技术领域本发明涉及用于除去氧化物的清洗组合物和使用清洗组合物的清洗方法。
背景技术：
有机发光设备(OLED)是具有宽视角、高对比率、以及短响应时间的自发射设备。此外，OLED显示优异的亮度、驱动电压、以及响应速度特性并且产生全色图像。OLED可具有以规定顺序位于基板上的第一电极、有机层、以及第二电极的堆叠结构。通过使用利用掩模的真空沉积法可形成OLED的堆叠结构。换句话说，通过使用利用金属掩模例如精细金属掩模(FMM)的真空沉积法可使有机层精细图案化。然而，因为第一电极和第二电极没有被精细图案化，所以通过使用利用开放式掩模(openmask)的真空沉积法可形成第一电极和第二电极。通常，可通过使用湿蚀刻工艺或者激光工艺处理掩模基底材料(maskbasematerial)形成FMM。掩模可在真空沉积工艺过程中引入污染材料，因此，要求清洗掩模。在湿蚀刻工艺过程中，通过使用诸如蒸馏水或酒精的常规清洗溶液冲洗掩模基底材料可以除去杂质。然而，当通过使用激光工艺处理掩模基底材料时，利用常规清洗溶液不能除去利用激光照射掩模基底材料时自然形成的氧化物。因此，仍然存在于掩模基底材料上残留氧化物的问题。
技术实现要素：
一种或者多种示例性实施方式可包括用于除去氧化物的清洗组合物，清洗组合物选择性地除去掩模基底材料的表面上形成的氧化物，而不损坏掩模基底材料。一种或者多种示例性实施方式可包括通过使用用于除去氧化物的清洗组合物进行清洗的方法。其他方面将在随后的描述中部分陈述并且部分从该描述中显而易见，或者可以通过实施提供的实施方式获知。根据本发明的一种或者多种示例性实施方式，用于除去氧化物的清洗组合物可包括：选自有机酸、无机酸、以及它们的组合的酸；选自有机盐、无机盐、以及它们的组合的盐；表面活性剂；以及水。根据本发明的一种或者多种示例性实施方式，清洗方法可包括：制备包括氧化物的掩模基底材料；以及通过使所述的清洗组合物与掩模基底材料接触而进行第一次清洗。附图说明本发明以及其多种附带优点的更加全面的理解将易于显而易见，因为通过参考结合所附附图考虑时的下列详细描述其变得更好理解，在附图中，类似附图标记指示相同或者相似的部件，其中：图1是示出了根据本发明示例性实施方式的关于制备例3的因瓦棒(Invarstick)的表面的扫描电子显微镜(SEM)图像；图2A和图2B各自是示出了分别从完成根据本发明示例性实施方式的清洗起24小时和5天时间之后关于实施例1的因瓦棒的表面的SEM图像。图3A、图3B、以及图3C各自是示出了分别从完成根据本发明示例性实施方式的清洗起1小时、4小时、以及8小时时间之后关于实施例2的因瓦棒的表面的SEM图像。具体实施方式现将详细参考示例性实施方式，其实例示出在附图中，其中，相同附图标记始终指代相同元件(要素)。在这方面，本示例性实施方式可具有不同的形式并且不应被解释为局限于此处陈述的描述。因此，通过参考附图仅在下面描述了示例性实施方式，以说明本描述的方面。如此处使用的，术语“和/或”包括一种或者多种相关列出项的任何和所有组合。在元件列表之前时的诸如“至少一种”的表达修饰全部的元件列表并且不修饰列出的单独的元件。在下文中，将参考所附附图详细说明根据示例性实施方式的用于除去氧化物的清洗组合物和使用清洗组合物的清洗方法。然而，本发明的构思并不局限于此，并且该范围内的所有不同将被视为包括在本发明的构思内。应当理解的是，尽管此处可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组分，但是，这些组分不应受这些术语限制。这些组分仅用于将一种组分与另一种组分区分开。在本说明书中，应当理解，诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语旨在表示存在本说明书中公开的特征或者组分，并且并不旨在排除可以存在或者可以添加一种或者多种其他特征或组分的可能性。如此处使用的，术语“有机酸”表示在含水环境中为酸性(即，具有低于7的pH值)的有机化合物，例如，包括酸官能团，诸如羧基基团(-COOH)、磺酸基团(-SO3H)、被羟基基团取代的芳基基团(-ArOH)(其中，Ar表示芳基基团，诸如苯基基团)、或者巯基基团(-SH)的有机化合物。