半导体封装用支承玻璃的制作方法

本发明涉及半导体封装用支承玻璃。
背景技术：
：在半导体设备的领域，设备的集成度在提高，另一方面，设备的小型化在发展。与之相伴，具有高集成度的设备对封装技术的要求也提高。近年来，在半导体封装的领域，晶圆级封装(wlp)或者面板级封装(plp)等技术受到关注(参照专利文献1等)。该技术是例如将硅芯片置于玻璃基板上，用密封树脂进行模塑而密封的技术。由于能在比硅芯片的面积更大的面积上配置端子，因此能够实现高效的布线，作为结果能够提高每单位面积的集成度。另外，通过大面积化，能够降低成本。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2016－160135号公报技术实现要素：半导体封装的制造中，支承基板在制造中途被剥离(分离)。作为支承基板的剥离技术，已知基于激光等光照射的剥离、施加物理(机械)的力的剥离等。作为剥离方法，从生产率的观点出发，优选基于光照射的剥离。因此，作为支承基板，优选使用透光性好的玻璃基板。支承基板为玻璃基板的情况下，在处理时或经过生产线时，因与其他部件接触而破损的可能性高。以往已知的半导体封装用的支承玻璃，并未充分考虑防止破损。因此，可能因破损导致碎片在很大范围粉碎地飞散。这样的情况下会产生如下问题：生产线的清扫变得麻烦，碎片成为污染源等。鉴于上述那样的问题，根据本发明的一个方式，提供不易破损的或者破损时不易粉碎地飞散的半导体封装用支承玻璃。本发明的一个方式是比模量为30mnm/kg以上、50℃～350℃的平均热膨胀系数α为55～90×10－7/℃的半导体封装用支承玻璃。本发明的一个方式优选上述支承玻璃的母组成以氧化物基准的摩尔百分率表示，含有50～80％的sio2、1～30％的al2o3、0～5％的b2o3、0～4％的p2o5、0～20％的li2o、0～8％的na2o、0～10％的k2o、3～20％的mgo、0～20％的cao、0～20％的sro、0～15％的bao、0～10％的zno、0～1％的tio2、0～8％的zro2。本发明的一个方式优选上述支承玻璃的母组成不含有ta2o5、gd2o3、as2o3、sb2o3，并且，使用sio2、al2o3、b2o3、p2o5、li2o、na2o、k2o、mgo、cao、sro、bao和zro2的各成分的以氧化物基准的摩尔百分率表示的含量，根据下述式计算的x值为30000以上。x＝sio2×329+al2o3×786+b2o3×627+p2o5×(－941)+li2o×927+na2o×47.5+k2o×(－371)+mgo×1230+cao×1154+sro×733+zro2×51.8本发明的另一个方式的半导体封装用支承玻璃以氧化物基准的摩尔百分率表示，含有63～80％的sio2、7～30％的al2o3、0～5％的b2o3、0～4％的p2o5、5～15％的li2o、4～8％的na2o、0～2％的k2o、3～10％的mgo、0～5％的cao、0～20％的sro、0～15％的bao、0～10％的zno、0～1％的tio2、0～8％的zro2，不含有ta2o5、gd2o3、as2o3、sb2o3，并且，使用sio2、al2o3、b2o3、p2o5、li2o、na2o、k2o、mgo、cao、sro、bao和zro2的各成分的以氧化物基准的摩尔百分率表示的含量，根据下述式计算的x值为30000以上。x＝sio2×329+al2o3×786+b2o3×627+p2o5×(－941)+li2o×927+na2o×47.5+k2o×(－371)+mgo×1230+cao×1154+sro×733+zro2×51.8本发明的又一个方式优选比模量为30mnm/kg以上、50℃～350℃的平均热膨胀系数为55～90×10－7/℃。上述方式中，优选失透温度t为粘度成为104dpa·s的温度t4以下。另外，上述方式中，可以经化学强化。发明的效果根据本发明的一个方式，能够提供不易破损的或者破损时不易粉碎地飞散的半导体封装用支承玻璃。附图说明图1中的(a)和图1中的(b)表示与硅基板贴合的本发明的一个方式的支承玻璃，图1中的(a)表示贴合前的截面图，图1中的(b)表示贴合后的截面图。图2表示本发明的一个方式的层叠基板的截面图。图3中的(a)和图3中的(b)表示stlimit的测定例，图3中的(a)是表示内部拉伸应力层的面积st与破碎数的关系的图表，图3中的(b)是表示图3中的(a)中被虚线围起的部分的放大图。图4是用于利用dcdc法测定断裂韧性值的样品的说明图。图5是在利用dcdc法测定断裂韧性值中使用的、表示应力放大系数k1与裂纹进展速度v的关系的ki－v曲线的图。图6是对经化学强化的玻璃将stlimit与x值的关系作图而得的图表。图7是对经化学强化的玻璃将stlimit与z值的关系作图而得的图表。图8是对经化学强化的玻璃将x值与z值的关系作图而得的图表。具体实施方式以下，对本发明的一个方式的半导体封装用支承玻璃进行详细说明。本说明书中，表示数值范围的“～”是以包含在其前后记载的数值作为下限值和上限值的意思来使用的，只要没有特别说明，以下“～”就是以相同的意思使用。另外，本说明书中，只要没有特别说明，支承玻璃(包括玻璃板、玻璃基板)及其制造方法中的各成分的含量就是以氧化物基准的摩尔百分率表示。首先，对本发明的一个方式的半导体封装用支承玻璃(以下，也记为支承玻璃)进行说明。应予说明，以下围绕使用硅基板作为半导体基板的例子进行说明，但可以适当应用硅基板以外的半导体基板。图1中的(a)和图1中的(b)是与硅基板贴合的本发明的一个方式的支承玻璃的截面图。图1中的(a)表示的本发明的一个方式的支承玻璃g1在例如200℃～400℃的温度下在中间隔着剥离层20(也可以作为粘接层起作用)与硅基板10贴合，得到图1中的(b)表示的层叠基板30。