带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法、感光性粘接剂以及半导体装置的制作方法

专利名称：带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法、感光性粘接剂以及半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法、感光性粘接剂以及半导体装置。更详细而言，涉及一种可以用作将1C、LSI等半导体元件与引线框、绝缘性支持基板等支持部件叠层，或将半导体芯片彼此叠层时的接合材料(芯片焊接材料)的芯片焊接用感光性粘接剂，使用该粘接剂的半导体晶片的制造方法以及半导体装置。
背景技术：
作为1C、LSI等半导体元件与支持部件的接合材料、或将半导体芯片彼此叠层时的接合材料，已知有使用特定的聚酰亚胺树脂的粘接膜、在特定的聚酰亚胺树脂中加入了导电性填料或无机填料的芯片焊接用粘接膜。近年来，正在研究通过在半导体晶片(以下，有时仅称为“晶片”)上一起进行半导体装置的装配工序而提高效率的技术。此外，随着半导体芯片的叠层，晶片的厚度也存在有薄膜化的倾向。一般来说，其适用于使用粘接膜的工序、或通过旋涂法将芯片焊接用粘接剂涂布在半导体晶片上的工序。作为使用粘接膜的工序，可以列举在半导体晶片的整个面层压粘接膜，然后再层压切割用支持膜，并通过切割工序使其单片化，将叠层了粘接膜的半导体芯片粘附在半导体基板或半导体芯片上的方法等。作为在半导体晶片的整个面上涂布粘接剂的方法，通过高速旋转将半导体晶片上的液状粘接剂涂布在其整个面上的旋涂法是众所周知的。

在使用薄膜晶片的工序中，存在有晶片强度下降的倾向。因此，希望在晶片的背磨(K ” ” λ、乂 F，back grind)工序后，在粘贴有背磨胶带的状态下涂布芯片焊接用粘接剂，进行B阶化。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008 - 98213号公报专利文献2 :日本特公平5 - 54262号公报

发明内容
发明要解决的问题然而，在使用粘接膜时，在晶片上层压粘接膜的工序中，在晶片以外的部分容易产生粘接膜的浪费。此外，在使用旋涂法时，需要连续地向半导体晶片上供给粘接剂，然后再废弃，直至形成均匀的粘接剂层，因此容易产生粘接剂的浪费。进一步，背磨胶带的耐热性为80°C 100°C左右，并且100°C以上的加热会导致背磨胶带收缩。背磨胶带的收缩，成为了半导体晶片翘曲的原因。而即使是80°C以下的加热，也会因背磨胶带的热膨胀系数与半导体晶片的热膨胀系数之差，而存在有在加热后的冷却中半导体晶片产生翘曲的倾向。本发明是鉴于上述情况而进行的，其目的是提供一种能够以均匀的膜厚以及较少的粘接剂浪费在半导体晶片上形成粘接剂层，并且可以避免因用于粘接剂层B阶化的加热而引起的半导体晶片翘曲的带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法、该制造方法中所用的感光性粘接剂、具备可以通过该制造方法制造的带有粘接剂层的半导体晶片的半导体装置以及丝网印刷用感光性粘接剂。解决问题的方法本发明提供一种带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法，其包含通过丝网印刷法在半导体晶片的一面的整个表面涂布感光性粘接剂，形成感光性粘接剂层的工序、和通过曝光使感光性粘接剂层B阶化的工序。根据上述本发明的制造方法，能够以均匀的膜厚以及较少的粘接剂浪费在半导体晶片上形成粘接剂层，并且可以避免因用于粘接剂层B阶化的加热而引起的半导体晶片翘曲。

