一种基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料及以该材料作为发光层的有机光电器件的制作方法

文档序号:3496451阅读:154来源:国知局
一种基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料及以该材料作为发光层的有机光电器件的制作方法
【专利摘要】本发明属于光电材料【技术领域】,具体涉及一种基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料及以该材料作为发光层的有机光电器件。所述的有机小分子材料以螺式硫杂蒽为骨架单元,通过付克反应或乌尔曼反应得到目标化合物。该类材料结构单一,分子量确定,在常用溶剂中具有较好的溶解性及成膜性;本发明材料的螺式结构可以调节分子间的堆积方式,从而可以有效抑制激基复合物发光,对高效能器件的开发具有深远的意义;由该材料作为发光层的有机光电器件具有良好的发光性能,可应用于有机小分子发光二极管。
【专利说明】一种基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料及以该材料作为发 光层的有机光电器件

【技术领域】
[0001] 本发明属于光电材料【技术领域】,具体涉及一种基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料 及以该材料作为发光层的有机光电器件。

【背景技术】
[0002] 近二十年来,有机电致发光二极管(0LED)因具有高效、低电压驱动,易于大面积 制备及全色显示等优点具有广阔的应用前景,得到人们的广泛关注。该研究始于上个世纪 50年代,直到1987年美国柯达公司的邓青云博士等在专利US4356429中采用三明治器件结 构,研制出的0LED器件在10V直流电压驱动下发光亮度达到lOOOcd/m 2,使0LED获得了划 时代的发展。
[0003] 有机电致发光主要分为荧光和磷光,但根据自旋量子统计理论,单重态激子和三 重态激子的概率为1 :3,即来自单重态激子辐射跃迁的荧光的理论极限为25%,三重态激 子辐射跃迁的荧光的理论极限为75%。如何利用75%的三线态激子的能量成为当务之急。 1997年Forrest等发现磷光电致发光现象突破了有机电致有机小分子材料量子效率25% 效率的限制。1999年Forrest将绿光掺杂材料Ir (ppy) 3以6%质量掺杂浓度掺杂在主体材 料4,4' -N,Ν' -二咔唑基-联苯(CBP)中,得到外量子效率8%,功率效率高达311m/W,大 大高于荧光材料器件,引起人们对金属配合物磷光材料的广泛关注。从此,人们对磷光材料 进行了大量的研究。而磷光材料的使用,要求其它周边材料,如主体材料、空穴传输材料以 及电子传输材料具有较高的三线态能级,以防止能量由磷光材料向这些周边材料的转移。
[0004] 因此,开发同时具有高三线态和双载流子传输能力的主体材料,在降低器件电压、 提高器件效率的同时,使器件结构更为简单,从而达到降低制作成本的目的。
[0005] 截止目前,用于有机电致发光电器件的有机小分子材料虽然已有很多报道,但是 以螺式硫杂蒽结构为核的有机小分子材料却鲜有报道。正基于此,本发明设计了以螺式硫 杂蒽结构为核的有机小分子主体材料,并借以硫原子价态的改变进一步改善该材料平衡载 流子的能力,从而提高器件的效率及稳定性。
[0006] 这种有机小分子材料结构单一,分子量确定,具有较好的溶解性及成膜性,可应用 在包括有机发光二极管等有机光电器件中。


【发明内容】

[0007] 为了解决现有技术的缺点和不足之处,本发明的首要目的在于提供一种基于螺式 硫杂蒽的有机小分子材料。
[0008] 本发明的另一目的在于提供一种以上述基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料作为 发光层的有机光电器件。
[0009] 本发明目的通过以下技术方案实现:
[0010] 一种基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料,所述材料具有如下结构式:
[0011]

【权利要求】
1. 一种基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料,其特征在于:所述材料的分子结构式为:
式中R1和R2表示相同或者不相同的含苯环的结构。
2. 根据权利要求1所述的一种基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料,其特征在于:所述 有机小分子材料的分子结构式具有Pin?P8n任一项所示的结构式,
其中Ar表示⑴或⑵所示的基团,
3. 根据权利要求1所述的一种基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料,其特征在于:所述 的有机小分子材料的分子结构式具有P1?P22任一项所示的结构式,

4. 一种以权利要求1?3任一项所述的基于螺式硫杂蒽的有机小分子材料中的一种或 两种以上作为发光层的有机光电器件。
5. 根据权利要求4所述的一种有机光电器件,其特征在于:所述有机光电器件包括基 板,以及依次形成在基板上的阳极层、若干个发光层单元和阴极层;所述的发光层单元包括 空穴注入层、空穴传输层、一个或多个发光层和电子传输层。
【文档编号】C07F9/6553GK104193736SQ201410418082
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月22日 优先权日:2014年8月22日
【发明者】苏仕健, 刘坤坤, 刘明, 彭俊彪, 曹镛 申请人:华南理工大学
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