作为硅基板10，例如，使用全尺寸的硅晶片、硅芯片、硅芯片被树脂模塑的基板、形成有元件的晶片等。剥离层20例如是能耐受200～400℃的温度的树脂。本发明的一个方式的支承玻璃通过与硅基板贴合而使用。例如，用于扇出型的晶圆级封装用的支承玻璃、基于晶圆级封装的对元件的小型化有效的mems、cmos和cis等图像传感器用的支承玻璃、具有贯通孔的支承玻璃(玻璃中介层：gip)以及半导体背磨用的支撑玻璃等。本发明的一个方式的支承玻璃特别适合作为扇出型的晶圆级封装用的支承玻璃。图2是使用本发明的一个方式的支承玻璃作为扇出型的晶圆级封装用的支承基板的本发明的一个方式的层叠基板的截面图。扇出型的晶圆级封装中，例如，在200℃～400℃的温度下，将支承玻璃g2与硅基板40(硅芯片)隔着树脂等剥离层50(也可以作为粘接层起作用)进行层叠。再通过用树脂60包埋硅基板40而得到层叠基板70。其后，透过支承玻璃g2向剥离层50照射紫外线，从而将支承玻璃g2与被树脂60包埋的硅基板40剥离。支承玻璃g2可以再利用。被树脂60包埋的硅基板40利用铜线等进行布线。应予说明，可以将用树脂60包埋硅芯片的基板作为硅基板。＜第1方式＞第1方式的支承玻璃的比模量为30mnm/kg以上。比模量优选为31mnm/kg以上，更优选32mnm/kg以上，进一步优选33mnm/kg以上。另外，比模量优选为50mnm/kg以下，更优选45mnm/kg以下，进一步优选40mnm/kg以下，特别优选36mnm/kg以下。如果比模量为30mnm/kg以上，则能够抑制玻璃基板的自重挠曲，能够抑制由自重挠曲引起的破损。通过使用比模量比较高的玻璃作为半导体封装用的支承基板，能够抑制由玻璃的自重挠曲引起的破损。第1方式的支承玻璃在50℃～350℃的平均热膨胀系数α为55×10－7/℃～80×10－7/℃。如果α为55×10－7/℃～90×10－7/℃，则容易减小支承玻璃与其他部件(例如硅基板)贴合的热处理工序中产生的应力。其结果，能够抑制因上述应力的产生所致的支承玻璃的破损。应予说明，对于处于支承玻璃与硅基板之间的剥离层的影响，因为剥离层与支承玻璃、硅基板相比足够薄，所以可以忽略。α优选60×10－7/℃以上，更优选63×10－7/℃以上，进一步优选67×10－7/℃以上。另一方面，α优选85×10－7/℃以下，更优选80×10－7/℃以下，进一步优选75×10－7/℃以下。50℃～350℃的平均热膨胀系数α是按jisr3102(1995年)规定的方法测定的、测定热膨胀系数的温度范围为50℃～350℃的平均热膨胀系数。第1方式的支承玻璃也可以是经化学强化的支承玻璃。支承玻璃经化学强化的情况下，优选表面压缩应力(cs)为300mpa以上，并且距玻璃表面90μm的深度的部分的压缩应力值(cs90)为25mpa以上或者距玻璃表面100μm的深度的部分的压缩应力值(cs100)为15mpa以上。第1方式的支承玻璃经化学强化的情况下，上述“支承玻璃的母组成”是指化学强化前的玻璃的组成。这里，支承玻璃的具有拉伸应力的部分(以下，也称为拉伸应力部分)是未被离子交换的部分。而且，支承玻璃的厚度足够大的情况下，支承玻璃的拉伸应力部分具有与化学强化前的玻璃相同的组成。这种情况下，可以将拉伸应力部分的组成视为母组成。支承玻璃的母组成的优选方式在后面进行阐述。第1方式的支承玻璃的母组成优选含有50～80％的sio2、1～30％的al2o3、0～5％的b2o3、0～4％的p2o5、0～20％的li2o、0～8％的na2o、0～10％的k2o、3～20％的mgo、0～20％的cao、0～20％的sro、0～15％的bao、0～10％的zno、0～1％的tio2、0～8％的zro2的组成。另外，第1方式的支承玻璃的母组成也可以是含有66～74％的sio2、6.5～9％的al2o3、0～5％的b2o3、0～2％的p2o5、5～13％的li2o、3～7％的na2o、超过0且为4％以下的k2o、5～10％的mgo、超过0且为1％以下的cao、0～3％的sro、0～3％的bao、0～2％的zno、超过0且为1％以下的tio2、超过0且为2％以下的zro2的组成。另外，第1方式的支承玻璃的母组成也可以是含有54～60％的sio2、10～18％的al2o3、0～3％的b2o3、0～2％的p2o5、5～18％的li2o、超过0且为3％以下的na2o、超过0且为4％以下的k2o、3～10％的mgo、超过0且为1％以下的cao、0～3％的sro、0～3％的bao、0～2％的zno、超过0且为1％以下的tio2、超过0且为2％以下的zro2的组成。支承玻璃的组成在后面进行阐述。第1方式的支承玻璃优选：使用支承玻璃的母组成中的sio2、al2o3、b2o3、p2o5、li2o、na2o、k2o、mgo、cao、sro、bao和zro2的各成分的以氧化物基准的摩尔百分率表示的含量，根据下述式计算的x值为30000以上，以及/或者，根据下述式计算的z值为20000以上。x＝sio2×329+al2o3×786+b2o3×627+p2o5×(－941)+li2o×927+na2o×47.5+k2o×(－371)+mgo×1230+cao×1154+sro×733+zro2×51.8z＝sio2×237+al2o3×524+b2o3×228+p2o5×(－756)+li2o×538+na2o×44.2+k2o×(－387)+mgo×660+cao×569+sro×291+zro2×510另外，第1方式的支承玻璃的母组成例如可以是含有63～80％的sio2、7～30％的al2o3、0～5％的b2o3、0～4％的p2o5、5～15％的li2o、4～8％的na2o、0～2％的k2o、3～10％的mgo、0～5％的cao、0～20％的sro、0～15％的bao、0～10％的zno、0～1％的tio2、0～8％的zro2的组成。