上述感光性粘接剂，可以含有热固性树脂、放射线聚合性化合物以及光聚合引发剂。上述感光性粘接剂，可以进一步含有热固化引发剂。上述感光性粘接剂在25°C下的粘度可以为I IOOPa · S，并且上述感光性粘接剂的触变指数可以为1. O 3. O。本发明中的感光性粘接剂，含有热固性树脂、放射线聚合性化合物以及光聚合引发剂，并且可以在上述制造方法中用于形成感光性粘接剂层。本发明还提供一种通过下述方法所得的半导体装置，所述方法包含将通过上述本发明的制造方法所得的带有粘接剂层的半导体晶片单片化，得到带有粘接剂层的半导体芯片的工序，和将带有粘接剂层的半导体晶片的半导体芯片粘接于支持部件或其它半导体芯片的工序。进一步，本发明提供一种丝网印刷用感光性粘接剂，其含有热固性树脂、放射线聚合性化合物以及光聚合引发剂，并且在25°C下的粘度为I IOOPa · S，触变指数为1. O 3. O。发明效果根据本发明，提供一种能够以均匀的膜厚以及较少的粘接剂浪费在半导体晶片上形成粘接剂层，并且可以避免因用于粘接剂层B阶化的加热而引起的半导体晶片翘曲的带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法、该制造方法中所用的感光性粘接剂、具备可以通过该制造方法制造的半导体晶片的半导体装置以及丝网印刷用感光性粘接剂。


图1是表示半导体装置的制造方法的一种实施方式的模式图。图2是表示半导体装置的制造方法的一种实施方式的模式图。图3是表示半导体装置的制造方法的一种实施方式的模式图。图4是表示半导体装置的制造方法的一种实施方式的模式图。图5是表示半导体装置的制造方法的一种实施方式的模式图。
图6是表示半导体装置的一种实施方式的模式截面图。
具体实施例方式以下，一边参照附图，一边对本发明的带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法、感光性粘接剂、半导体装置以及丝网印刷用感光性粘接剂的优选实施方式进行详细说明。但是，本发明并不限定于以下的实施方式。本实施方式的半导体装置的制造方法，包含通过丝网印刷法在半导体晶片的一面的整个表面涂布感光性粘接剂，形成感光性粘接剂层的工序(感光性粘接剂层形成工序)、通过曝光使感光性粘接剂层B阶化的工序(B阶化工序)以及将半导体晶片与B阶化后的感光性粘接剂层一起切开的工序(切割工序)。(感光性粘接剂层形成工序)图1所示的半导体晶片6，可以用于形成内藏在半导体封装(半导体装置)(图6)中的半导体芯片13a和13b (图6)。半导体晶片6典型的情况为硅晶片。半导体晶片6还可以已经通过前工序形成电路。在感光性粘接剂层形成工序中，例如，如图1所示，通过丝网印刷法在半导体晶片6的与形成有电路的一面相反的面(背面)上涂布(印刷)感光性粘接剂5。由此，如图2所示，在半导体晶片6的背面上形成均匀厚度的感光性粘接剂层7。丝网印刷法，通常包含以下两种工艺。其中之一是使用在平坦的金属板上设置了图案化的开口部的所谓金属印刷版的工艺。该工艺通过在要印刷的对象上设置金属印刷版，并使用称作为涂刷器(squeegee)的金属板涂刷搭载在金属印刷版上的油墨，从而涂布油墨。通过该工序，油墨被涂布成和设置在金属印刷版上的开口图案形状一样。作为另一种丝网印刷法，是使用在不锈钢、尼龙以及聚酯等丝线编织而成网眼中，仅残留下要涂布的部分而用树脂等填埋其它部分的所谓网眼印刷版的工艺。该工艺中，使用被称作为刮刀的树脂制或金属制的板来涂刷搭载在网眼印刷版上的油墨。通过该工序，油墨浸透到网眼印刷版中 未被树脂等填埋的开口部。接着，使用由聚氨酯、硅橡胶等制作的涂刷器涂刷网眼印刷版。通过该工序，浸透至开口部中的油墨被转印到印刷对象上，并完成印刷工序。在本实施方式中，哪一种印刷工艺都可以选择性地将粘接剂仅涂布在所希望的位置、区域中，因此可以减少粘接剂的浪费，并且材料合格率优异。如果以采用金属印刷版的工艺在较宽的范围内进行印刷，则由于开口部中没有任何部件，因此印刷版不会对开口部上的涂刷器的压力产生应力。因此，压力集中在涂刷器的中央，并且涂刷器的中央部分强力地压入开口部中，从而在开口部的中央处存在有感光性粘接剂层的膜厚下降的倾向。也就是说，通常开口部越宽，涂刷器的中央部分就越强力地压入，进而存在有中央处的感光性粘接剂层的膜厚下降的倾向。另一方面，在使用网眼印刷版的工艺中，由于开口部存在丝网的丝，因此网眼印刷版对于涂刷器的压力产生了应力。也就是说，即使在涂刷器的中央部分，位于开口部的丝网的丝也起到了作为支持部件的功能，因此涂刷器不会强力地压入开口部中。因此，即使在涂刷器的中央部分，膜厚也不会下降，可以得到均匀的感光性粘接剂层。本实施方式中的丝网印刷法，从在晶片的整个表面这样的较宽范围内设置膜厚均匀的感光性粘接剂层的观点考虑，优选采用网眼印刷版的工艺。
