技术特征：
技术总结
本发明公开了一种纳米粒子诱导外延生长制备YBCO薄膜的方法，该方法为：一、制备HoxCe1‑xO2‑δ纳米粒子的分散液或者DyxCe1‑xO2‑δ纳米粒子的分散液；二、将HoxCe1‑xO2‑δ纳米粒子的分散液或者DyxCe1‑xO2‑δ纳米粒子的分散液涂敷于衬底上，干燥后得到表面修饰纳米粒子的衬底；三、将HoxCe1‑xO2‑δ纳米粒子的分散液或DyxCe1‑xO2‑δ纳米粒子的分散液加入到YBCO前驱液中，搅拌均匀后旋涂在表面修饰纳米粒子的衬底上，再置于石英管式炉中，在氩氧混合气下晶化，在氧气气氛中进行渗氧处理，随炉冷却后得到纳米粒子诱导取向增强的YBCO薄膜。本发明制备了具有c轴取向优势的立方状的纳米粒子，该纳米粒子通过自组装行为修饰衬底表面，诱导超导层外延取向生长，同时超导层中引入立方状纳米粒子，充分增加超导层的磁通钉扎性能。
技术研发人员：金利华;冯建情;王耀;李成山;刘国庆;贾佳林;张平祥
受保护的技术使用者：西北有色金属研究院
技术研发日：2017.09.11
技术公布日：2017.12.12