技术总结
本发明公开了中温烧结的无铅高压电容器介质瓷料及制备方法，由以下原料组分(重量份)制备而成：100份Sr0.78Ca0.20Ba0.02TiO3、8～20份Bi2O3·2TiO2、0.05～0.35份MnCO3、0.05～0.30份Co2O3、0.01～0.08份MgTiO3、0～0.20份Al2O3、0～0.10份Nb2O5、0～0.08份HfO2、1～2份烧结助剂；通过球磨、干燥、研磨及过筛制得。本发明主要通过改变Bi2O3·2TiO2的含量来调整该电容器介质瓷料的介电常数及绝缘电阻，及选择不同掺杂改性元素改善介质瓷料的综合性能，最终获得的介质瓷料具备高介电常数、低损耗、高绝缘电阻率和很高的击穿强度。该介质瓷料实现中温烧结且不含铅，可用于制备高压多层瓷介电容器(MLCC)，具有重大的实用价值及市场价值。
技术研发人员：程华容;杜红炎;杨魁勇;宋蓓蓓;孙淑英;王金生
受保护的技术使用者：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
文档号码：201710018252
技术研发日：2017.01.10
技术公布日：2017.05.10