一种氮化铝单晶纳米管阵列的生长方法与流程

技术特征：

1.一种单晶氮化铝纳米管阵列的生长方法，其特征在于，具体步骤为：

（1）在衬底上生长单晶结构的ZnO纳米线；

（2）在ZnO纳米线上ALD生长AlN单晶薄膜，其中，生长温度为200-500℃；

（3）去除ZnO纳米线模板，得到排列整齐、管壁厚度可控的单晶AlN纳米管阵列。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述衬底为半导体材料、金属片或有机物。

3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述的生长单晶ZnO纳米线的方法为水热法、MOCVD或PLD方法。

4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述的ALD生长AlN单晶薄膜，使用热生长ALD方法或者等离子助原子层沉积方法。

5. 根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述的AlN单晶薄膜的厚度低至1 nm。

6.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，AlD生长AlN所需的Al源为三甲基铝或三氯化铝，N源为氨气、氮气等离子体或氮氢混合气等离子体。

7. 根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，ALD生长AlN时Al源和N源的温度为18-25℃，反应腔的温度保持在200-500℃之间，反应基压为1-10 Torr。

8.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述的去除ZnO纳米线模板的方法，使用高温条件下在H₂气或N₂/H₂气中退火的方法，或者使用乙酸溶液或氨水浸泡的方法。