本发明人等通过实验发现根据上述式计算的x值与支承玻璃的破损(破碎)时产生的碎片的数量(破碎数)密切相关，存在x值越大，玻璃破损时的破碎数越少的趋势。基于上述见解，从制成破碎数少、不易粉碎地飞散的玻璃观点出发，第1方式的支承玻璃中，x值优选30000以上，以下，阶段性地更优选32000以上、34000以上、36000以上、38000以上、40000以上、42000以上、44000以上、45000以上、46000以上。另外，本发明人等通过实验发现根据上述式计算的z值显示与x值相同的趋势，存在z值越大，玻璃破损时的破碎数越少的趋势。从与x值相同的观点出发，z值优选20000以上，以下，阶段性地更优选22000以上、24000以上、26000以上、28000以上、29000以上、30000以上。x值和z值可以通过支承玻璃的母组成中的上述各成分量进行调整。第1方式中，支承玻璃的母组成没有特别限定，可以适当地选择上述x值为30000以上和/或上述z值为20000以上的玻璃组成。另外，通过实验发现根据下述式计算的y值与支承玻璃的破损(破碎)时产生的碎片的数量(破碎数)相关，存在y值越大，玻璃破损时的破碎数越少的趋势。y＝sio2×0.00884+al2o3×0.0120+b2o3×(－0.00373)+p2o5×0.000681+li2o×0.00735+na2o×(－0.00234)+k2o×(－0.00608)+mgo×0.0105+cao×0.00789+sro×0.00752+bao×0.00472+zro2×0.0202基于上述见解，从制成即便玻璃破损时破碎数也少、不易粉碎地飞散的玻璃的观点出发，第1方式的支承玻璃中，y值优选0.7以上，更优选0.75以上，进一步优选0.77以上，特别优选0.80以上，最优选0.82以上。根据第1方式，可得到不易破损、或者即便破损时破碎数也更少、更不易粉碎地飞散、生产率高的支承玻璃。例如，除了因支承玻璃与其他部件的物理接触所致的破损，支承玻璃还可能因支承玻璃和与其贴合的部件(硅基板等)的层叠工序中的玻璃基板的迅速加热、由与支承玻璃贴合的部件(硅基板等)的热膨胀系数的不同所产生的应力而发生破损。支承玻璃破损时，如果支承玻璃的飞散性高或者破碎性强，则生产线(装置内)可能在更大的范围被更细的碎片(玻璃碎屑)污染。半导体封装的生产线高度要求清洁度，因此必须更仔细地进行用于复原的装置内的清扫，直到复原为止的停机时间可能变长。另外，玻璃碎屑残留在装置内，也有可能产生工序不良。因此，寻求即便发生破损时其破碎性也(不会粉碎地飞散)低的玻璃。第1方式的支承玻璃对可能在上述那样的场合产生的破损的耐性优异，因此优选。＜第2方式＞第2方式的支承玻璃含有66～74％的sio2、6.5～9％的al2o3、0～5％的b2o3、0～2％的p2o5、5～13％的li2o、3～7％的na2o、超过0且为4％以下的k2o、5～10％的mgo、超过0且为1％以下的cao、0～3％的sro、0～3％的bao、0～2％的zno、超过0且为1％以下的tio2、超过0且为2％以下的zro2，并且，使用sio2、al2o3、b2o3、p2o5、li2o、na2o、k2o、mgo、cao、sro、bao和zro2的各成分的以氧化物基准的摩尔百分率表示的含量，根据下述式计算的x值为30000以上。x＝sio2×329+al2o3×786+b2o3×627+p2o5×(－941)+li2o×927+na2o×47.5+k2o×(－371)+mgo×1230+cao×1154+sro×733+zro2×51.8支承玻璃的组成在后面进行阐述。x值参照上述第1方式的说明，因此省略详细的说明。第2方式的支承玻璃的x值为30000以上，与上述第1方式同样，以下，阶段性地更优选32000以上、34000以上、36000以上、38000以上、40000以上、42000以上、44000以上、45000以上、46000以上。如果x值为上述值以上，则能够制成破碎数少、不易粉碎地飞散的支承玻璃。另外，z值和y值也参照第1方式的说明。与上述第1方式同样，z值优选20000以上，以下，阶段性地更优选22000以上、24000以上、26000以上、28000以上、29000以上、30000以上。y值优选0.7以上，更优选0.75以上，进一步优选0.77以上，特别优选0.80以上，最优选0.82以上。第2方式的支承玻璃的比模量优选30mnm/kg以上，以下，阶段性地更优选31mnm/kg以上、32mnm/kg以上、33mnm/kg以上。另外，比模量优选50mnm/kg以下，以下阶段性地更优选45mnm/kg以下、40mnm/kg以下、36mnm/kg以下。如果比模量为上述范围，则能够抑制玻璃基板的自重挠曲，作为半导体封装用的支承基板使用时，能够防止由挠曲所致的不良(例如搬运工序的不良)。第2方式的支承玻璃的50℃～350℃的平均热膨胀系数α优选为55×10－7/℃～90×10－7/℃。α优选为60×10－7/℃以上，更优选为63×10－7/℃以上，进一步优选为67×10－7/℃以上。另一方面，α优选为85×10－7/℃以下，更优选为80×10－7/℃以下，进一步优选为75×10－7/℃以下。如果α为上述范围，则在将支承玻璃与硅基板贴合的热处理工序中容易使层叠基板产生的残留应变减小。应予说明，对于位于支承玻璃与硅基板之间的剥离层所致的影响，因为剥离层与支承玻璃、硅基板相比足够薄，所以可以忽略。第2方式的支承玻璃与上述第1方式的支承玻璃同样，可以是经化学强化的支承玻璃。详细的说明参照上述第1方式。