(B阶化工序)上述感光性粘接剂层7是在通过曝光进行B阶化后对被粘接物具有粘接性的感光性粘接剂层。通过曝光装置对涂布后的感光性粘接剂层7照射可见光或紫外线，使构成感光性粘接剂层7的感光性粘接剂5进行B阶化。由此，感光性粘接剂5中所含的光聚合引发剂和放射线聚合性化合物进行聚合反应，使得B阶化后的感光性粘接剂层8具有适当的粘着性和粘接性。具体而言，感光性粘接剂层8被固定在半导体晶片6上。如上所述，不进行加热，而通过曝光进行感光性粘接剂层7的B阶化，能够在背磨胶带直接粘贴在半导体晶片6上的状态下，进行感光性粘接剂5的涂布和感光性粘接剂层7的B阶化。从避免氧对光聚合反应产生阻碍的观点考虑，曝光优选在氮气氛围下或真空条件下进行，或者在将透明的覆膜层压在感光性粘接剂层7上的状态下进行。更详细而言，通过曝光而B阶化的感光性粘接剂层8，具有在通过切割进行单片化以及在进行切割时能够从支持体上剥离的适当粘着性，以及相对于半导体芯片和玻璃基板等被粘接物的粘接性。对于具有这种功能的感光性粘接剂层8的详细内容，在下文中描述。通过使曝光后的感光性粘接剂层8在30°C下的表面的粘力(表面粘力)为200gf/cm2以下，可以确认感光性粘接剂层8得以B阶化。如果30°C下的表面粘力超过200gf/cm2，则感光性粘接剂层8在室温下的表面粘着性变高，存在有操作性下降的倾向。进一步，还存在有切割后与切割膜的剥离性下降，拾取性下降的倾向。此外，如果30°C下的表面粘力为lgf/cm2以下，则感光性粘接剂的粘着性变低，在切割时水浸入到感光性粘接剂和切割膜的界面中，存在有芯片飞溅的倾向。曝光的感光性 粘接剂层8在120°C下的表面粘力优选为200gf/cm2以上。如果120°C下的表面粘力不到200gf/cm2，则热压合性受损，存在有在热压合时产生孔隙，热压合温度高温化的倾向。此外，当120°C下的表面粘力为500gf/cm2以上时，存在有热压合时感光性粘接剂过度润湿铺展，而感光性粘接剂露出到芯片侧面的倾向。上述表面粘力，是如下所测定的值。通过丝网印刷法将感光性粘接剂涂布在硅晶片上，并通过高精度平行曝光机(0RC制作所制，“EXM — 1172 一 B 一，，(商品名))，在氮气氛围下以lOOOmJ/cm2对所得的涂膜进行曝光。然后，使用力世科株式会社(> ^力社)制造的探针粘力试验机，在探针直径5. 1mm、牵引剥离速度10mm/s、接触荷重100gf/cm2、接触时间1s的条件下，测定30°C和120°C下的感光性粘接剂层8的表面粘力。也可以使用平行曝光机(株式会社璐密纳斯(> ^ t 制造，“ML — 210FM掩模对准器”(商品名))代替上述的高精度平行曝光机。(切割工序)接着，从晶片侧对具有半导体晶片6和形成在其背面上的感光性粘接剂层8的带有粘接剂层的半导体晶片20进行切割，制作单片化的半导体芯片11 (图4)。也就是说，通过切割机切断半导体晶片6，从而将半导体晶片6切分为多个半导体芯片11。在该切割工序之前，优选在形成了上述感光性粘接剂层8的半导体晶片6的背面上粘贴切割膜10。粘贴可以根据需要一边加热一边进行。例如，优选在通过切割膜10将整体固定于框架(晶片环)9的状态下(图3)，使用切割刀12进行(图4)。单片化的带有感光性粘接剂层的半导体芯片11，使用芯片焊接(die bonding)装置等进行拾取(图5)。