专利名称：：暖白光发光二极管及其卤化物荧光粉的制作方法暖白光发光二极管及其卤化物荧光粉
技术领域：
：本发明涉及一种暖白光发光二极管及其卤化物荧光粉，尤其涉及一种可改善生产技术，创造新型的对于家居、路灯、火车站、隧道、铁路及飞机航线等不同类别的指示装置的暖白光发光二极管及其卤化物荧光粉。
背景技术：
：半导体发光二极管在最近50年得到完善发展，由传统的GaAs(P)体系结构发展到由氮化物InGaN异质结结构，保障了现阶段高发光技术参数、发光强度I以及发光效率；(流明/瓦特)。由日本的发光二极管先锋工作者S，Nakarmra创造(请参照S.Nakamura.Bluelaser.Springer-Verlar.Berlin.1997)，以加工含有大量量子阱结构的氮化物异质结InGaN为基础，完善该项技术。该项工作的蓝光及紫外光发光二极管输出F^IO流明，在发光二极管中具有40%或者更高的电子功率转换。采用这种有效的蓝光异质结发光二极管，曾在起初的白光发光结构中提出过(请参照S.Schimizu等人的US20071149914专利申请案)。该发光二极管根据17世纪著名的牛顿互补色原理，结合两种互补色，创造出白光。白光发光二极管中采用具有发光波长大于激发波长的斯托克斯荧光粉；在1977年该项由苏联工程师首次提出(请参照A6paMOBB.C.CyuiKOBB.II.ABTopcKoecBHfleTejibCTBOCCCPW630813ot09/12/1977)。对于首次创造采用钇铝石榴石Y2Al5012:Ce(请参照GBlasseetand.Luminescentmaterial.SpringerVerl，Amst.N-Y:1994)作为材料的白光发光二极管被用于CRT发光装置中。氮化物异质结InGaN的蓝光辐射波长X=460nm，该材料被激发后辐射黄光波长X=560nm，这时部分未被吸收的蓝光与黄色发光相结合，产生强烈的白光辐射。初次发光二极管白光辐射结构多半具有高色温T^6500K。在上述已知专利申请案(请参照S.Schimizu等人的US20071149914专利申请案)中采用所提出的高技术解决方案其主要的技术优势可以归纳为l.缺乏可移动成份、结点及部件，对于保障发光二极管的高效安全性及耐久度；2.简单的封装结构，独立的半导体异质结结构成份；以及3.可能获得T26500K的冷白光。上述优势确保了公知结构大量的在建筑照明、景观照明领域及移动电话电池的储能装置上的采用。在公知专利的数据模型中，首次提议在荧光粉中采用钇铝石榴石Y3Al5012:Ce(YAG:Ce)，然而同样存在着缺陷。首先，之前己经指出冷白光的辐射色温TS6500K。在工作中指出钇铝石榴石荧光粉辐射呈现不稳定现象，与以环氧树脂为主的聚合物相结合，经过IOOO个小时的强光后，辐射光减小了1535%。类似于这样的情况是因为荧光粉表层与聚合物之间的相互关系是不可逆的。伴随而来的则是部分透光度的消失。在已知的专利中同样存在如此光强辐射的缺陷，例如建立钇石榴石荧光粉及非化学计量的石榴石荧光粉(请参照SochchinN.P等人的TW249567B5专利案)及含铝A1+3或硅Si+4的混合物石榴石材料(请参照SochchinN.P等人的TW.95117824专利案，19/05/2006)及(请参照SochchinN.P等人的日本2007113487专利申请案，19/05/2006)。这一部分的解决，使许多石榴石荧光粉的问题及在建立新型发光材料上得到很好的解决。非常高参数的荧光粉，其中在一个稀土族周围位于四面体氧离子，但其中部分的氧离子0—2被氟离子F"及氮离子N。替换，化学计量式为00+00—(N。)。+(F。)'。采用像这样特殊的具有高耐热及时间稳定的荧光粉来达到功率W=l瓦特时发光效率达到105流明/瓦特的高发光效率。石榴石结构中铝及氧可被其他不同的离子F",Cl"，Si+4,B+3替换。在化学当量式(Y，Gd，Lu)3Al50u中，部分A1+3被Si+4,B+3，Ga"替换，部分氧离子被F"，C1人S'2，P—3取替，混合物具体的数量在专利中没有具体说明，仅指出添加氟，成功的使荧光粉的亮度提升了20%。