专利名称：电子传输材料及其制备方法
电子传输材料及其制备方法背景总体而言，本发明涉及化合物，具体而言，涉及化合物、使用其例如作为电子传输材料的光电器件及其制造方法。预期利用在经受偏压时发光的薄膜材料的光电器件例如有机发光器件(OLEDs) 将成为平板显示技术的日益受欢迎的形式。这是因为OLEDs具有广泛的潜在应用，包括蜂窝电话、个人数字助理(PDAs)、计算机显示器、车载信息显示器、电视监视器以及用于一般照明的光源。由于其颜色明亮、视角宽、与全动视频相容、温度范围广、形状因子薄且适合、 动力需求低且具有用于低成本制造工艺的潜能，所以OLEDs被看作是阴极射线管(CRTs)和液晶显示器(IXDs)的未来替代技术。由于其发光效率高，因此对于某些类型的应用来说， OLEDs被看作具有替代白炽灯和或许甚至荧光灯的潜能。OLEDs具有夹层结构，其由在两个相对电极之间的一个或多个有机层组成。例如， 多层器件通常包括至少三层空穴注入/传输层、发光层及电子传输层(ETL)。此外，还优选所述空穴注入/传输层充当电子阻挡层且ETL充当空穴阻挡层。单层OLEDs在两个相对电极之间仅包含单层材料。发明简述一方面，本发明涉及式I化合物
权利要求
1.方法，其包括使式A化合物与吡啶基硼酸或吡啶基硼酸酯反应以形成式B化合物；和
2.权利要求1的方法，其中所述式A化合物具有式
3.权利要求1的方法，其中所述式A化合物具有式
4.权利要求1的方法，其中所述吡啶基硼酸或吡啶基硼酸酯为
5.权利要求1的方法，其中所述式B化合物为
6.权利要求1的方法，其中所述式B化合物为
7.权利要求1的方法，其中所述吡啶基二卤化物为
8.权利要求1的方法，其另外包括在与所述吡啶基二卤化物化合之前使所述式B化合物与硼烷酯化试剂化合。
9.权利要求1的方法，其另外包括在与所述式B化合物反应之前使所述吡啶基二卤化物与硼烷酯化试剂化合。
10.权利要求8或9中任一项的方法，其中所述硼烷酯化试剂为二硼酸二频哪醇酯。
11.权利要求1的方法，其中所述式C化合物为
12.权利要求1的方法，其中所述式C化合物为
13.式C化合物，其通过以下步骤制备使式A化合物与吡啶基硼酸或吡啶基硼酸酯反应以形成式B化合物；
14.权利要求13的化合物，其中所述式A化合物具有式
15.权利要求13的化合物，其中所述式A化合物具有式
16.权利要求13的化合物，其中所述吡啶基硼酸或吡啶基硼酸酯为
17.权利要求13的化合物，其中所述式B化合物为
18.权利要求13的化合物，其中所述式B化合物为
19.权利要求13的化合物，其中所述吡啶基二卤化物为
20.权利要求13的化合物，其另外包括在与所述吡啶基二卤化物化合之前使所述式B 化合物与硼烷酯化试剂化合。
21.权利要求13的化合物，其另外包括在与化合物B反应之前使所述吡啶基二卤化物与硼烷酯化试剂化合。
22.权利要求20或21中任一项的化合物，其中所述硼烷酯化试剂为二硼酸二频哪醇
23.权利要求13的化合物，其具有式
24.权利要求13的化合物，其具有式
全文摘要
式C化合物通过以下步骤制备使式A化合物与吡啶基硼酸或吡啶基硼酸酯反应以形成式B化合物；且使式B化合物与吡啶基二卤化物化合以形成式C化合物；其中R3、R4、R5、R6和R7在每次出现时独立地为C1-C20脂族基团、C3-C20芳族基团或C3-C20脂环族基团；X在每次出现时独立地为CH或N；Y为氯或溴；Z为溴或碘；且当Y为溴时，Z为碘；d、e和g在每次出现时独立地为0-4的整数；f为0-2的整数；且h为0-3的整数。
文档编号C07D401/14GK102272123SQ200980154331
公开日2011年12月7日 申请日期2009年12月17日 优先权日2009年1月8日
发明者K·S·基查克, R·王, 刘升霞, 叶青, 梁延刚 申请人:通用电气公司