如图6所示，将通过切割工序所得的半导体芯片13a配置在另外准备的支持部件14上。或者，将半导体芯片13a之外的其它半导体芯片13b，配置在预先接合至支持部件14上的半导体芯片13a上。这时，通过对感光性粘接剂层16和17进行热压合，使半导体芯片13a和支持部件14、以及半导体芯片13b和半导体芯片13a粘接，从而使半导体芯片13a和13b粘接固定于支持部件14或半导体芯片13a。然后，通过焊线(bonding wire) 18将半导体芯片13a和13b上的焊盘(bondingpad)与支持部件14连接，用密封材料15将半导体芯片13a和13b与焊线18 —起密封，由此完成图6所示的半导体封装(半导体装置)。根据以上所述的半导体装置的制造方法，能够通过丝网印刷法仅在半导体晶片6上涂布用于粘接半导体芯片13a和支持部件14、或半导体芯片13a和13b彼此的感光性粘接剂5。由此，无论感光性粘接剂5的组成如何，都可以通过改变印刷版而涂布为所希望的膜厚。因此，能够减少半导体装置或带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法中的粘接剂的浪费，并且可以用单一的粘接剂涂布为多种膜厚。接着，对本实施方式中的感光性粘接剂的优选实施方式进行说明。该感光性粘接齐U，可以适当用作上述半导体装置的制造方法中的上述感光性粘接剂5。本实施方式中的感光性粘接剂，含有(A)热固性树脂、(B)放射线聚合性化合物和(C)光聚合引发剂。(A)热固性树脂，只要是由通过加热而产生交联反应的反应性化合物所形成的成分，就没有特别限定，例如，可以列举环氧树脂、异氰酸酯树脂、马来酰亚胺树脂、烯丙基纳迪克酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、蜜胺树脂、醇酸树脂、丙烯酸树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、有机硅树脂、间苯二酚甲醛树脂、二甲苯树脂、呋喃树脂、聚氨酯树脂、酮树脂、三烯丙基异氰脲酸酯树脂、聚异氰酸酯树脂、含有三(2—羟基乙基)异氰脲酸酯的树脂、含有偏苯三酸三烯丙酯的树`脂、由环戊二烯合成的热固性树脂、以及通过芳香族二氰氨的三聚所得的热固性树脂。其中，在与聚酰亚胺树脂的组合中，从能够在高温下具有优异粘接力的观点考虑，优选环氧树脂、马来酰亚胺树脂以及烯丙基纳迪克酰亚胺树脂。另夕卜，这些热固性树脂，可以单独使用I种或将2种以上组合使用。作为环氧树脂，优选在分子内含有至少2个以上环氧基的物质，并且从热压合性、固化性和固化物特性的观点考虑，更优选酚的缩水甘油醚型的环氧树脂。作为这种树脂，例如，可以列举双酚A型(或AD型、S型、F型)的缩水甘油醚、氢化双酚A型的缩水甘油醚、氧化乙烯加成物双酚A型的缩水甘油醚、氧化丙烯加成物双酚A型的缩水甘油醚、苯酚酚醛清漆树脂的缩水甘油醚、甲酚酚醛清漆树脂的缩水甘油醚、双酚A酚醛清漆树脂的缩水甘油醚、萘树脂的缩水甘油醚、3官能型(或4官能型)的缩水甘油醚、二环戊二烯酚醛树脂的缩水甘油醚、二聚酸的缩水甘油酯、3官能型(或4官能型)的缩水甘油胺以及萘树脂的缩水甘油胺等。它们可以单独使用I种或可以将2种以上组合使用。使用作为杂质离子的碱金属离子、碱土金属离子、卤离子特别是氯离子、水解性氯等降低至300ppm以下的高纯物作为环氧树脂的话，从防止电迁移、防止金属导体电路腐蚀的观点考虑是优选的。环氧树脂等热固性树脂的量，相对于感光性粘接剂总量优选为10 80质量％，而从感光性粘接剂可靠性的观点考虑，更优选为20 60质量％。如果该量超过80质量％，则感光性粘接剂的粘度变高，存在有印刷性下降的倾向。另一方面，如果其不到10质量％，则有无法获得充分的热压合性以及高温粘接性的倾向。热固性树脂用量的上限值和下限值，相对于感光性粘接剂总量，可以为10质量％、20质量％、33质量％、42. 5质量％、60质量％或80质量％。