但是在相似的专利US6，400,938B1/25.06.2002中指出，根据氟石榴石公式(Y,Ce，Gd)3Al5(0，F)12(请参照H.A.CoManzo.等人的US6409938Bl专禾lj，25/06/2002)，可以看出上述专禾!i的不足，该专利中技术解决方案优势为l.可能改变荧光粉组份中阴离子，同样阳离子亦可如此；2.采用添加卤离子F—1，使荧光粉的发光亮度提升了10~20%。在本案申请人已申请的台湾第097123219专利申请案(请参照SochchinN.P.等人的097123219，25,06,2008)中指出自氟氧化物石榴石系列中的整体优势l.依附于氟离子的石榴石荧光粉辐射光谱从^=531-550纳米；2.荧光粉辐射的高耐热性，是因为将0'2替换成异价态F'1。同样在该专利中列出荧光粉石榴石晶格参数a=11.951~11.99A。如此详细的参数在上述097123219专利申请案中上必然的优势性及特殊的石榴石荧光粉相结合。
发明内容为解决上述公知技术的缺点，本发明的主要目的是提供一种暖白光发光二极管及其卤化物荧光粉，其具有特殊的橙红色辐射发光的荧光粉公式。为解决上述公知技术的缺点，本发明的主要目的是提供一种暖白光发光二极管及其卤化物荧光粉，其采用大批量的生产，需要拟定稳当的技术操作规程。另外对于建立新型的荧光粉主要在于提高其有效量子效率以及发光亮度。为解决上述公知技术的缺点，本发明的主要目的是提供一种暖白光发光二极管及其卤化物荧光粉，其可建立新型技术解决方案并不局限于新型无机荧光粉材料的创建，还包括创造具有热稳定性以及具有高发光参数的耐久发光二极管。为达上述目的，本发明的一种卤化物荧光粉，其是以稀土氧化物石榴石为基础上的低色温卤氮化物荧光粉，采用铈作为激活剂，特征在于在该荧光粉组份中添加氯离子cr1,氮离子N'3，其组成的化学计量式为(i;Ln+3)3Al2[(Al(0卜2pClpNp)4]3，其中ZLn=Y和/或Gd和/或Tb和/或Lu和/或Dy和/或Pr和/或Ce。为达上述目的，本发明的一种暖白光发光二极管，其是以InGaN半导体.异质结为基质且具有一发光转换层的结构，其特征在于该发光转换层以厚度均匀的形式分布在该InGaN半导体异质结的发光表面及侧面，直接与该InGaN半导体异质结的平面与棱面接触。本发明所提出的技术解决方案不局限于无机荧光粉的配方，其方向是发明加工过程中建立具有高辐射光仪器含高强度发光I，及高数值的光通量F,和具有T^3000K的低色温值，及必要的演色系数值。本发明所提出的发光二极管应该保证高的发光技术参数一般适用博物馆，陈列室，以及展览会场所。图1为一示意图，辐射光谱示意图。图2为一示意图，辐射光谱示意图。图3为一示意图，辐射光谱示意图。图4为一示意图，辐射光谱示意图。图5为一示意图，辐射光谱示意图。其绘出表1中的样品1的荧光粉整体其绘出表1中的样品2的荧光粉整体其绘出表1中的样品3的荧光粉整体其绘出表1中的样品4的荧光粉整体其绘出表1中的样品5的荧光粉整体具体实施方式首先，本发明的目的在于消除上述荧光粉的缺点。为了达到这个目标，本发明的卤化物荧光粉，用于暖白光发光二极管中，其是以稀土氧化物石榴石为基础上的低色温卤氮化物荧光粉，采用铈作为激活剂，特征在于在该荧光粉组份中添加氯离子cr1，氮离子N'3，其组成的化学计量式为(i;Ln+3)3Al2[(Al(0"2pClpNp)4]3,其中^Ln=Y和/或Gd和/或Tb和/或Lu和/或Dy和/或Pr和/或Ce。其中，该化学计量式中的化学参数0.001Sp^0.2。其中，该卤化物荧光粉在阳离子亚晶格组份中最佳的稀土离子成份为:0.001S(Y/2Ln)S0.5，0.5^(Gd/^Ln)S0.95，OS(Tb/ZLn)S0.1，OS(Lu/ZLn)S0.05，0S(Dy/ZLn)^0.05，0.0001^(Pr/ZLn)S0.01，0.01S(Ce/2:Ln)S0.1。