＜第3方式＞第3方式的支承玻璃含有54～60％的sio2、10～18％的al2o3、0～3％的b2o3、0～2％的p2o5、5～18％的li2o、超过0且为3％以下的na2o、超过0且为4％以下的k2o、3～10％的mgo、超过0且为1％以下的cao、0～3％的sro、0～3％的bao、0～2％的zno、超过0且为1％以下的tio2、超过0且为2％以下的zro2，并且，使用sio2、al2o3、b2o3、p2o5、li2o、na2o、k2o、mgo、cao、sro、bao和zro2的各成分的以氧化物基准的摩尔百分率表示的含量，根据下述式计算的x值为30000以上。x＝sio2×329+al2o3×786+b2o3×627+p2o5×(－941)+li2o×927+na2o×47.5+k2o×(－371)+mgo×1230+cao×1154+sro×733+zro2×51.8支承玻璃的组成在后面进行阐述。x值参照上述第1方式的说明，因此省略详细的说明。第3方式的支承玻璃的x值为30000以上，与上述第1方式同样，以下，阶段性地更优选32000以上、34000以上、36000以上、38000以上、40000以上、42000以上、44000以上、45000以上、46000以上。如果x值为上述值以上，则能够制成破碎数少、不易粉碎地飞散的支承玻璃。另外，z值和y值也参照第1方式的说明。与上述第1方式同样，z值优选20000以上，以下，阶段性地更优选22000以上、24000以上、26000以上、28000以上、29000以上、30000以上。y值优选0.7以上，更优选0.75以上，进一步优选0.77以上，特别优选0.80以上，最优选0.82以上。比模量和50℃～350℃的平均热膨胀系数α参照第2方式的说明。与上述第2方式同样，比模量优选30mnm/kg以上，以下，阶段性地更优选31mnm/kg以上、32mnm/kg以上、33mnm/kg以上。另外，比模量优选50mnm/kg以下，以下阶段性地更优选45mnm/kg以下、40mnm/kg以下、36mnm/kg以下。如果比模量为上述范围，则能够抑制玻璃基板的自重挠曲，作为半导体封装用的支承基板使用时，能够防止因挠曲所致的不良(例如搬运工序的不良)。与上述第2方式同样，50℃～350℃的平均热膨胀系数α优选为55×10－7/℃～90×10－7/℃。α优选为60×10－7/℃以上，更优选为63×10－7/℃以上，进一步优选为67×10－7/℃以上。另一方面，α优选为85×10－7/℃以下，更优选为80×10－7/℃以下，进一步优选为75×10－7/℃以下。如果α为上述范围，则在将支承玻璃与硅基板贴合的热处理工序中容易使层叠基板产生的残留应变减小。应予说明，对于位于支承玻璃与硅基板之间的剥离层所致的影响，因为剥离层与支承玻璃、硅基板相比足够薄，所以可以忽略。第3方式的支承玻璃与上述第1方式和第2方式的支承玻璃同样，也可以是经化学强化的支承玻璃。详细的说明参照上述第1方式和第2方式。＜支承玻璃＞接着，对本发明的一个方式的支承玻璃进行说明。以下有时将支承玻璃的玻璃组成称为支承玻璃的母组成。另外，支承玻璃经化学强化且支承玻璃的厚度足够大的情况下，支承玻璃的拉伸应力部分是未被离子交换的部分。因此，支承玻璃的拉伸应力部分具有与化学强化前的玻璃相同的组成。这时，可以将支承玻璃的拉伸应力部分的组成视为支承玻璃的母组成。玻璃的组成使用公知的组成(成分)的仪器分析法求出。例如，可以简单地通过荧光x射线法的半定量分析而求出。更准确地说，可以通过icp发射光谱分析法等湿式分析法进行测定。作为本发明的一个方式的支承玻璃的组成(支承玻璃的母组成)，例如，优选含有50～80％的sio2、1～30％的al2o3、0～5％的b2o3、0～4％的p2o5、0～20％的li2o、0～8％的na2o、0～10％的k2o、3～20％的mgo、0～20％的cao、0～20％的sro、0～15％的bao、0～10％的zno、0～1％的tio2、0～8％的zro2。例如，可举出含有66～74％的sio2、6.5～9％的al2o3、0～5％的b2o3、0～2％的p2o5、5～13％的li2o、3～7％的na2o、超过0且为4％以下的k2o、5～10％的mgo、超过0且为1％以下的cao、0～3％的sro、0～3％的bao、0～2％的zno、超过0且为1％以下的tio2、超过0且为2％以下的zro2的玻璃。另外，例如，可举出含有54～60％的sio2、10～18％的al2o3、0～3％的b2o3、0～2％的p2o5、5～18％的li2o、超过0且为3％以下的na2o、超过0且为4％以下的k2o、3～10％的mgo、超过0且为1％以下的cao、0～3％的sro、0～3％的bao、0～2％的zno、超过0且为1％以下的tio2、超过0且为2％以下的zro2玻璃。本发明的一个方式的支承玻璃根据x＝sio2×329+al2o3×786+b2o3×627+p2o5×(－941)+li2o×927+na2o×47.5+k2o×(－371)+mgo×1230+cao×1154+sro×733+zro2×51.8计算的x值优选30000以上。另外，根据z＝sio2×237+al2o3×524+b2o3×228+p2o5×(－756)+li2o×538+na2o×44.2+k2o×(－387)+mgo×660+cao×569+sro×291+zro2×510计算的z值优选20000以上。sio2是构成玻璃的骨架的成分。另外，是提高化学耐久性的成分，是减少玻璃表面带伤(压痕)时的裂纹产生的成分，sio2的含量优选为50％以上。对于sio2的含量，以下，阶段性地更优选为54％以上、58％以上、60％以上、63％以上、66％以上、68％以上。另一方面，如果sio2的含量超过80％，则熔融性显著降低。sio2的含量为80％以下，更优选为78％以下，进一步优选为76％以下，特别优选为74％以下，最优选为72％以下。al2o3是提高支承玻璃的破碎性的成分。这里，玻璃的破碎性高是指玻璃破裂时的碎片数少。破碎性高的玻璃在破损时碎片不易飞散，因此可以说安全性高。