如此处使用的，术语“无机酸”表示在含水环境中为酸性(即，具有小于7的pH值)的化合物，其中，包含诸如氯、氮、硫、或者磷的非金属元素的酸基团不与碳原子键合，而是与氢键合。在下文中，将详细说明根据本发明示例性实施方式的用于除去氧化物的清洗组合物及使用清洗组合物的清洗方法。根据本发明的示例性实施方式，用于除去氧化物的清洗组合物可包括选自有机酸、无机酸、以及它们的组合的酸；选自有机盐、无机盐、以及它们的组合的盐；表面活性剂；以及水。用于除去氧化物的清洗组合物中的酸可与下面描述的氧化物发生反应，从而使得除去氧化物。可以使用足够量的酸，从而选择性地除去氧化物。例如，基于100wt％的用于除去氧化物的清洗组合物，酸的量可以在约0.1wt％至约50wt％的范围内。在一些实施方式中，基于100wt％的用于除去氧化物的清洗组合物，酸的量可以在约0.1wt％至约40wt％的范围内，在一些实施方式中，酸的量可以在约0.1wt％至约35wt％的范围内，在一些实施方式中，酸的量可以在约0.1wt％至约30wt％的范围内，并且在一些实施方式中，酸的量可以在约0.1wt％至约25wt％的范围内。当酸的量在这些范围内时，用于除去氧化物的清洗组合物可具有优异的清洗能力，而不损坏基底材料。根据本发明的实施方式，酸可以是有机酸。例如，有机酸可包括具有羧基基团(-COOH)的羧酸。具体地，有机酸可以是具有至少一个羧基基团和2至10个碳原子的羧酸，但是，实施方式不局限于此。根据本发明的实施方式，例如，有机酸可包括选自下述中的至少一种羧酸：乙酸、甲酸、丙酸、丁酸、异丁酸、戊酸、乙基甲基乙酸、三甲基乙酸、琥珀酸、己二酸、柠檬酸、草酸、乳酸、酒石酸、苹果酸、抗坏血酸、以及丙二酸。进一步地，有机酸可包括具有磺酸基团(-SO3H)的磺酸。例如，有机酸可包括选自下述中的至少一种磺酸：甲磺酸、乙磺酸、正丙磺酸、异丙磺酸、以及正丁磺酸。可以单独或者以其至少两种的组合使用有机酸。在本发明的一些实施方式中，酸可以是无机酸。无机酸可包括选自下述中的至少一种酸：硫酸、盐酸、磷酸、硝酸、以及高氯酸，但实施方式并不局限于此。可以单独或者以其至少两种的组合使用无机酸。用于除去氧化物的清洗组合物中的盐可增强清洗组合物除去氧化物的能力。在本发明的一些实施方式中，例如，盐可包括选自无机盐和有机盐中的至少一种盐，无机盐包括硫酸盐、磷酸盐、盐酸盐、以及硝酸盐中的至少一种；有机盐包括羧酸盐和磺酸盐中的至少一种。具体地，盐可包括无机盐，无机盐包括硫酸钠、硫酸钾、硫酸镁、以及硫酸铵中的至少一种。在本发明的一些实施方式中，盐可包括有机盐，有机盐包括乙酸钠、乙酸钾、柠檬酸钠、以及柠檬酸钾中的至少一种。在本发明的一些实施方式中，例如，基于100wt％的用于除去氧化物的清洗组合物，盐的量可以在约0.1wt％至约35wt％的范围内。在一些实施方式中，基于100wt％的用于除去氧化物的清洗组合物，盐的量可以在约0.1wt％至约30wt％的范围内，在一些实施方式中，盐的量可以在约0.1wt％至约25wt％的范围内，在一些实施方式中，盐的量可以在约0.1wt％至约20wt％的范围内，并且在一些实施方式中，盐的量可以在约0.1wt％至约15wt％的范围内。当盐的量在这些范围内时，用于除去氧化物的清洗组合物可具有优异的清洗能力，而不损坏基底材料。由于用于除去氧化物的清洗组合物中存在表面活性剂，所以可以防止已经从掩模基底材料的表面除去的氧化物重附着于掩模基底材料的表面。