RAMO4基板和III族氮化物结晶的制造方法与流程

文档序号:14828564发布日期:2018-06-30 09:28阅读:来源:国知局
技术总结
本发明的目的在于,提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板,其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中,R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素,A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素,M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板,所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽,所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ,将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx,并将所述凸部的高度记作Wy时,满足tanθ≤Wy/Wx。

技术研发人员:小松真介;冈山芳央;信冈政树
受保护的技术使用者:松下知识产权经营株式会社
技术研发日:2017.12.06
技术公布日:2018.06.29

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