另外，al2o3是对提高化学强化时的离子交换性能、增大增强后的表面压缩应力有效的成分，因此，al2o3的含量优选1％以上。al2o3是提高玻璃的tg的成分，也是提高杨氏模量的成分。al2o3的含量以下阶段性地更优选为3％以上、5％以上、6.5％以上、7％以上、8％以上、9％以上、10％以上、11％以上、12％以上、13％以上。另一方面，如果al2o3的含量超过30％，则玻璃的耐酸性降低，或者失透温度变高。另外，玻璃的粘度增大，熔融性降低。al2o3的含量优选为30％以下，更优选为25％以下，进一步优选为20％以下，特别优选为18％以下，最优选为15％以下。另一方面，al2o3的含量大时，玻璃熔融时的温度变大，生产率降低。考虑玻璃的生产率的情况下，al2o3的含量优选为11％以下，以下，阶段性地优选为10％以下、9％以下、8％以下、7％以下。b2o3是提高支承玻璃的抗碎裂性且提高熔融性的成分。b2o3不是必需的，但为了提高熔融性，含有b2o3时的含量优选为0.5％以上，更优选为1％以上，进一步优选为2％以上。另一方面，如果b2o3的含量超过5％，则熔融时容易产生条纹而支承玻璃的品质降低，因此优选5％以下。b2o3的含量更优选为4％以下，进一步优选为3％以下，特别优选为1％以下。为了提高耐酸性，优选不含有。p2o5是提高抗碎裂性且提高离子交换性能的成分。p2o5不是必需的，但含有p2o5时的含量优选为0.5％以上，更优选为1％以上，进一步优选为2％以上。另一方面，如果p2o5的含量超过4％，则支承玻璃的破碎性降低，另外，耐酸性明显降低。p2o5的含量优选为4％以下，更优选为3％以下，进一步优选为2％以下，特别优选为1％以下。为了提高耐酸性，优选不含有。li2o是改善支承玻璃的破碎性的成分。li2o不是必需的，但为了提高破碎性，li2o的含量优选为3％以上，更优选为4％以上，进一步优选为5％以上，特别优选为6％以上，典型的是7％以上。另一方面，如果li2o的含量超过20％，则玻璃的耐酸性明显降低。li2o的含量优选为20％以下，更优选为18％以下，进一步优选为16％以下，特别优选为15％以下，最优选为13％以下。应予说明，本说明书中“实质上不含有”是指除了原材料等中含有的不可避免的杂质以外不含有，即，不是刻意地含有。具体而言，是指玻璃组成中的含量小于0.1摩尔％。na2o是提高玻璃的熔融性的成分。na2o不是必需的，但含有na2o时的含量优选超过0。na2o的含量更优选为1％以上，进一步优选为2％以上，特别优选为3％以上。另一方面，从化学的耐久性方面考虑，na2o的含量优选为8％以下，更优选为7％以下，进一步优选为6％以下，特别优选为5％以下，最优选为3％以下。为了提高熔融性等，可以含有k2o。k2o不是必需的，但含有k2o时的含量优选超过0，更优选为0.5％以上，进一步优选为1％以上，特别优选为2％以上，最优选为3％以上。另一方面，如果k2o的含量超过10％，则支承玻璃的破碎性降低，因此k2o的含量优选10％以下。k2o的含量更优选为8％以下，进一步优选为6％以下，特别优选为4％以下，最优选为2％以下。mgo是提高支承玻璃的熔融性的成分，是改善破碎性的成分，优选含有。含有mgo时的含量优选为3％以上，以下，阶段性地更优选为4％以上、5％以上、6％以上、7％以上、8％以上。另一方面，如果mgo的含量超过20％，则支承玻璃在熔融时容易失透。mgo的含量优选20％以下，以下，阶段性地更优选18％以下、15％以下、14％以下、13％以下、12％以下、11％以下、10％以下。cao是提高支承玻璃的熔融性的成分，是改善支承玻璃的破碎性的成分。cao不是必需的，但含有cao时的含量优选超过0超，以下，阶段性地为0.5％以上、1％以上、2％以上、3％以上、5％以上。另一方面，如果cao的含量超过20％，则耐失透性明显降低，因此优选20％以下。cao的含量更优选为14％以下，以下，阶段性地进一步优选为10％以下、8％以下、6％以下、3％以下、1％以下。sro是提高支承玻璃的熔融性的成分，是改善支承玻璃的破碎性的成分。sro不是必需的，但含有sro时的含量优选为0.5％以上，更优选为1％以上，进一步优选为2％以上，特别优选为3％以上，最优选为5％以上。另一方面，如果sro的含量超过20％，则耐失透性明显降低，因此优选为20％以下。sro的含量更优选为14％以下，以下，阶段性地进一步优选为10％以下、8％以下、6％以下、3％以下、1％以下。bao是提高支承玻璃的熔融性的成分，是改善支承玻璃的破碎性的成分。bao不是必需成分，但含有bao时的含量优选为0.5％以上，更优选为1％以上，进一步优选为2％以上，特别优选为3％以上，最优选为5％以上。另一方面，如果bao的含量超过15％，则耐失透性明显降低。bao的含量优选为15％以下，以下，阶段性地更优选为10％以下、8％以下、6％以下、3％以下、1％以下。zno是提高玻璃的熔融性的成分。zno不是必需成分，但含有zno时的含量优选为0.25％以上，更优选为0.5％以上。另一方面，如果zno的含量超过10％，则玻璃的耐久性明显降低。zno的含量优选为10％以下，更优选为7％以下，进一步优选为5％以下，特别优选为2％以下，最优选为1％以下。tio2是改善支承玻璃的破碎性的成分。tio2不是必需成分，但含有tio2时的含量优选超过0，更优选为0.1％以上，进一步优选为0.15％以上，特别优选为0.2％以上。另一方面，如果tio2的含量超过5％，则熔融时容易失透，支承玻璃的品质可能降低。tio2的含量优选为1％以下，更优选为0.5％以下，进一步优选为0.25％以下。zro2有改善支承玻璃的破碎性的效果。另外，zro2是使离子交换所产生的的表面压缩应力增大的成分。zro2不是必需成分，但含有zro2时的含量优选超过0，更优选为0.5％以上，进一步优选为1％以上。另一方面，如果zro2的含量超过8％，则熔融时容易失透，支承玻璃的品质可能降低。