专利名称：三氯氢硅合成炉筒体装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于气固相反应与化工技术领域，具体是涉及三氯氢硅合成反应过程 中流化床的床层高度与分离段高度的关系。
背景技术：
三氯氢硅合成炉筒体包括筒体法兰、流化床层段、分离段。生产实践中发现筒体长 度及长径比制约着硅粉的分离效果，当硅粉在合成炉内反应时，沸腾炉分离高度低，造成硅 粉分离效果差。通过进一步研究，发现筒体长径比在10 20 1最佳，若筒体流化床层高度不变， 仅增加分离段高度，效果更好。
实用新型内容本实用新型旨在针对三氯氢硅合成炉筒体由于长径比小，造成硅粉分离效果差的 问题，提供一种三氯氢硅合成炉筒体装置，在流化床层高度不变情况下通过设置适当的分 离段长度达到提高硅粉分离效果的目的。为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下三氯氢硅合成炉筒体装置，其特征在于筒体长径比为10 20 :1。所述筒体的分离段高度与流化床层高度比为7 15 :1。所述三氯氢硅合成炉筒体直径为800mm，高度为16000mm。所述三氯氢硅合成炉筒体直径为800mm，高度为8000mm。所述三氯氢硅合成炉筒体分离段高度为15000mm，流化床层高度为1000mm。所述三氯氢硅合成炉筒体分离段高度为7000mm，流化床层高度为1000mm。本实用新型的有益效果表现在一、增大了流化床的分离段高度，增强了分离效果在流化床床层的总高度上，增加分离段的高度，分离效果增强；二、没有完全反应的气体在分离段继续反应，增加了氯化氢单程反应的收率。正确设计流化床的分离段高度，可以回收粒径较大的硅粉颗粒，减少硅粉损 失，对三氯氢硅合成节能降耗是有利的。四、采用本实用新型的技术指标三氯氢硅合成炉筒体长度筒体直径> 10 20 :1。
图1为本实用新型结构示意图图中标记1筒体法兰、2流化床层段、3分离段。具体实施例实施例1三氯氢硅合成炉筒体直径为800mm，高度为16000mm。实施例2三氯氢硅合成炉筒体直径为800mm，高度为8000mm。实施例3三氯氢硅合成炉筒体分离段高度为15000mm，流化床层高度为1000mm。实施例4三氯氢硅合成炉筒体分离段高度为7000mm，流化床层高度为1000mm。
权利要求1.三氯氢硅合成炉筒体装置，其特征在于筒体长径比为10 20:1。
2.根据权利要求1所述的三氯氢硅合成炉筒体装置，其特征在于所述筒体的分离段 高度与流化床层高度比为7 15 :1。
3.根据权利要求1或2所述的三氯氢硅合成炉筒体装置，其特征在于所述三氯氢硅 合成炉筒体直径为800mm，高度为16000mm。
4.根据权利要求1或2所述的三氯氢硅合成炉筒体装置，其特征在于所述三氯氢硅 合成炉筒体直径为800mm，高度为8000mm。
5.根据权利要求1或2所述的三氯氢硅合成炉筒体装置，其特征在于所述三氯氢硅 合成炉筒体分离段高度为15000mm，流化床层高度为1000mm。
6.根据权利要求1或2所述的三氯氢硅合成炉筒体装置，其特征在于所述三氯氢硅 合成炉筒体分离段高度为7000mm，流化床层高度为1000mm。
专利摘要本实用新型旨在针对三氯氢硅合成炉筒体由于长径比小，造成硅粉分离效果差的问题，提供一种三氯氢硅合成炉筒体装置，具体的是筒体长径比为10～201。本实用新型在流化床层高度不变情况下通过设置适当的分离段长度达到提高硅粉分离效果的目的。
文档编号C01B33/107GK201850147SQ20102059416
公开日2011年6月1日 申请日期2010年11月5日 优先权日2010年11月5日
发明者梁进 申请人:乐山永祥硅业有限公司