1.一种微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷按质量百分比计包括如下组分：
陶瓷主料：mgo15-30％、cao2-4％、tio245-65％、al2o310-25％以及改性剂1-4％。
2.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷，其特征在于，所述改性剂包括第一改性剂、第二改性剂以及第三改性剂中的至少一种；
其中，所述第一改性剂包括zno、sio2以及mno2中的至少一种；
所述第二改性剂包括zro2、aln以及sic中的至少一种；
所述第三改性剂包括nb2o5、nd2o3以及ceo2中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的微波介质陶瓷，其特征在于，所述第一改性剂占所述微波介质陶瓷的质量百分比为0.5-2％；
优选的，所述第二改性剂占所述微波介质陶瓷的质量百分比为0.3-1％；
优选的，所述第三改性剂占所述微波介质陶瓷的质量百分比为0.2-1％。
4.根据权利要求1-3任一项所述的微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的介电常数εr为19-21，品质因数q×f为50000-60000ghz，谐振频率温度系数τf为-2-8ppm/℃，抗热震温差为90-95℃。
5.一种权利要求1-4任一项所述的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:
a)将陶瓷主料和改性剂煅烧，得到煅烧后粉体；
b)加入粘结剂到步骤a)得到的煅烧后粉体中混合，再造粒，得到造粒粉体；
c)将步骤b)得到的造粒粉体进行成型，得到坯体；
d)将步骤c)得到的坯体烧结，得到微波介质陶瓷。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤a)包括如下步骤：
将陶瓷主料mgo、cao、tio2、al2o3以及改性剂混合，再煅烧，得到煅烧后粉体。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤a)包括如下步骤：
a将部分mgo和部分tio2混合，再煅烧，得到mgtio3和/或mg2tio4粉体；
b将剩余mgo和al2o3混合，再煅烧，得到mgal2o4粉体；
c将cao和剩余tio2混合，再煅烧，得到catio3粉体；
d将步骤a得到的mgtio3和/或mg2tio4粉体、步骤b得到的mgal2o4粉体、步骤c得到的catio3粉体和改性剂混合，得到煅烧后粉体；
优选的，步骤a、b、c以及d中的混合方法均独立地包括湿法球磨混料方法；
优选的，所述湿法球磨混料的时间为3-8h，湿法球磨混料的转速为200-400rpm；
优选的，所述湿法球磨混料后得到的粉体粒径在1μm以下；
优选的，步骤a中煅烧的温度为1050-1150℃，煅烧时间为2-4h；
优选的，步骤b中煅烧的温度为850-950℃，煅烧时间为2-4h；
优选的，步骤c中煅烧的温度为1050-1150℃，煅烧时间为2-4h。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中的混合方法包括湿法球磨混料方法；
优选的，所述湿法球磨的时间为3-8h，湿法球磨的转速为200-400rpm；
优选的，步骤b)中得到的造粒粉体的平均粒径为50-150μm。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中得到的坯体的干压密度为2.2-2.6g/cm3。
10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤d)中烧结的温度为1320-1360℃，烧结的时间为2-4h。