RAMO4基板和III族氮化物结晶的制造方法与流程

技术特征：

1.一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4表示的单晶体的RAMO4单晶基板，

通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素，

所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽，

所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ，

将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将所述凸部的高度记作Wy时，

满足tanθ≤Wy/Wx。

2.根据权利要求1所述的RAMO4基板，其中，所述Wx、所述Wy和所述θ分别满足1μm≤Wx≤360μm、0.36μm≤Wy≤1000μm、0°＜θ≤20°。

3.根据权利要求1所述的RAMO4基板，其中，所述Wx、所述Wy和所述θ分别满足16.6μm≤Wx≤301.1μm、0.88μm≤Wy≤28.7μm、0°＜θ≤11.1°。

4.根据权利要求1所述的RAMO4基板，其中，在所述RAMO4单晶基板的所述凸部的顶面上还具备III族氮化物晶种层。

5.根据权利要求1所述的RAMO4基板，其中，所述通式中的R为Sc、A为Al、M为Mg。

6.一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：

(i)准备包含RAMO4单晶基板的RAMO4基板的工序，

所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽，且包含通式RAMO4表示的单晶体，

通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素，

所述主面相对于所述单晶的劈开面具有偏离角θ，将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将所述凸部的高度记作Wy时，

满足tanθ≤Wy/Wx；

(ii)使III族氮化物结晶在所述RAMO4基板的所述RAMO4单晶基板的所述凸部上生长的工序；以及

(iii)在所述RAMO4单晶基板的所述凸部内劈开所述单晶，将包含至少一部分所述RAMO4基板的部分与包含所述III族氮化物结晶的部分进行分离的工序。

7.根据权利要求6所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述RAMO4单晶基板的所述多个槽通过对所述单晶体照射激光而形成。

8.根据权利要求6所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述激光的波长范围为190nm以上且370nm以下。

9.根据权利要求5所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述Wx、所述Wy和所述θ分别满足1μm≤Wx≤360μm、0.36μm≤Wy≤1000μm、0°＜θ≤20°。

10.根据权利要求6所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述Wx、所述Wy和所述θ分别满足16.6μm≤Wx≤301.1μm、0.88μm≤Wy≤28.7μm、0°＜θ≤11.1°。

11.根据权利要求6所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述RAMO4基板还具备在所述RAMO4单晶基板的所述凸部的顶面上分别配置的III族氮化物晶种层，使所述III族氮化物结晶在所述III族氮化物晶种上生长。

12.根据权利要求6所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述通式中的R为Sc、A为Al、M为Mg。