甲基氯硅烷单体合成净化装置的制作方法

文档序号:3586072阅读:171来源:国知局
专利名称:甲基氯硅烷单体合成净化装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种甲基氯硅烷单体合成净化装置。
背景技术
甲基氯硅烷单体合成工序经过旋风分离后的气体中含有一定量的细硅粉等固体物料,这部分物料进入净化塔后用液体进行洗涤,洗涤出的硅粉等固体物料进入浆渣,然后进行处理,处理的难度和环境污染都比较大。
发明内容本实用新型的目的是在于克服上述不足而提供了甲基氯硅烷单体合成净化装置。本实用新型采取的技术方案为甲基氯硅烷单体合成净化装置,包括与流化床相接的旋分装置,旋分装置通过除尘器与净化塔相连。所述的旋分装置为三级旋风分离器。所述的除尘器为干法除尘器。在单体合成的旋分装置和净化塔之间增加一台干法除尘器,用除尘器把气体中夹带的细硅粉等固体物料进行分离,减少气体中夹带的细硅粉等固体物料,分离出的物料可以对外销售获得一定利润并减少浆渣产量,降低浆渣的处理难度和环境污染。该技术投运后,既回收了细硅粉又减少了浆渣含量,经济效益和环保效益都比较明显。

图1为本实用新型的结构图;其中1.流化床,2.旋风分离器,3.除尘器(干法),4.净化塔。
具体实施方式
甲基氯硅烷单体合成净化装置,包括与流化床1相接的旋分装置,旋分装置通过干法除尘器3与净化塔4相连。所述的旋分装置为三级旋风分离器2。
权利要求1.甲基氯硅烷单体合成净化装置,包括与流化床相接的旋分装置,其特征是,旋分装置通过除尘器与净化塔相连。
2.根据权利要求1所述的甲基氯硅烷单体合成净化装置,其特征是,所述的除尘器为干法除尘器。
3.根据权利要求1所述的甲基氯硅烷单体合成净化装置,其特征是,所述的旋分装置为三级旋风分离器。
专利摘要本实用新型涉及甲基氯硅烷单体合成净化装置,包括与流化床相接的旋分装置,旋分装置通过除尘器与净化塔相连。在单体合成的旋分装置和净化塔之间增加一台干法除尘器,用除尘器把气体中夹带的细硅粉等固体物料进行分离,减少气体中夹带的细硅粉等固体物料,分离出的物料可以对外销售获得一定利润并减少浆渣产量,降低浆渣的处理难度和环境污染。该技术投运后,既回收了细硅粉又减少了浆渣含量,经济效益和环保效益都比较明显。
文档编号C07F7/12GK202297428SQ20112036327
公开日2012年7月4日 申请日期2011年9月26日 优先权日2011年9月26日
发明者付晓华, 杨本华 申请人:鲁西化工集团股份有限公司硅化工分公司
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