zro2的含量优选为8％以下，更优选为6％以下，进一步优选为4％以下，特别优选为2％以下，最优选为1.2％以下。y2o3、la2o3、nb2o5是改善支承玻璃的破碎性的成分。y2o3、la2o3、nb2o5不是必需的，但含有这些成分时的各自的含量优选为0.5％以上，更优选为1％以上，进一步优选为1.5％以上，特别优选为2％以上，最优选为2.5％以上。另一方面，如果y2o3、la2o3、nb2o5的含量各自超过8％，则熔融时玻璃容易失透，支承玻璃的品质可能降低。y2o3、la2o3、nb2o5的含量各自优选为8％以下，更优选为6％以下，进一步优选为5％以下，特别优选为4％以下，最优选为3％以下。为了改善支承玻璃的破碎性，可以含有少量的ta2o5、gd2o3，但折射率、反射率变高，因此优选为1％以下，更优选为0.5％以下，进一步优选为不含有。并且，对玻璃进行着色和透光率的控制而使用时，可以在不阻碍实现所希望特性的范围内添加着色成分。作为着色成分，例如，可列举co3o4、mno2、fe2o3、nio、cuo、cr2o3、v2o5、bi2o3、seo2、tio2、ceo2、er2o3、nd2o3等作为优选的例子。着色成分的含量以氧化物基准的摩尔百分率表示，优选合计为7％以下的范围。如果超过7％，则玻璃容易失透而不优选。该含量优选为5％以下，更优选为3％以下，进一步优选为1％以下。优先考虑玻璃的可视透光率时，这些成分优选实质上不含有。作为玻璃熔融时的澄清剂，可以适当地含有so3、氯化物、氟化物等。as2o3优选不含有。含有sb2o3时，优选为0.3％以下，更优选为0.1％以下，最优选不含有。另外，本发明的一个方式的支承玻璃的断裂韧性值(kic)优选为0.7mpa·m1/2以上，更优选为0.75mpa·m1/2以上，进一步优选为0.77mpa·m1/2以上，特别优选为0.80mpa·m1/2以上，最优选为0.82mpa·m1/2以上。如果该断裂韧性值(kic)为0.7mpa·m1/2以上，则能够有效地抑制玻璃破坏时的破碎数。应予说明，本说明书中的断裂韧性值(kic)是指利用后述的实施例中详述的dcdc法测定ki－v曲线而求出的断裂韧性值。本发明的一个方式的支承玻璃的失透温度t优选为粘度成为104dpa·s的温度t4以下。这是因为如果失透温度t比t4高，则利用浮法等将玻璃板成型时容易发生由失透导致的品质降低。本发明的一个方式的支承玻璃的玻璃化转变温度tg优选500℃～800℃的范围。如果tg为800℃以下，则不必过度升高在成型为板状时的缓慢冷却温度，不易生成温度分布，能够减小残留应变。优选为700℃以下，更优选为600℃以下。另外，如果tg为500℃以上，则能提高玻璃的化学耐久性。优选为520℃以上，更优选为540℃以上。本发明的一个方式的支承玻璃的杨氏模量更优选为74gpa以上，特别优选为78gpa以上，进一步优选为82gpa以上。杨氏模量的上限没有特别限定，例如为90gpa以下，优选为88gpa以下。杨氏模量例如可以利用超声波脉冲法进行测定。本发明的一个方式的支承玻璃的密度优选3.0g/cm3以下。如果密度为3.0g/cm3以下，则支承玻璃变得轻型，支承玻璃的操作变得容易。另外，能够减少由支承玻璃的自重所致的翘曲。密度更优选为2.8g/cm3以下，进一步优选为2.6g/cm3以下。密度优选为2.35g/cm3以上。如果密度为2.35g/cm3以上，则玻璃的维氏硬度变高，可使玻璃表面不易划伤。密度更优选为2.38g/cm3以上，进一步优选为2.40g/cm3以上，特别优选为2.42g/cm3以上。本发明的一个方式的支承玻璃优选至少一个主表面的面积为70～7000cm2。如果支承玻璃的面积为70cm2以上，则最终得到的半导体封装的获取数变多，生产率提高。面积更优选为80cm2以上，进一步优选为170cm2以上，特别优选为300cm2以上，最优选为700cm2以上。如果支承玻璃的面积为7000cm2以下，则支承玻璃的操作变得容易，能够防止与贴合的基板(半导体基板)或经过生产线时的周边部件的接触。面积更优选为6000cm2以下，进一步优选为4000cm2以下，特别优选为3000cm2以下。本发明的一个方式的支承玻璃的板厚(t)没有特别限定，板厚优选为2mm以下，更优选为1.5mm以下，进一步优选为1.3mm以下，特别优选为1.1mm以下。如果板厚为上述上限以下，则支承玻璃不会变得过重，因此由搬运支承玻璃时的与其他部件的接触所致的冲击变小，能够抑制成为破损的原因的损伤产生。另外，对支承玻璃进行化学强化时，化学强化的效果变高，因而优选。从得到抑制作为支承基板的自重挠曲所致的变形的效果的观点出发，板厚优选为0.1mm以上，更优选为0.2mm以上，进一步优选为0.4mm以上，特别优选为0.5mm以上。本发明的一个方式的支承玻璃的形状没有特别限定。形状可以为矩形(板状)，也可以为圆形(可以是正圆，也可以是椭圆)。另外，支承玻璃可以具有定向平面或凹口，可以对角部、端面进行倒角。本发明的一个方式的支承玻璃例如可以如下地进行制造。支承玻璃例如调合玻璃的各成分的原料，在玻璃熔窑中进行加热熔融。其后，利用公知的方法将玻璃均质化，成型为玻璃板等所希望的形状，进行缓慢冷却。作为玻璃板的成型法，例如，可举出浮法、压制法、熔融法和下拉法。特别优选适合于大量生产的浮法。另外，也优选浮法以外的连续成型法，即，熔融法和下拉法。其后，根据需要对已成型的玻璃板进行研削和研磨处理，形成成为支承玻璃的玻璃基板。另外，玻璃基板可以进行切断为规定的形状和尺寸或倒角加工。玻璃基板可以形成定向平面、凹口，可以赋予识别编号(批号，对准标记等)。制造经化学强化的支承玻璃时，对用如上所述的通常的方法制造的玻璃实施化学强化处理即可。化学强化处理可以利用以往公知的方法实施。