技术总结
本发明属于半导体纳米技术领域，具体为单晶氮化铝（AlN）纳米管阵列的生长方法。本发明在低温条件下，使用ZnO纳米线阵列作为模板，使用原子层沉积镀膜（ALD）方法在ZnO纳米线上生长AlN单晶薄膜，生长温度设在200‑500℃之间，最后通过去除ZnO纳米线模板，得到排列整齐、管壁厚度均匀可控的单晶AlN纳米管阵列。本发明的优点是在低温条件下实现了AlN单晶纳米管阵列的生长，极大降低了对生长温度和对真空度的要求，其工艺简单，生长成本低。本发明在基于AlN的深紫外发光器件、压电器件、表面与体声波器件、场发射器件方面有着广阔的应用前景。
技术研发人员：卢红亮;张远;丁士进;张卫
受保护的技术使用者：复旦大学
文档号码：201611007174
技术研发日：2016.11.16
技术公布日：2017.05.31