其中，该卤化物荧光粉主要的晶格参数a>12.01A，并且随着公式中化学指数"P"的增加而增大。其中，该卤化物荧光粉的光谱最大辐射为X=580±3nm,增加化学计量式中的化学参数"P"时波长会往长波长位移。其中，该卤化物荧光粉当增加荧光粉基质中的化学指数"P"时，光谱半波宽会变大为人o.5-126+6nm。其中，该卤化物荧光粉当增加荧光粉基质中的化学指数"P"时，辐射色坐标增至i:(x+y)X).88。其中，该卤化物荧光粉的基质中化学参数"p"的增大下量子输出从；=0.92增至；=0.96。其中，该卤化物荧光粉的颗粒成棱形状，且该荧光粉颗粒的中位线直径为d5(^4.0微米，d9^16微米。本发明所提出的荧光粉与公知荧光粉对比，其差别在于同时在阴离子晶格中由两个不同氧化度的离子，比如氯离子Cl"和氮离子N'3置换氧离子O'2。可以确定的说，本发明所提出的荧光粉运用之前的专业文献(请参照H.A.CoManzo.等人的US6,409,938Bl专利，25/06/2002)，对于本发明所提出的荧光粉中，请注意到每一个三价态原子的形式，如在四面体A104中围绕的铝离子A1+3，可改变成A102C1"N'3。像这样的本质上改变阴离子的组份，在结果过程中发生异价态替换，方程式为-Oo+Cr1—Cl0+1+l/202tgas00+N-3—Nq"+1/202tgas20o+Cl"+N-3—Clo"+No"+OH其中Clo"意味着现有的氯离子Cl"在阴离子晶格中取代了氧离子Oo，而No"表示氮离子N—s在阴离子晶格中取代了氧离子Oo。阳离子晶格可同样改变，传统的稀土离子，Y+3，Gd+3，Lu+3，Tb"在阳离子晶格的主要部分可以引入Dy"及Pr+3，同时含Ce"，荧光粉可以拥有两种或两种以上的启动离子，例如Ce"及Pr"和Ce"及Dy+3或者三者同时拥有。类似的多种启动离子荧光粉获得更宽阔的集成红色光谱辐射，可以改变发光色段。另外还有一个重要的多激活剂及三价态荧光粉。该荧光粉属于稀土石榴石荧光粉，具有立方结构及On1G-Ia3d空间组，但是石榴石类型Y3A15012，激活剂铈Ce+3具有非常窄的激发带，从X=445~475nm。在该连接中，激发带相互制约Ce"-0々的转移。在该石榴石荧光粉周围的激活铈离子Ce+3可以处在四面体结合三价态填充A102F"N-3，因此激发带实质性上的增大。这样可以降低需求及半导体异质结激发波长的需求，在这种情况下采用起初的异质结InGaN的数量辐射波长h440iim，具有更大的发光二极管辐射波长Xext=400~485nm。如上述所提出的具有三价态的荧光粉具有非常重要的优势，其特征在于对于建立在阳离子晶格中的稀土离子成份0.001^(Y/ZLn)S0.5，0.5S(Gd/^Ln)^0.95，0^(Tb/^Ln)^0.1，OS(Lu/ZLn)^0.05，0芸(Dy/^Ln)S0.05，0.0001^(Pr/ZLn)S0.01,0.01^(Ce/ZLn)^0.1。在阳离子晶格中的配方，相对于钇离子Y"而言，提高钆离子Gd"浓度时，荧光粉会增加暖红光的辐射。同时在阳离子晶格的结构中引进其他稀土离子成份时，作用在于改变发光强度，例如添加如Lu"及Tb+3。首先引用较小离子半径的Tb"(F0,85A)及Ln+3(T=0，81A)，其原子间距縮短，伴随而来的是内部晶体静电力场的强烈增长，激活离子Ce+3、Pr+3以及Dy"引进时，会使发光亮度得到增长。作为本发明所述的荧光粉，该重要的提议，其特征在于对于该荧光粉在化学计量式中"p"的增长，其晶格参数会增大至a=12.01A。作为上述所引用的说明，在Y—Gd—Tb—Lu的系列参数中，晶格参数的改变从aY=12.00A至aGd=12.11A，aTb=11.912A至aLU=11.909A。在阳离子晶格中引用5%的大颗粒Ce"离子和/或Pr"离子可以将晶格参数值增大3~4%。与石榴石中发现在同价态替换的不同，本发明将注意力转向替换氧离子0'2，其中氧离子ao.2-1.40A被离子半径较小的氟离子aF-^1.32A替换，将会降低其晶格参数。