表面活性剂可包括选自阴离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂中的至少一种表面活性剂，阴离子型表面活性剂包括烷基硫酸盐(或酯)(alkylsulfate)、烷基醚硫酸盐(或酯)(alkylethersulfate)、烷基磺酸盐(或酯)(alkylsulfonate)、烷基醚磺酸盐(或酯)(alkylethersulfonate)、烷基磷酸盐(或酯)(alkylphosphate)、烷基醚磷酸盐(或酯)(alkyletherphosphate)、烷基碳酸盐(或酯)(alkylcarbonate)、以及烷基醚碳酸盐(或酯)(alkylethercarbonate)中的至少一种；非离子型表面活性剂包括聚氧乙烯烷基醚(polyoxyethylenealkylether)、聚氧乙烯脂肪酸酯(polyoxyethylenefattyacidester)、聚氧乙烯烷基酚醚(polyoxyethylenealkylphenolether)、脱水山梨糖醇脂肪酸酯(sorbitanfattyacidester)、聚氧乙烯脱水山梨糖醇脂肪酸酯(polyoxyethylenesorbitanfattyacidester)、以及蔗糖脂肪酸酯(sucrosefattyacidester)中的至少一种。在本发明的一些实施方式中，例如，非离子型表面活性剂可包括选自下述中的至少一种非离子型表面活性剂：磺酸月桂基酯(月桂基磺酸盐，laurylsulfonate)、磺酸异十三烷基酯(isotridecylsulfonate)、萘磺酸酯(naphthalenesulfonate)、二丁基萘基磺酸酯(dibutylnaphthylsulfonate)、壬基苯磺酸酯(nonylbenzenesulfonate)、十二烷基苯磺酸酯(dodecylbenzenesulfonate)、异十三烷基苯磺酸酯(isotridecylbenzenesulfonate)、硫酸月桂基酯(月桂基硫酸盐，laurylsulfate)、硫酸异十三烷基酯(isotridecylsulfate)、以及硫酸硬脂基酯(硬脂基硫酸盐，stearylsulfate)，但实施方式并不局限于此。非离子型表面活性剂在水溶液中不可以被解离成离子，但可以溶解。非离子型表面活性剂可以是使疏水性单体与亲水性单体聚合的聚合物。非离子型表面活性剂降低水的表面张力，使得可以容易润湿其上形成氧化物的表面。非离子型表面活性剂还降低表面与氧化物之间的粘合强度，使得可以从表面容易地除去氧化物。从表面除去的氧化物可被表面活性剂分子包围，因此，表面活性剂分子可易于分散在清洗溶液中，从而增强清洗组合物除去氧化物的能力。在本发明的一些实施方式中，例如，基于100wt％的用于除去氧化物的清洗组合物，表面活性剂的量可以在约0.1wt％至约15wt％的范围内。在一些实施方式中，基于100wt％的用于除去氧化物的清洗组合物，表面活性剂的量可以在约0.1wt％至约10wt％的范围内，在一些实施方式中，表面活性剂的量可以在约0.1wt％至约5wt％的范围内，并且在一些实施方式中，表面活性剂的量可以在约0.1wt％至约3wt％的范围内。当盐的量在这些范围内时，用于除去氧化物的清洗组合物可具有优异的清洗能力，同时防止已经从基底材料的表面被除去的氧化物重附着于基底材料的表面。关于100wt％的用于除去氧化物的清洗组合物，用于除去氧化物的清洗组合物可包括水以及上述所述组分。水可以是去离子水或者具有充分减少杂质水平的超纯水。清洗组合物可能够减少选自下述中的金属的至少一种氧化物：铁(Fe)、钴(Co)、铬(Cr)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、不锈钢(steelusestainless)(SUS)合金、因科镍合金(Inconelalloy)、科瓦合金(Kovaralloy)、以及因瓦合金(Invaralloy)。例如，在上述金属中，尽管不局限于此，然而，根据下列方程式1可以还原Fe、Ni、或者Co的氧化物：<方程式1>根据本发明实施方式的用于除去氧化物的清洗组合物可包括酸、盐、以及表面活性剂，因此，清洗组合物可以引起氧化物发生还原反应并且控制与氧化物的反应速率。因此，可选择性地除去氧化物。此外，用于除去氧化物的清洗组合物可防止在清洗之后残留在清洗组合物中的氧化物重附着于表面。通过使用已知方法可以制备用于除去氧化物的清洗组合物。