本发明涉及氧化铝粉体制备技术领域，具体的说是涉及一种高纯度氧化铝的制备方法。
背景技术：
目前应用于电子材料以及led荧光粉、pdp荧光粉、三基色荧光粉等领域的高纯氧化铝主要以胆碱水解法、金属铝水解法、硫酸铝铵法，用上述方法生产的氧化铝的形貌主要是片状、针状、絮状，采用上述粉体生产的荧光粉形貌差、亮度低、分散性不好易团聚，不仅做成灯具后光通量小、光衰快，且上述方法成本高，对环境污染大。
技术实现要素：
本发明的目的就在于提供一种高纯度氧化铝的制备方法，以有效克服上述现有技术的不足。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种高纯度氧化铝的制备方法，它包括以下步骤：a.氢氧化铝与片碱反应生成偏铝酸钠溶液；b.提纯偏铝酸钠溶液，除去偏铝酸钠溶液中的杂质离子；c.稀释；d.加入高分子分散剂；e.加热搅拌，通入co2气体；f.洗涤氢氧化铝，去除氢氧化铝中的游离钠离子；g.水热反应；h.干燥，煅烧。
优选的，所述氢氧化铝与片碱反应生成偏铝酸钠溶液的反应条件为氢氧化铝：片碱分子为1.4：1.6，其反应温度为140～150℃，反应时间2h。
优选的，所述提纯方法为采用脱硅剂进行两段深度脱硅，采用细小氢氧化铝为种分晶种，种分分解率控制在4～6%，后过滤以去除铝酸钠溶液中的铁、钙、铜等金属离子。
优选的，所述稀释为将偏铝酸钠溶液稀释到50～80g/l。
优选的，所述高分子分散剂为丙烯酸酯或马来酸酯，其高分子分散剂加入量为铝酸钠溶液中氧化铝含量的1～5%。
所述步骤e中co2流量为0.8～1.2t/h，温度60～80℃，搅拌转速400～600r/min，反应时间为200～300min，分解终点控制在80～95%。
优选的，所述步骤f洗涤后na2o小于或等于0.2%。
优选的，所述水热反应在高压反应釜中进行，反应时加入除钠剂，反应条件为温度为120～130度，压力为0.2～0.5mpa，反应时间为6～8h。
优选的，所述步骤h干燥前na2o小于或等于0.002%；煅烧前水分小于或等于3%，煅烧在高温电窑中煅烧，煅烧温度1000～1200度。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：采用本发明生产的高纯度氧化铝铝形貌为球形，粒度分布好、分散性好，不仅做成灯具后光通量大、光衰慢，且本方法成本低，对环境污染小。
具体实施方式
下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
一种高纯度氧化铝的制备方法，它包括以下步骤：a.氢氧化铝与片碱反应生成偏铝酸钠溶液；b.提纯偏铝酸钠溶液，除去偏铝酸钠溶液中的杂质离子；c.稀释；d.加入高分子分散剂；e.加热搅拌，通入co2气体；f.洗涤氢氧化铝，去除氢氧化铝中的游离钠离子；g.水热反应；h.干燥，煅烧。
所述氢氧化铝与片碱反应生成偏铝酸钠溶液的反应条件为氢氧化铝：片碱分子为1.4：1.6，其反应温度为145℃，反应时间2h。
所述提纯方法为采用脱硅剂进行两段深度脱硅，采用细小氢氧化铝为种分晶种，种分分解率控制在5%，后过滤以去除铝酸钠溶液中的铁、钙、铜等金属离子。
所述稀释为将偏铝酸钠溶液稀释到70g/l。
所述高分子分散剂为丙烯酸酯或马来酸酯，其高分子分散剂加入量为铝酸钠溶液中氧化铝含量的3%。
所述步骤e中co2流量为1.0t/h，温度70℃，搅拌转速500r/min，反应时间为260min，分解终点控制在90%。
所述步骤f洗涤后na2o小于或等于0.2%。
所述水热反应在高压反应釜中进行，反应时加入除钠剂，反应条件为温度为125度，压力为0.4mpa，反应时间为7h。
所述步骤h干燥前na2o小于或等于0.002%；煅烧前水分小于或等于3%，煅烧在高温电窑中煅烧，煅烧温度1100度。
上述仅为本发明的一种实施例，并不用以限制本发明，本领域的技术人员可以对上述结构作各种变化和改进，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改等同替换和改进，均应包含在本发明的保护范围之内。