专利名称：一种乙炔基封端的胺基硅烷化合物及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种乙炔基封端的胺基硅烷化合物及制备方法。
背景技术：
现代科技的发展促进了人们对无机有机杂化聚合物材料的强烈需求，这类材料具有质轻、耐热、可加工的优点，在微电子工业和航空航天工业中具有重要应用。含硅聚合物是一种有机无机杂化材料，不同结构的含硅杂化聚合物可用作光电子功能材料[Macromol Rapid Commun 2002，23，68]、硅基陶瓷前驱体[Adv Mater 1993，5，380]和耐高温材料[Adv Mater 1997，9，1187]。近年来，含硅杂化聚合物材料的研究热点主要集中于含炔基及芳基的聚碳硅烷[Macromolecules 1997，30，694]和含炔基及芳基的聚硅氧硅烷[Polymer 2002，43，2619]，前者具有很高的热稳定性，可作为耐高温热固性树脂和碳化硅陶瓷前驱体；后者具有卓越的耐高温性能，可作为新型耐高温材料。有机硅氮烷聚合物，作为有机硅聚合物的一个重要组成部分，一直备受人们瞩目， 聚硅氮烷普遍具有较高的热稳定性，广泛应用于耐高温材料领域。谢择民等合成了含炔基的聚硅氮烧聚合物[J Polym Sci Part A Polym Chem 2004,42,2897 ；Eur Polym J 2006， 42，3068]，这类聚合物表现出良好的耐高温性能，可用于耐高温热固性树脂、硅基陶瓷前驱体和光电功能材料领域，然而含端炔基的硅氮烷小分子化合物及其制备方法未见报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种乙炔基封端的胺基硅烷化合物及其制备方法。本发明提供的式(I)所示乙炔基封端的胺基硅烷化合物，
权利要求
1.式(I)所示乙炔基封端的胺基硅烷化合物，
2.根据权利要求1所述的胺基硅烷化合物，其特征在于式(I)中，R1和R2均选自H原子、乙烯基、烯丙基、甲基、乙基、己基、三氟丙基、苯基、对甲基苯基和间甲基苯基。
3.权利要求1或2所述胺基硅烷化合物的制备方法，包括如下步骤式(II)所示二有机基二氯硅烷与乙炔基苯胺进行亲核取代反应即得所述胺基硅烷化合物，
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于式(II)中，R1和R2均选自H原子、 乙烯基、烯丙基、甲基、乙基、己基、三氟丙基、苯基、对甲基苯基和间甲基苯基。
5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于式(II)所示二有机基二氯硅烷与乙炔基苯胺的摩尔份数比为(0.5-10) (1-20)。
6.根据权利要求3-5中任一所述的制备方法，其特征在于所述亲核取代反应的温度为0°C -120°C ；所述亲核取代反应的时间为1小时-72小时。
7.根据权利要求3-6中任一所述的制备方法，其特征在于所述亲核取代反应的溶剂为甲苯和四氢呋喃中任一种与三乙胺、二异丙基胺和吡啶中至少一种的混合物。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于所述亲核取代反应的溶剂为甲苯和四氢呋喃中任一种与三乙胺、二异丙基胺和吡啶中任一种的混合物。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于甲苯和四氢呋喃中任一种与三乙胺、 二异丙基胺和吡啶中任一种的体积份数比为(1-20) (1-20)。
10.根据权利要求1-9中任一所述的制备方法，其特征在于所述亲核取代反应在惰性气氛下进行。
全文摘要
本发明公开了一种乙炔基封端的胺基硅烷化合物及其制备方法。该胺基硅烷化合物如式(I)所示；式(I)中，两个取代苯环同时为邻位取代苯环、间位取代苯环或对位取代苯环；R1和R2均选自H原子、C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C6-C12芳基和三氟丙基。本发明提供了上述胺基硅烷化合物的制备方法，包括如下步骤式(II)所示二有机基二氯硅烷与乙炔基苯胺进行亲核取代反应即得所述胺基硅烷化合物，式(II)中，R1和R2均选自H原子、C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C6-C12芳基和三氟丙基。本发明提供的乙炔基封端的胺基硅烷化合物具有良好的热稳定性，可用于耐高温热固性树脂、树脂基复合材料基体等。
文档编号C07F7/10GK102219801SQ201110100760
公开日2011年10月19日 申请日期2011年4月21日 优先权日2011年4月21日
发明者徐彩虹, 方雷, 王锐 申请人:中国科学院化学研究所