化学强化处理中，通过浸渍等使玻璃板与含有大离子半径的金属离子(典型的是na离子或者k离子)的金属盐(例如，硝酸钾)的融液接触。玻璃板中的小离子半径的金属离子(典型的是na离子或者li离子)与大离子半径的金属离子进行置换。化学强化处理(离子交换处理)没有特别限定。例如，化学强化处理可以通过在加热到360～600℃的硝酸钾等熔融盐中浸渍玻璃板0.1～500小时而实施。应予说明，作为熔融盐的加热温度，优选为375～500℃，另外，玻璃板在熔融盐中的浸渍时间优选为0.3～200小时。作为用于进行化学强化处理的熔融盐，可举出硝酸盐、硫酸盐、碳酸盐、氯化物等。其中作为硝酸盐，可举出硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铯、硝酸银等。作为硫酸盐，可举出硫酸锂、硫酸钠、硫酸钾、硫酸铯、硫酸银等。作为碳酸盐，可举出碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾等。作为氯化物，可举出氯化锂、氯化钠、氯化钾、氯化铯、氯化银等。这些熔融盐可以单独使用，也可以多种组合使用。本发明的一个方式中，化学强化处理的处理条件没有特别限定。化学处理的条件可以考虑玻璃的特性·组成、熔融盐的种类以及最终得到的支承玻璃所希望的表面压缩应力(cs)、压缩应力层的深度(dol)等化学强化特性等，选择适当的条件。另外，本发明的一个方式中，可以仅进行一次化学强化处理，或者，也可以以2种以上的不同条件进行多次化学强化处理(多段强化)。这里，例如，如果作为第1阶段的化学强化处理，以cs相对低的条件进行化学强化处理后，作为第2阶段的化学强化处理，以cs相对高的条件进行化学强化处理，则能够提高支承玻璃的最表面的cs，并且抑制内部拉伸应力面积(st)，作为结果，能够将内部拉伸应力(ct)抑制得较低。应予说明，制造经化学强化的支承玻璃时，实施化学强化处理前，可以进行玻璃基板的切断成规定的形状和尺寸、倒角加工，通过其后的化学强化处理在端面也形成压缩应力层，因此优选。化学强化处理后，实施了该处理的玻璃优选进行适当的清洗和干燥。本发明的一个方式的支承玻璃例如用于扇出型的晶圆级封装用或者面板级封装用的支承基板、基于晶圆级封装的对元件的小型化有效的mems、cmos和cis等图像传感器用的支承基板、具有贯通孔的玻璃基板(玻璃中介层：gip)以及半导体背磨用的支撑玻璃等。本发明的一个方式的支承玻璃特别适合于扇出型的晶圆级封装或者面板级封装用途。实施例以下，通过实施例对本发明进行说明，但本发明不受这些实施例的限定。应予说明，对于表中的物性的各测定结果，空栏表示未测定。(玻璃(支承玻璃)的制作)以成为表1～5的例2－1～2－53中示出的氧化物基准的摩尔百分率表示的各玻璃组成的方式，如下地制作玻璃。适当地选择氧化物、氢氧化物、碳酸盐或者硝酸盐等通常使用的玻璃原料，以作为玻璃成为1000g的方式进行称量。接着，将混合的原料加入到铂坩埚中，投入1500～1700℃的电阻加热式电炉熔融3小时左右，进行脱泡、均质化。将得到的熔融玻璃流入型材，在玻璃化转变温度+50℃的温度保持1小时后，以0.5℃/分钟的速度冷却至室温，得到玻璃块。将得到的玻璃块切割、研削、研磨加工，进行下述的测定。密度测定按液体称量法[jisz8807(2012年)固体的密度和比重的测定方法]进行。平均热膨胀系数α和玻璃化转变温度tg测定根据[jisr3013：3(2001年)玻璃的粘度和粘度固定点－第3部：利用热膨胀法的转变温度测定方法]进行测定。杨氏模量e、合成率g和泊松比测定通过超声波脉冲法[jisr1602(1995年)]进行测定。比模量通过将杨氏模量e除以密度而求出。断裂韧性值参考m.y.he,m.r.turneranda.g.evans,actametall.mater.43(1995)3453.记载的方法，利用dcdc法，使用图4所示的形状的样品和orientec公司制的tensilonuta－5kn，测定如图5所示的表示应力放大系数ki(单位：mpa·m1/2)与裂纹进展速度v(单位：m/s)的关系的ki－v曲线，用一次式将得到的区域iii的数据进行回归、外推，将0.1m/s的应力放大系数ki作为破损韧性值kic。通过dcdc法测定ki－v曲线而求出。另外，对于例2－1～2－53，根据玻璃的组成求出x值、y值和z值。失透温度t如下地求出。将玻璃粉碎，使用4mm目和2mm目的筛子进行分级，用纯水清洗后，进行干燥而得到碎屑。将2～5g的碎屑置于铂皿中，在保持恒定温度的电炉中保持17小时，取出至室温的大气中进行冷却后，用偏振光显微镜观察有无失透，反复该操作，估算失透温度t。对于粘度为104dpa·s的温度t4，对玻璃利用旋转粘度计(以astmc965－96为基准)测定粘度为104dpa·s的温度作为t4。将这些结果示于表1～5。应予说明，例2－51中记载的例子是美国专利申请公开第2015/0259244号说明书记载的实施例。例2－3、2－7、2－52、2－53因为比模量为30mnm/kg以上，平均热膨胀系数α为55～90×10－7/℃的范围，所以是能够实现能抑制玻璃的破损、另外即便玻璃破损的情况下也不易粉碎地飞散的玻璃的例子。例2－1、2－3～2－50、2－53是x值为30000以上，能够实现玻璃破损时的破碎数足够少、不易粉碎地飞散的玻璃的例子。另一方面，例2－2、例2－51中x值为30000以下。例2－1、2－3～2－50、2－52是z值为20000以上，能够实现即便导入更大的cs、dol时，玻璃破损时的破碎数也足够少的安全性更高的玻璃的例子。另一方面，例2－2、例2－51中z值为20000以下。