1.一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，其特征在于一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法是按照以下步骤进行的：
一、石墨片的表面处理：
将石墨片用透明胶带粘去表层，然后依次利用无水乙醇、丙酮及去离子水分别超声清洗10min～20min，得到清洗后的石墨片，将清洗后的石墨片置于真空干燥箱中干燥，干燥温度为60℃～80℃，时间为15min～30min，将干燥后的石墨片冷却至室温，得到表面处理后的石墨片；
二、利用等离子体刻蚀法在石墨上制备金刚石：
将表面处理后的石墨片置于微波等离子化学气相沉积装置中，在氢气流速为50sccm～1000sccm、温度为200℃～1200℃、压强为100mbar～500mbar及微波功率为1800W～5000W的条件下，沉积30min～24h，得到等离子体刻蚀石墨制备的金刚石；
三、分散金刚石颗粒：
将等离子体刻蚀石墨制备的金刚石从石墨片表面刮下，得到团聚的金刚石颗粒，用不锈钢研钵研磨并敲打团聚的金刚石颗粒25min～35min，得到研磨后的金刚石颗粒，在水浴加热温度为50℃～80℃的条件下，将研磨后的金刚石颗粒置于质量百分数为20％～70％的硫酸中30min～1h，再用去离子水清洗金刚石颗粒，直至洗涤液的pH为7，然后依次利用丙酮及酒精分别超声清洗25min～35min，得到清洗后的金刚石颗粒，最后将清洗后的金刚石颗粒置于真空干燥箱中进行干燥，即完成等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，其特征在于步骤一中所述的石墨片为高定向热解石墨片、鳞片石墨片、土状石墨片或多晶石墨片。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，其特征在于步骤一中所述的石墨片的尺寸为10×10×1mm到30×30×10mm。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，其特征在于步骤二中将表面处理后的石墨片置于微波等离子化学气相沉积装置中，在氢气流速为200sccm、温度为200℃～1200℃、压强为100mbar～500mbar及微波功率为1800W～5000W的条件下，沉积30min～24h。
5.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，其特征在于步骤二中将表面处理后的石墨片置于微波等离子化学气相沉积装置中，在氢气流速为50sccm～1000sccm、温度为900℃、压强为100mbar～500mbar及微波功率为1800W～5000W的条件下，沉积30min～24h。
6.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，其特征在于步骤二中将表面处理后的石墨片置于微波等离子化学气相沉积装置中，在氢气流速为50sccm～1000sccm、温度为200℃～1200℃、压强为200mbar及微波功率为1800W～5000W的条件下，沉积30min～24h。
7.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，其特征在于步骤二中将表面处理后的石墨片置于微波等离子化学气相沉积装置中，在氢气流速为50sccm～1000sccm、温度为200℃～1200℃、压强为100mbar～500mbar及微波功率为1800W～5000W的条件下，沉积12h。
8.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，其特征在于步骤二中将表面处理后的石墨片置于微波等离子化学气相沉积装置中，在氢气流速为200sccm、温度为900℃、压强为200mbar及微波功率为1800W～5000W的条件下，沉积12h。
9.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，其特征在于步骤二中将表面处理后的石墨片置于微波等离子化学气相沉积装置中，在氢气流速为50sccm～1000sccm、温度为200℃～900℃、压强为100mbar～200mbar及微波功率为1800W～5000W的条件下，沉积30min～12h。
10.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，其特征在于步骤二中将表面处理后的石墨片置于微波等离子化学气相沉积装置中，在氢气流速为50sccm～1000sccm、温度为900℃～1200℃、压强为200mbar～500mbar及微波功率为1800W～5000W的条件下，沉积12h～24h。