专利名称：耐磨损性突出的永久性抗静电苯乙烯类树脂复合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及苯乙烯类树脂复合物，具体涉及一种耐磨损性突出的永久性抗静电苯乙烯类树脂复合物。
背景技术：
随着数码产品的日益小型化和低价化，现有的芯片配件正朝着轻薄、短小的趋势发展。不同于以往的芯片单独使用，目前对组装芯片的半成品形式的模块使用量在迅速增力口，在储藏和搬运模块时，防止因外部冲击导致摩擦静电的产生以及模块与包装容器间的摩擦引起异物破损模块的问题，逐渐成为人们所关注的焦点。模块储藏及搬运用产品被称为模块托盘，分为装入IC芯片的载带和托盘。由于通过模块托盘搬运的模块呈半成品状态，因此在真空成型后维持原形态，防止外部冲击力保护内部模块的问题至关重要。通常而言，模块托盘由盖子和主体构成。盖子应呈单纯形态，以便简单识别内部模块，并应确保防止层叠的模块托盘下坠现象的发生。此外，还有必要具备层叠储藏时与开合盖子时所发生的静电去除功能。因此，模块托盘应采用具有单纯形态、防静电、透明和抗层叠载重功能的材质，通常采用防静电涂层的透明PET材质。主体通常采用能在模块真空成型后，确保各部分的一定厚度，以缓解外部冲击力，且能维持原形态的材质。此外，为防止反复的模块开合导致模块破损现象的发生，所采用的材质还需要具备耐磨损性能。能够满足上述条件并适用的材质应满足可进行真空成型，具备低磨损度，成型时可按一定的延伸比，确保通过位置的产品厚度，且具备防静电特性的条件。此外，根据工序的自动化发展，容器的重量也极为重要。目前通常采用的最适用的材质是比重为1.03^1.06水准的聚苯乙烯类高分子。 高分子给予导电性能的方法主要有以下两种:在产品表面形成带有导电性物质的薄膜的表面处理方法和将导电性物质分散到高分子内部的方法。1、表面处理方法包括:将产品浸涂于液状导电性物质中的方法，涂抹导电性物质的方法以及利用离子束或等离子改变产品表面的方法。模块托盘是高温高压的真空成型产品，表面上有许多形状复杂的凹凸状。在真空成型前，采用在其表面涂抹、浸涂导电性物质和通过等离子进行表面处理等方法，在真空成型后，使得模块托盘表面形状复杂，此时会随着位置变动丧失其导电性。此外，在反复使用时引发摩擦，进而导致表面处理层脱落，抗静电特性就会失效。2、将导电性物质溶于高分子内部的方法包括:利用在高分子树脂中混合导电性物质；制造注塑产品的方法和在高分子树脂中混合导电性物质并进行挤压后，根据用途进行注塑或挤压处理的方法；添加导电性物质，并通过熔融挤压处理，给予抗静电特性的方法。在常规技术中所采用的导电性物质有金属类针状晶须、导电性碳纤维、导电性碳黑、碳纳米管、固有静电消散高分子。在上述物质中，金属类针状晶须和导电性碳纤维虽然可以提供稳定的静电效果，但价格过高，且在混入高分子化合物中的状态下，有可能因高温高压的真空成型而突出于产品表面，因此不适用于真空成型。由于导电性碳黑价格低廉，具有化合物的价格竞争力，且在成型后不会出现突出于表面的现象，但在模块插入或去除时，具有因摩擦而引发粉末状异物的可能性。与导电性碳黑相比，使用少量的碳纳米管也可给予导电性，因此具备化合物的磨损度减少的优点，但碳纳米管会降低化合物的柔和性，进而在产品反复使用时，会导致产品耐久性能下降。抗静电剂可分为表面活性剂类和导电性高分子。表面活性剂类抗静电剂价格低廉，且仅用f3wt%的量便可达到ElfE12ohm/sq水准的导电性能，但由于表面活性剂类抗静电剂属于湿度依赖性物质，在低湿状态下会丧失导电性效果，且因其分子量较低，大量使用时，会导致溢到产品表面上。最具代表性的化合物用导电性高分子是离子类聚合物与特定聚合物的聚合制造而成的固有静电消散高分子。固有静电消散高分子一般不会受到周边湿度的影响，且在真空成型延伸时，其表面电阻值分布也非常稳定。由于是分布在高分子内的形态，即便是外观复杂的成型品，也能确保电阻分布稳定。此外，不会出现溢到产品表面的现象，故在模块接触时也不会发生污染。