根据本发明的实施方式，例如，通过将酸、盐、表面活性剂、以及水混合使得组分的总重量为100wt％，可以制备用于除去氧化物的清洗组合物。此外，用于除去氧化物的清洗组合物可包括在并不产生不利影响的范围内的其他组分。可以随机顺序混合上述组分，条件是它们不引起具体的问题，诸如，发生不希望的反应或者形成沉淀物。可将组分中的任意两种预混合在一起，并且之后可将其他组分添加到混合物中。可替代地，可同时一起混合所有的组分。在下文中，将详细描述根据本发明示例性实施方式的清洗方法。清洗方法可包括：制备具有氧化物的掩模基底材料；并且通过使用于除去氧化物的清洗组合物与掩模基底材料接触而进行第一次清洗。掩模基底材料可包括选自Fe、Co、Cr、Mn、Ni、Ti、Mo、SUS合金、因科镍合金、科瓦合金、以及因瓦合金中的至少一种金属，但实施方式并不局限于此。根据本发明的实施方式，例如，掩模基底材料可以是因瓦合金。因瓦合金的主要组分是Fe和Ni，并且与SUS合金相比，因瓦合金是有利的，因为因瓦合金具有较小的热膨胀性，并且在高温下其张力并不以较大的程度减少。可通过激光照射处理掩模基底材料。根据本发明的实施方式，例如，可通过具有在约50mJ/cm2至约5,000mJ/cm2的范围内的能量密度的激光照射处理掩模基底材料。具体地，可通过具有在约200mJ/cm2至约1,000mJ/cm2的范围内的能量密度的激光照射处理掩模基底材料。此外，可通过激光照射处理掩模基底材料约1分钟至1,440分钟。例如，可通过激光照射处理掩模基底材料约60分钟至约720分钟。可在使用激光照射掩模基底材料时自然形成氧化物。例如，氧化物可以是选自Fe、Co、Cr、Mn、Ni、Ti、Mo、SUS合金、因科镍合金、科瓦合金、以及因瓦合金中的金属的氧化物，其中，在使用激光照射掩模基底材料时在掩模基底材料上自然形成金属的氧化物。例如，氧化物可以是因瓦合金的氧化物，但实施方式并不局限于此。例如，掩模基底材料可包括因瓦合金和因瓦合金的氧化物，但实施方式并不局限于此。通过参考此处提供的详细描述，可以理解用于除去氧化物的清洗组合物。在第一次清洗时，通过使用于除去氧化物的清洗组合物与掩模基底材料接触以还原氧化物并且将还原的氧化物与掩模基底材料分离可以除去氧化物。尽管并不局限于此，然而，可以通过使用喷射法、旋涂法、或者浸渍法(浸涂法，dippingmethod)使用于除去氧化物的清洗组合物与掩模基底材料接触进行第一次清洗，喷射法包括将用于除去氧化物的清洗组合物喷射在掩模材料上，旋涂法包括在使清洗组合物与掩模基底材料接触之后使掩模基底材料高速旋转，浸渍法包括将掩模基底材料浸入到填充有用于除去氧化物的清洗组合物的清洗浴中。例如，通过使用浸渍法在约10℃至约50℃的温度范围内进行第一次清洗约60分钟至约1,440分钟。当在这些温度和时间范围内进行第一次清洗时，可以提高除去氧化物的清洗能力，并且可以使掩模基底材料的损坏最小化。在一些实施方式中，清洗方法可进一步包括下述中的至少一种：使用包括第一醇、表面活性剂、以及水的清洗混合物的第二次清洗；使用蒸馏水的第三次清洗；以及使用第二醇的第四次清洗。例如，清洗方法可包括进行第一次清洗，接着连续进行第二次清洗、第三次清洗、以及第四次清洗。例如，清洗方法可包括进行第一次清洗，接着连续进行第三次清洗和第四次清洗。例如，清洗方法可包括进行第一次清洗，接着进行第二次清洗。第二次清洗可防止在第一次清洗过程中从掩模基底材料除去并且残留在清洗组合物中的任何氧化物重附着于掩模基底材料。通过使用诸如喷射法、旋转法、或者浸渍法的所描述的方法可以进行第二次清洗。例如，清洗方法可包括通过使用浸渍法在约10℃至约50℃的温度范围内进行第二次清洗约60分钟至约120分钟。在一些实施方式中，基于100wt％的在第二次清洗时的清洗混合物，在第二次清洗时的清洗混合物中第一醇的量可以在约5wt％至约50wt％的范围内，并且表面活性剂的量可以在约0.1wt％至约10wt％的范围内。例如，基于100wt％的第二次清洗时的清洗混合物，在第二次清洗时的清洗混合物中第一醇的量可以在约5wt％至约25wt％的范围内，并且表面活性剂的量可以在约0.1wt％至约5wt％的范围内。