专利名称：制备小晶粒ssz-32的方法
技术领域：
本发明总体上涉及制备包括小晶粒中孔径沸石、特别是SSZ-32的催化剂的方法。
背景技术：
小晶粒SSZ-32 (下文称作SSZ-32X)与标准SSZ-32相比具有受限较小的结晶度，改变的氩气吸附比、外表面积增加且裂化活性比用于多种催化方法的其它中孔径分子筛降低。SSZ-32X及其制备方法公开于美国专利N0.7，390, 763和7，569，507中。这两种方法均需要咪唑鎗阳离子和作为模板的胺组分的组合。需要改善的SSZ-32X制备方法。发明概述在一方面，本发明涉及制备小晶粒沸石的方法，该方法包括制备包含以下物质的反应混合物:至少一种硅氧化物活性源、至少一种铝氧化物活性源、至少一种碱金属活性
源、氢氧根离子、和具有以下结构的有机模板剂:
权利要求
1.制备小晶粒沸石的方法，该方法包括: (a)制备包含以下物质的反应混合物: (i)至少一种硅氧化物活性源； ( )至少一种铝氧化物活性源； (iii)至少一种碱金属活性源； (iv)氢氧根离子；和 (V)具有以下结构的有机模板剂:
2.权利要求1的方法，其中所述反应混合物，有落入下歹I」范围的摩尔比组成:
3.权利要求2的方法，其中H20/Si02摩尔比为15-20。
4.权利要求1的方法，其中所述至少一种硅氧化物活性源和至少一种铝氧化物活性源得自共同源。
5.权利要求1的方法，其中所述有机模板剂是N-甲基-N’-异丙基咪唑鎗氢氧化物。
6.权利要求1的方法，其中所述有机模板剂是N，N’- 二异丙基咪唑鎗氢氧化物。
7.权利要求1的方法，其中足以生成沸石晶体的条件包括在175°C_190°C的第一温度下将反应混合物加热12-48小时的时段；以及将该反应混合物的第一温度降低至140°C _170°C的第二温度并持续合适的时段以形成沸石晶体。
8.权利要求1的方法，其中所述沸石以其合成后原样形式具有20至小于40的二氧化硅与氧化铝摩尔比。
9.权利要求1的方法，其中所述沸石具有10-40纳米的晶粒尺寸。
10.权利要求1的方法，其中所述沸石具有12-20纳米的晶粒尺寸。
11.根据权利要求1的方法，其中所述沸石以其煅烧形式具有基本上如下表中所示的X-射线衍射图案:
12.权利要求1的方法，该方法还包括监测所述反应混合物的至少一种测粘参数；以及确定终点。
13.权利要求12的方法，所述反应混合物的至少一种测粘参数选自粘度剪切速率指数、实测粘度、或它们的组合。
14.权利要求12的方法，其中所述终点基于所述反应混合物的实测粘度的变化、所述反应混合物的PH的变化、或它们的组合来确定。
全文摘要
本发明涉及在不存在胺组分的情况下制备小晶粒沸石，例如小晶粒SSZ-32的方法。
文档编号C01B39/50GK103153860SQ201180049290
公开日2013年6月12日 申请日期2011年10月21日 优先权日2010年11月5日
发明者S·I·佐恩斯, B·李, 袁伦德, T·M·达维斯, J·N·泽莫, A·奥尤 申请人:雪佛龙美国公司