[表5](mol％)例2-49例2-50例2-51例2-52例2-53sio2656057.436970al2o3141016.197.5b2o3p2o56.54li2o889.58na2o6417.054.55.3k2o2211mgo482.8167cao80.2srobaoznotio20.040.04zro2111ta2o5gd2o3as2o3sb2o3sum10010099.9100.0100.0密度(g/cm3)2.462.532.442.44α50-350(×10-7/℃)7072tg(℃)552548e(gpa)83.688.58482.6g34.034.933.8泊松比0.220.230.220.22比模量(mn·m/kg)34.034.934.433.9k1cx值4432053536296614585645114y值0.840.830.690.850.84z值2968632999197113046229915t(℃)1250以上1120-11331116-11301090-1100t4(℃)1227102711631159<x、y、z值与玻璃的破碎数的关系>评价玻璃组成与玻璃的破碎性的关系时，利用离子交换的化学强化处理在玻璃中赋予规定的拉伸应力，通过调查作为该拉伸应力的指标的内部拉伸应力面积(st值；单位mpa·μm)与破损时的破碎行为的相关性而进行。这时，按各种化学强化条件制作具有各种st值的玻璃，调查破损时的破碎数与st值的关系。具体而言，对25mm×25mm×厚度t(mm)的玻璃以st值变化的方式按各种化学强化处理条件进行化学强化处理，制作具有各种st值的玻璃。而且，将破碎数为10个的st值规定为stlimit值。当破碎数超过10个时，使用小于10个的最大破碎数n个的st值即stn值和超过10个的最小破碎数m个的st值即stm值，根据下式规定stlimit值。stlimit值＝stn+(10－n)×(stm－stn)/(m－n)st值是利用折原制作所社制的表面应力计fsm－6000测定并通过附属程序fsmv进行解析的值stf，或者是使用通过使用双折射成像系统abrio－im和薄片化样品的测定而得到的值sta并如下定义。st＝stf＝1.515×sta图3中的(a)和图3中的(b)以及表6中示出t为1mm时的测定例。图3表示stlimit的测定例，图3中的(a)是表示板厚(t)为1mm时的内部拉伸应力层的面积st(mpa·μm)与破碎数的关系的图表，图3中的(b)是图3中的(a)中的被虚线围起的部分的放大图。图3中的(b)的stl10分别表示破碎数达到10个时的内部拉伸应力面积(st；单位mpa·μm)。越是stlimit值大的玻璃，越是破碎性得到改善的玻璃。应予说明，stlimit值是用于表示破碎性的程度的指标，并不是规定破碎样式的允许极限。与上述的方法同样地进行，求出stlimit值。示于表7和8。对于化学强化前的玻璃，将杨氏模量e(单位：gpa)、通过dcdc法测定断裂韧性值kic(单位：mpa·m1/2)的结果一并示于表7和8。应予说明，杨氏模量e通过超声波脉冲法[jisr1602(1995年)]进行测定。另外，破损韧性值参考m.y.he,m.r.turneranda.g.evans,actametall.mater.43(1995)3453.记载的方法，利用dcdc法，使用图4所示的形状的样品和orientec公司制的tensilonuta－5kn，测定如图5所示的表示应力放大系数ki(单位：mpa·m1/2)与裂纹进展速度v(单位：m/s)的关系的ki－v曲线，用一次式对得到的区域iii的数据进行回归、外推，将0.1m/s的应力放大系数ki作为破损韧性值kic。对于例ct－1～ct－27的各例，根据化学强化前的玻璃的组成(支承玻璃的母组成)，由下述式计算x、y、z值。将这些结果示于表7和8。x＝sio2×329+al2o3×786+b2o3×627+p2o5×(－941)+li2o×927+na2o×47.5+k2o×(－371)+mgo×1230+cao×1154+sro×733+zro2×51.8y＝sio2×0.00884+al2o3×0.0120+b2o3×(－0.00373)+p2o5×0.000681+li2o×0.00735+na2o×(－0.00234)+k2o×(－0.00608)+mgo×0.0105+cao×0.00789+sro×0.00752+bao×0.00472+zro2×0.0202z＝sio2×237+al2o3×524+b2o3×228+p2o5×(－756)+li2o×538+na2o×44.2+k2o×(－387)+mgo×660+cao×569+sro×291+zro2×510对于例ct－1、ct－5、ct－7～ct－12、ct－14～ct－19和ct－21～ct－24的支承玻璃，将对厚度t为1mm时的stlimit与x值的关系作图而得的图表示于图6，将对厚度t为1mm时的stlimit与z值的关系作图而得的图表示于图7，将对x值与z值的关系作图而得的图表示于图8。根据表7和8以及图6～8的结果可知，x值和z值与1mm时的stlimit以高精度相关，是以高精度表示支承玻璃破损时的破碎性的参数。另外，可知x值和z值越大，stlimit变得越大。这里，表示支承玻璃的stlimit越大，即便支承玻璃破损，也为破碎数越少的更安全的破损。例如，如果是x值和z值分别为30000以上和20000以上的支承玻璃，则stlimit大于30000mpa·μm，例如，如上述那样sc或st为30000mpa·μm以上的1mm的高强度支承玻璃的例子中，也能够实现玻璃破损时的破碎数足够少的生产率更高的玻璃。参照特定的方式对本发明进行了详细说明，但本领域技术人员可知在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种变更和修正。应予说明，本申请基于在2017年7月26日申请的日本专利申请(特愿2017－144800)，通过引用援引其全体。另外，在此引用的全部参照作为整体获取。当前第1页1 2 3