当第一醇和表面活性剂中的每个的量均在这些范围内时，可以防止除去的氧化物重附着。当清洗方法进一步包括第二次清洗时，第二次清洗时清洗混合物与第一次清洗时用于除去氧化物的清洗组合物的重量比可以在约1:1至约2:1的范围内，但实施方式并不局限于此。第二次清洗时在清洗混合物中包括的表面活性剂可包括选自阴离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂中的至少一种表面活性剂，阴离子型表面活性剂包括烷基硫酸盐、烷基醚硫酸盐、烷基磺酸盐、烷基醚磺酸盐、烷基磷酸盐、烷基醚磷酸盐、烷基碳酸盐、以及烷基醚碳酸盐中的至少一种；非离子型表面活性剂包括聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基酚醚、脱水山梨糖醇脂肪酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇脂肪酸酯、以及蔗糖脂肪酸酯中的至少一种。例如，第二次清洗时在清洗混合物中包括的表面活性剂可包括选自下述中的至少一种非离子型表面活性剂：磺酸月桂基酯、磺酸异十三烷基酯、萘磺酸酯、二丁基萘基磺酸酯、壬基苯磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、异十三烷基苯磺酸酯、硫酸月桂基酯、硫酸异十三烷基酯、以及硫酸硬脂基酯，但实施方式并不局限于此。第二次清洗时在清洗混合物中包括的表面活性剂可与第一次清洗时在用于除去氧化物的清洗组合物中包括的表面活性剂相同或者不同。第一醇和第二醇可包括选自具有至少一个羟基基团(-OH)和1至10个碳原子的脂肪族烃基团中的至少一种。例如，第一醇和第二醇可各自独立包括选自下述中的至少一种醇：甲醇、乙醇、戊醇、2-甲基-2-丁醇、3-甲基-2-丁醇、正丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、2-丁醇、2-甲基-2-丙醇、己醇、环己醇、苯甲醇、丙醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、甘油、以及二丙二醇。第一醇和第二醇可以彼此相同或者不同。例如，第一醇和第二醇可以各自是异丙醇。在一些实施方式中，清洗方法可包括第三次清洗，并且可以在约10℃至约50℃的温度范围内进行第三次清洗约1分钟至约60分钟。当在这些温度和时间范围内进行第三次清洗时，可以大幅度提高除去氧化物的清洗能力。例如，清洗方法可包括第三次清洗，并且通过使用蒸馏水经由以50kHz或者更低的频率对掩模基底材料进行超声波清洗可以进行第三次清洗。当清洗方法包括第三次清洗时，第三次清洗时的蒸馏水与第一次清洗时的用于除去氧化物的清洗组合物的重量比可以在约1:1至2:1的范围内。当第三次清洗时的蒸馏水与第一次清洗时的用于除去氧化物的清洗组合物的重量比在该范围内时，可以大幅度提高除去氧化物的清洗能力。清洗方法可包括第四次清洗，并且可以在约10℃至约50℃的温度范围内进行第四次清洗约1分钟至约60分钟。当在这些温度和时间范围内进行第四次清洗时，可以大幅度提高除去氧化物的清洗能力。当清洗方法包括第四次清洗时，第四次清洗时的第二醇与第一次清洗时的用于除去氧化物的清洗组合物的重量比可以在约1:1至2:1的范围内。当第四次清洗时的第二醇与第一次清洗时的用于除去氧化物的清洗组合物的重量比在该范围内时，可以大幅度提高除去氧化物的清洗能力。在下文中，将参照实施例详细描述清洗组合物及清洗方法。然而，实施例用于更详细描述本发明构思，并且因此，本发明构思的范围并不局限于此。实施例制备例1：制备用于除去氧化物的清洗组合物(制备清洗溶液1)通过将按照其组成在表1中列出的组分混合而制备清洗溶液1。制备例2：制备用于除去氧化物的清洗组合物(制备清洗溶液2)通过将按照其组成在表1中列出的组分混合制备清洗溶液2。