利用l(T30wt%的固有静电消散高分子，可达到E9 Ellohm/sq水准的导电性能。但采用导电性高分子的化合物表面电阻，在真空成型时，会因延伸而上升EfE2ohm/Sq。因此在真空成型时，为确保产品表面电阻的稳定性，需要大量使用固有静电消散高分子。此外，固有静电消散高分子从230°C起会进行热分解，因而不适用于加工温度高达230°C以上的树脂化合物。固有静电消散高分子的使用量增加会直接导致其物性降低，进而会加大产品磨损度。通常而言，提高高分子耐磨损度的方法有:在表面进行硬质涂层的方法、自行复合耐磨损性突出的异种聚合物的方法和添加碳氢化合物的方法。但从商业角度考虑，表面形状复杂的模块托盘不适宜进行涂层；复合异种聚合物时需要添加5 20被％水准的量，且在每种物质的耐热度或收缩率各不相同时，复合异种聚合物的化合物最终会导致产品扭曲的现象；利用碳氢化合物提高产品耐磨损度的方法，通常使用量为0.5 2wt%，更准确地说，其使用量应为f2wt%，利用碳氢化合物提高耐磨损度的原理是，随着产品的冷却，低分子量的碳氢化合物会溢到产 品表面，并在表面形成润滑层，进而导致产品磨损度下降，但同时还会溢到与其相接触的物质上，导致附加性的污染。
发明内容
有鉴于此，本发明旨在提供一种在未添加抗静电剂的前提下，磨损度、比重、收缩率类似于基托树脂水准的永久性抗静电苯乙烯类树脂复合物。为达到上述目的，本发明采用的技术方案是:本发明的苯乙烯类树脂复合物，按照质量份数计，主要由下述物质在加工温度200°C以下真空成型而成:
权利要求
1.一种苯乙烯类树脂复合物，其特征在于，按照质量份数计，主要由下述物质在加工温度200°C以下真空成型而成:
2.根据权利要求1所述的树脂复合物，其特征在于:所述的树脂复合物还包括碳纳米管，所述的碳纳米管在树脂复合物中的含量为2 5wt%。
3.根据权利要求2所述的树脂复合物，其特征在于:所述的碳纳米管为长度1 50μπι、直径9 45nm、纵横比60 3500的多重壁碳纳米管。
4.根据权利要求3所述的树脂复合物，其特征在于:所述的碳纳米管为长度1.5^3 μ m,直径扩15nm、纵横比6(Γ300的多重壁碳纳米管，其在树脂复合物中的含量为2 4wt%。
5.根据权利要求1所述的树脂复合物，其特征在于:所述的树脂复合物还包括离型剂、加工稳定剂和颜料中的一种或两种以上。
6.根据权利要求1所述的树脂复合物，其特征在于:所述的一次抗氧化剂为受阻酚，其在树脂复合物中的含量为0.Γ0.5wt%。
7.根据权利要求1所述的树脂复合物，其特征在于:所述的二次抗氧化剂为亚磷酸盐类化合物，其在树脂复合物中的含量为0.Γ0.5wt%。
8.根据权利要求1所述的树脂复合物，其特征在于:所述的氟代聚合物为平均颗粒大小(D50)为:Γ4μπι的纯聚四氟乙烯，其在树脂复合物中的含量为f2wt%。
9.根据权利要求1所述的树脂复合物，其特征在于:所述的碳氢化合物为平均分子量250(Γ3500，软化点103 111 °C的低密度聚乙烯，其在树脂复合物中的含量为0.5 lwt%。
10.一种电子材质容器成型用真空成型的模块托盘，其特征在于:所述的模块托盘由权利要求Γ9任一项所述的树脂复合物制成。
全文摘要
一种耐磨损性突出的永久性抗静电苯乙烯类树脂复合物，按照质量份数计，主要由下述物质在加工温度200℃以下真空成型而成65~80份苯乙烯类树脂、5~15份冲击增强剂、20~30份固有静电消散高分子、0.2~1份抗氧化剂、0.5~2份氟代聚合物、0.1~2份碳氢化合物，所述的树脂复合物还可以包括2~5wt%碳纳米管；本发明的苯乙烯类树脂复合物在低湿环境中具有如同常温下的抗静电特性，其耐磨损度水准类似于纯聚苯乙烯，给模块托盘乃至需要类似用途的多种领域提供了一种经济实用的方法。
文档编号C08L55/02GK103183878SQ20131004123
公开日2013年7月3日 申请日期2013年2月1日 优先权日2013年2月1日
发明者姜道均 申请人:科思泰半导体配件(苏州)有限公司