对于组份(Y0:77Gd0.2Ce0.03)3A12(A103F2)3,本发明的申请人在中华民国097123219专利申请案中曾经确定参数值a=11.972A,如果用氟离子F"替换25%的0—2则参数尺寸减小11.2%，在此通过在氟氧化铝四面体的影响中，其范围的改变是以一个氟离子产生于不改变其主要的Al"构架。按照相同尺寸的Cl"替换o-2,其参数值尺寸增加了0.1%。在四面体上用N'3离子第二次替换氧离子，晶格参数应增加。但是确切说现阶段增加该数值理论上是很困难的。事实上，N-3离子与O'2离子相比拥有大尺寸(aN.3=1.58A,a0.2=1.4A)。但是大多数增加的大半径离子在四面体上数值变小。N—s与0^离子半径相比，其参数值可能考虑到相同的1.52%，当整体替换25%的0'2原子被氮原子所替换时，存在着(A102F"N'3)3的晶格参数必须改变相同的方向减少F"的引入，与1S^离子的增长。这样的样本，数字转变的参数组份a-ll.979(1.02-1+0.988)A=12.0748A。在此对于本发明所提出的荧光粉的比色性能可用"Sensing"公司的光谱辐射分析仪进行测量，引用5个不同参数的荧光粉(色坐标在xyz与uvw体系中，最大辐射光谱及辐射波长，色温值，演色系数Ra值)在表l中，采用了这五个数据，所有的这些数据引用在表格1。表1氮氯化物发光荧光粉发光技术参数<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>1<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>complextableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>随后本发明将对该篇097123219专利通过曲线图的方式加以阐述。该专利中所引用的图表为请参照图1,其绘出表1中的样品1的荧光粉整体辐射光谱示意图；请参照图2，其绘出表1中的样品2的荧光粉整体辐射光谱示意图；请参照图3，其绘出表1中的样品3的荧光粉整体辐射光谱示意图；请参照图4，其绘出表1中的样品4的荧光粉整体辐射光谱示意图；请参照图5，其绘出表1中的样品5的荧光粉整体辐射光谱示意图。在表1中对于与标准的钆一钇一铝石榴石发光技术参数值相对比，在阴离子亚晶格中没有引入cr1与N-3离子，在阳离子的成份中缺乏Tb离子与Lu离子。在表1中标准样本的色坐标值不大，Z(x+y)S0.85，最大辐射波长为？i=581nm。与最好的卤氮化物样本相亮度下降了1215%。样本的色温以及色坐标也存在着差别。对于标准的样本色温T=3200K，对于样品14的这些参数没有超过T=2780K。本发明的卤氮化物荧光粉的优势，其特征在于它的最大辐射光谱Xmax=580±3nm，在化学计量式中随着化学参数"p"的增加与荧光粉中主要的[Pr]增加，具有最大的波长位移。所有的这些要求之前都已经阐述。与此同时，同样在增加阴离子晶格中的Cl"离子与N's离子时，最大波长位移跃进从入=580證至X=610nm。这样不同的两种发光波长机理先前没有在LED上得以运用。像这样的优势得以实现在本发明的申请专利范围第1项所提出的荧光粉组份中，其特征在于增加化学计量式中的"p"值，即在阴离子晶格中添加适宜的cr1和N'3离子量，最大光谱的半波宽的改变由？io.5-126nm至Xo.5=132nm。同时指出本发明所提出的荧光粉最重要的优势，其特征在于IXx+y)S0.88,增加化学计量式中的"p"值，即在阴离子亚晶格中适宜的Cl"和N-3离子量，使橙红色光谱的次能带辐射中"x"值超出x>0.46，可以获得T〈3000K这样的低色温o犹如上述本发明所提出的存在的优势，其特征在于在增加化学计量指数"p"的情况下，增加阴离子晶格中的Cl"和N—s的含量。其量子点的辐射增加从；=0.92至；=0.96。需补充说明的是，对于有效量子点的输出，许多荧光粉通常是减少辐射波长位移，在本发明中所描述的荧光粉L的亮度值中，相称的量子辐射输出值，在表1中增长。