，自当可作各种变化 或润饰，因此本发明的保护范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定 的为准。
权利要求
1、一种三氯氢硅提纯方法，其特征在于将粗三氯氢硅投入双塔连续精馏釜中进行回流5-7小时，除去总体积量的8-10％的低沸物，控制温度为31.5-32.5℃间，按13-17∶1回流比截取产品，产品灌装于预先清洗好的产品罐中，保留总体积量的18-21％的高沸物在精馏系统内，并在精馏系统冷却时，补充氢气，使其保持恒温恒压。
2、 根据权利要求1所述的三氯氢硅提纯方法，其特征在于所述双塔 连续精馏釜为进口 316L的不锈钢制作的双塔连续精馏釜。
全文摘要
一种三氯氢硅提纯方法，将粗三氯氢硅投入进口316L的不锈钢制作的双塔连续精馏釜中进行回流5-7小时，除去总量8-10％的低沸物，控制温度为31.5-32.5℃间，按13-17∶1回流比截留产品，保留18-21％的高沸物，并在三氯氢硅冷却时，补充氢气，使其保持恒温恒压。本发明创造采用氢气保护主要是与用户接轨。
文档编号C01B33/00GK101591019SQ200910032539
公开日2009年12月2日 申请日期2009年7月1日 优先权日2009年7月1日
发明者夏建保, 赵立奎, 黄和明 申请人:南京锗厂有限责任公司