[表1]制备例3：制备激光因瓦棒在室温和大气压下将因瓦棒(宽度*长度*厚度：10cm*10cm*20μm)放置在激光图案化掩模(LPM)系统中的台(stage)上，通过使用LPM光学系统镭射因瓦棒的表面，从而形成像正方形的孔(其中，宽度和长度各自为40μm)。通过使用扫描电子显微镜(SEM)检测经过处理的因瓦棒，并且在图1中示出了其结果。实施例1：通过使用清洗溶液1清洗制备例3中的因瓦棒将制备例1中的1,000g的清洗溶液1倾倒入清洗浴(300ml)中，在约35℃的温度下将制备例3中的因瓦棒浸入在清洗浴中约240分钟。然后，从清洗浴中取出因瓦棒，并且在约35℃的温度下使因瓦棒浸入300g的其中以50:5:45的重量比混合异丙醇、磺酸月桂基酯、以及蒸馏水的混合物溶液中约60分钟。然后，取出因瓦棒，并且使因瓦棒浸渍在容纳300g蒸馏水的浴中约10分钟。接着，取出因瓦棒，并且在约25℃的温度下将因瓦棒浸入容纳300g的异丙醇的清洗浴中约10分钟，从而完成因瓦棒的清洗。实施例2：通过使用清洗溶液2清洗制备例3中的因瓦棒通过与实施例1中相同的方式清洗制备例3中的因瓦棒，不同之处在于，使用清洗溶液2代替清洗溶液1。评价实施例1通过使用X射线光电子能谱(XPS)(可从ThermoFisher(UK)商购，产品名称：ThetaProbe)分析未经处理的因瓦棒、根据制备例3的因瓦棒、在24小时期间之后根据实施例1的因瓦棒、以及在5天期间之后根据实施例1的因瓦棒的表面组成比和表面粘合剂相(surfacebinderphase)，并且在表2中示出了其结果。[表2]*FeOx表示Fe的氧化物。**NiOx表示Ni的氧化物。参照表2，制备例3中的因瓦棒的O1s的原子百分比与FeOx和NiOx的原子百分比高于未经处理的因瓦棒中的O1s的原子百分比与FeOx和NiOx的原子百分比。因此，证明由于使用激光照射掩模基底材料，所以在因瓦棒的表面上形成氧化物。另一方面，与制备例3中的因瓦棒相比，当在根据实施例1的清洗之后在24小时期间和在5天期间之后进行测量时，因瓦棒具有降低水平的O1s组成以及减少量的FeOx和NiOx的粘合剂相。因此，确认通过进行根据实施例1的清洗从制备例3中的因瓦棒选择性地除去氧化物。通过使用SEM(可从SeronTechnologies商购，产品名称：AIS2100，能量束：20kV，放大倍率：x1.2k)在24小时和5天期间之后检测根据实施例1的因瓦棒，并且图2A和图2B中示出了其结果。参照图1、图2A、以及图2B，根据制备例3的因瓦棒已经在其表面上形成了氧化物(参照图1)，然而，从根据制备例3的因瓦棒的表面选择性地除去氧化物，使得根据实施例1的因瓦棒的表面平滑(参照图2A和图2B)。此外，通过比较图2A和图2B，证明即使在预定时间段之后，根据实施例1的因瓦棒仍没有氧化物。评价实施例2通过使用SEM在1小时、4小时、以及8小时期间之后检测根据实施例2的因瓦棒，并且在图3A、图3B、以及图3C中示出了其结果。参照图1、图3A、图3B、以及图3C，根据制备例3的因瓦棒已经在其表面上形成了氧化物(参照图1)。然而，从制备例3中的因瓦棒的表面选择性地除去氧化物，使得实施例2中的因瓦棒的表面平滑(参照图3A、图3B、以及图3C)。此外，通过比较图3A、图3B、以及图3C，证明即使在预定时间段之后，根据实施例2的因瓦棒仍没有氧化物。如上所述，根据上述示例性实施方式中的一种或者多种，当使用用于除去氧化物的清洗组合物及使用用于除去氧化物的清洗组合物的清洗方法时，可以选择性地除去掩模基底材料的表面上形成的氧化物，而不损坏掩模基底材料。应当理解的是，此处描述的示例性实施方式应被视为仅具有描述性意义并且并不用于限制性的目的。各种示例性实施方式中的特征或者方面的描述通常应被视为适用于其他示例性实施方式中的其他相似特征或者方面。尽管已经参照附图描述了一种或者多种示例性实施方式，然而，本领域普通技术人员应当理解，在不背离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下可以在其中对形式和细节做出各种变化。