本发明所提出的荧光粉还有一个重要的特征，之前本发明的申请人所揭示的荧光粉颗粒多半呈椭圆形。我们认为必须由Cl"与N^替换o-2。在这种情况中异价替换取代，发光颗粒的增长，标准的荧光粉颗粒呈类似于椭圆型，其本质上减小了颗粒几何尺寸，本发明所提出的荧光粉具有微型的颗粒尺寸分布。像这样的荧光粉颗粒实质性的优势，其特征在于所指材料呈卵形的，颗粒的中位线直径尺寸d5(^4.0微米，和d9(^10微米。此外，本发明还公开一种暖白光发光二极管，其是以InGaN(氮化铟镓)半导体异质结(即P-N接面，图未示)为基质且具有一发光转换层(图未示)的结构，其特征在于该发光转换层以厚度均匀的形式分布在该InGaN半导体异质结的发光表面及侧面，直接与该InGaN半导体异质结的平面与棱面接触。在我们的发明过程中指出主要辐射面及发光转换的棱面具有相同的厚度。如果该发光转换层的厚度不均匀，则会构成不同色调的发光，这是不允许的，在本发明所提出的发光二极管，其特征在于其发光转换层具有相同的厚度。首先，采用专业的含有高标准粘度的聚合物，该专业的方法的双组成份包含在悬浮颗粒荧光粉与聚合物互相连接。此方法可以确保了充分的排除悬浮液中的空气气泡，但没有妨碍异质结发光的辐射输出，这样的方法保证了缺乏粘性的荧光粉颗粒悬浮在悬浮液中。在此指出实现本发明所提出的发光二极管具有的优势，其特征在于在其发光转换层上建立的荧光粉组份如上所述，在该发光转换在与聚合物混合时，分子质量从M=12000碳单位至M=20000碳单位，硅与氧之间的化学连接类型II一Si—O—Si—II本发明所提出的参数选择主要的需求如下l.其折射参数r^l.45;2.充分的透光区域为400-800nm;3.热膨胀系数(p=100.1(T7/K;4.保存粘结弹性的温度区域为-40。C至120°C;以及5.发光二极管在长时间情况下具有标准的光学稳定性。本发明所提出的发光二极管存在的优势为自身的发光转换器，其特征在于对于聚合物与荧光粉颗粒在发光转换器中的重量比为8~75%。在我们的试验过程中，对于本发明所提出的发光二极管还发现了一个特性，其发光转换层表层的厚度是由80~200微米组成，发光转换层没有出现不良的暖白辐射。下列发光技术参数是由本发明所提出的暖白光发光二极管中所获取的，犹如表2所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>其电功率为1瓦特的发光二极管，发光效率了"250流明/瓦特。对于这样的低色温T<2800K，之前未曾公开过。综上所述，本发明的卤化物荧光粉具有特殊的橙红色辐射发光的荧光粉公式。此外，本发明的卤化物荧光粉，其采用大批量的生产，需要拟定稳当的技术操作规程，且本发明的卤化物荧光粉可提高其有效量子效率以及发光亮度，因此，确可改善公知荧光粉的缺点。虽然本发明己以优选实施例揭露如上，但是其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，应可作少许变动与改进，因此本发明的保护范围应以后附的权利要求范围为准。权利要求1.一种卤化物荧光粉，用于暖白光发光二极管中，其是以稀土氧化物石榴石为基础上的低色温卤氮化物荧光粉，采用铈作为激活剂，特征在于在该荧光粉组份中添加氯离子Cl-1，氮离子N-3，其组成的化学计量式为(∑Ln+3)3Al2[(Al(O1-2pClpNp)4]3，其中∑Ln＝Y和/或Gd和/或Tb和/或Lu和/或Dy和/或Pr和/或Ce。2.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中该化学计量式中的化学参数0.001^p^0.2。3.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中在阳离子晶格组份中最佳的稀土离子成份为0.001$(Y/SLn)S0.5，0.5^(Gd/ZLn)^0.95，0^(Tb/ZLn)^0.1，(Lu/ZLn)^0.05，0^(Dy/ZLn)^0.05,0.0001^(Pr/ZLn)^0.01，0.01^(Ce/ZLn)^0.1。