本发明涉及塑料领域，尤其是插层复合制备纳米塑料方法。
背景技术：
目前制备纳米塑料的方法缺乏效率。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明提供一种高效制备纳米塑料的方法。
本发明的技术方案为：
插层复合制备纳米塑料方法，其特征在于：首先将单体或聚合物插入经插层剂处理后的层状硅酸盐(如蒙脱土)之间，破坏片层硅酸盐紧密有序的堆积结构，使其剥离成厚度为1nm左右，长、宽为30～100nm的层状基本单元，均匀分散于聚合物基体中，实现聚合物高分子与层状硅酸盐片层在纳米尺度上的复合。插层复合法又可分为插层聚合法和聚合物插层法。插层聚合法是先将聚合物单体分散、插层进入层状硅酸盐片层中，然后原位聚合，利用聚合时放出的大量热克服硅酸盐片层间的作用力，并使其剥离，从而使硅酸盐片层与塑料基体以纳米尺度复合。聚合物插层法是将聚合物熔体或溶液与层状硅酸盐混合，利用化学和热力学作用使层状硅酸盐剥离成纳米尺度的片层并均匀地分散于聚合物基体中。该法的优点是易于实现无机纳米材料以纳米尺寸均匀地分散到塑料基体树脂中。
本发明的有益效果为：可高效制备纳米塑料方法。
具体实施方式
下面结合具体实施方式作进一步说明：
插层复合制备纳米塑料方法，其特征在于：首先将单体或聚合物插入经插层剂处理后的层状硅酸盐(如蒙脱土)之间，破坏片层硅酸盐紧密有序的堆积结构，使其剥离成厚度为1nm左右，长、宽为30～100nm的层状基本单元，均匀分散于聚合物基体中，实现聚合物高分子与层状硅酸盐片层在纳米尺度上的复合。插层复合法又可分为插层聚合法和聚合物插层法。插层聚合法是先将聚合物单体分散、插层进入层状硅酸盐片层中，然后原位聚合，利用聚合时放出的大量热克服硅酸盐片层间的作用力，并使其剥离，从而使硅酸盐片层与塑料基体以纳米尺度复合。聚合物插层法是将聚合物熔体或溶液与层状硅酸盐混合，利用化学和热力学作用使层状硅酸盐剥离成纳米尺度的片层并均匀地分散于聚合物基体中。该法的优点是易于实现无机纳米材料以纳米尺寸均匀地分散到塑料基体树脂中。
上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理和最佳实施例，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。