4.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中主要的晶格参数a>12.01A，并且随着公式中化学指数"p"的增加而增大。5.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其光谱最大辐射为A^580士3nm，增加化学计量式中的化学参数"p"时波长会往长波长位移。6.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中当增加荧光粉的化学指数"p"时，光谱半波宽会变大为Xo.5=126+6nm。7.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中当增加荧光粉基质中的化学指数"p"时，辐射色坐标增至S(x+y)〉0.88。8.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中在该荧光粉的基质中化学参数"p"的增大下量子输出从;=0.92增至？=0.96。9.如权利要求第1项所述的卤化物荧光粉，其中该荧光粉的颗粒成棱形状，且该荧光粉颗粒的中位线直径为(15(^4.0微米，(19()￡16微米。10.—种暖白光发光二极管，其是以InGaN半导体异质结为基质且具有一发光转换层的结构，其特征在于该发光转换层以厚度均匀的形式分布在该InGaN半导体异质结的发光表面及侧面，直接与该InGaN半导体异质结的平面与棱面接触。11.如权利要求第10项所述的暖白光发光二极管，其中该发光转换层具有如权利要求l第l项中所述的结构，其特征在于通过将该荧光粉与聚合物相混合的方式形成该发光转换层，该聚合物具有分子量M二12000碳单位，并用化学方法将硅及其主要的氧气相结<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>12.如权利要求第11项所述的暖白光发光二极管，其中该发光转换层内荧光粉颗粒重量比从8~75%。13.如权利要求第10项所述的暖白光发光二极管，其中该发光转换层的表面及侧边的厚度由80200微米组成。14.如权利要求第10项所述的暖白光发光二极管，其中该InGaN半导体异质结具有第一级异质结蓝光辐射。15.如权利要求第10项所述的暖白光发光二极管，其中该辐射色坐标为2500K〈T^4500K，演色指数Ra〉80单位。16.如权利要求第10项所述的暖白光发光二极管，其中对于20=30°角时的光强辐射为1>15cd.在lW电功率的激发下，辐射光通量为F〉55流明，光效为r^50流明/瓦特。17.如权利要求第10项所述的暖白光发光二极管，其中根据该暖白光发光二极管所制成的白炽灯在3W功率上的光通量F〉185流明。全文摘要本发明涉及一种卤化物荧光粉，其是以稀土氧化物石榴石为基础的低色温卤氮化物荧光粉，采用铈作为激活剂，特征在于在该荧光粉组份中添加氯离子Cl<sup>-1</sup>，氮离子N<sup>-3</sup>，其组成的化学计量式为(∑Ln<sup>+3</sup>)<sub>3</sub>Al<sub>2</sub>[(Al(O<sub>1-2p</sub>Cl<sub>p</sub>N<sub>p</sub>)<sub>4</sub>]<sub>3</sub>，其中∑Ln＝Y和/或Gd和/或Tb和/或Lu和/或Dy和/或Pr和/或Ce。此外，本发明还公开一种使用该卤化物荧光粉的暖白光发光二极管，其重量比为的8～75％。当该发光二极管在功率为1W时，暖红色发光色温为T≤3000K。文档编号C09K11/86GK101348719SQ20081021217公开日2009年1月21日申请日期2008年9月10日优先权日2008年9月10日发明者索辛纳姆,罗维鸿,蔡绮睿申请人:罗维鸿;朱哲毅