作为(A)热固性树脂，其5%热失重温度优选为150°C以上，更优选为180°C以上，并进一步优选为200°C以上。此处，5%热失重温度，是在使用差示热热重量同时测定装置(SII纳米科技公司制TG/DTA6300)，并在升温速度为10°C /min、氮气流(400ml/min)下测定热固性树脂时，其质量减少5%时的温度。通过使用5%热失重温度高的热固性树脂，可以抑制热固性树脂在热压合或热固化时挥发。作为具有这种耐热性的热固性树脂，可以列举分子内具有芳香环的环氧树脂，而从粘接性、耐热性的观点考虑，特别优选使用3官能型(或4官能型)的缩水甘油胺、双酚A型(或AD型、S型、F型)的缩水甘油醚。本实施方式的感光性粘接剂，优选含有热固化引发剂(固化促进剂)。作为热固化引发剂，只要是通过加热而促进环氧树脂固化或聚合的化合物，就没有特别限制，例如，可以列举酚系化合物、脂肪族胺、脂环族胺、芳香族多胺、聚酰胺、脂肪族酸酐、脂环族酸酐、芳香族酸酐、双氰胺、有机酸二酰肼、三氟化硼胺络合物、咪唑类、双氰胺衍生物、二羧酸二酰肼、三苯膦、四苯基鱗四苯基硼酸酯、2 —乙基一 4 一甲基咪唑一四苯基硼酸酯、2 -[(3，5—二甲基吡唑基)羰基氨基]乙基甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸2 —(O — [Γ甲基亚丙基氨基]羧基氨基)乙酯、1，8—二氮杂双环[5，4，O]十一碳烯一 7—四苯基硼酸酯以及叔胺。其中，从不含溶剂时的溶解性、分散性的观点考虑，优选使用咪唑类。热固化引发剂的量，相对于环氧树脂等热固性树脂100质量份，优选为O. 01 50质量份。此外，从粘接性、耐热性、保存稳定性的观点考虑，也特别优选咪唑类。热固化引发剂用量的上限值和下限值，相对于热固性树脂100质量份,可以为O. 01质量份、O. 67质量份、I质量份或50质量份。作为咪唑类，其反应开始温度可以为50°C以上，更优选为80°C以上，并最优选为100°C以上。如果反应开始温度不到50°c，则由于感光性粘接剂的保存稳定性下降，因此存在有感光性粘接剂的粘度上升，难以控制膜厚的倾向。作为咪唑类，优选使用平均粒径为10 μ m以下,更优选为8 μ m以下,最优选为5 μ m以下的化合物。通过使用这种平均粒径的咪唑类，可以抑制感光性粘接剂粘度的变化，或者可以抑制咪唑类的沉降。此外，在形成感光性粘接剂的薄膜时，减少了表面的凹凸，从而可以得到均匀的膜。进一步，由于固化时可以均匀地进行感光性粘接剂的固化，因此认为可以减少脱气。此外，通过使用对环氧树脂的溶解性不足的咪唑，可以获得良好的保存稳定性。作为咪唑类，也可以使用溶解于环氧树脂的咪唑类。通过使用这种咪唑类，可以进一步减少形成感光性粘接剂薄膜时的表面凹凸。作为这种咪唑类，没有限定，可以列举2 —乙基一 4 一甲基咪唑、I 一氰基乙基一 2 —甲基咪唑、I 一氰基乙基一 2 —乙基一 4 一甲基咪唑、I 一氰基乙基一 2—苯基咪唑、I 一苄基一 2—甲基咪唑、I 一苄基一 2 —苯基咪唑等。感光性粘接剂还可以含有酚系化合物 作为固化剂。作为酚系化合物，更优选分子中具有至少2个以上酚羟基的酚系化合物。作为这种化合物，例如，可以列举苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、叔丁基苯酚酚醛清漆、二环戊二烯甲酚酚醛清漆、二环戊二烯苯酚酚醛清漆、苯二甲基改性苯酚酚醛清漆、萘酚系化合物、三苯酚系化合物、四苯酚酚醛清漆、双酚A酚醛清漆、聚对乙烯基苯酚以及苯酚芳烷基树脂。这些化合物中，优选数均分子量在400 4000范围内的化合物。由此，在半导体装置组装过程中进行加热时，可以抑制作为半导体元件或装置等的污染原因的加热时的脱气。酚系化合物的量，相对于热固性树脂100质量份，优选为50 120质量份,更优选为70 100质量份。作为(B)放射线聚合性化合物，可以列举具有乙烯性不饱和基团的化合物，作为乙烯性不饱和基团，可以列举乙烯基、烯丙基、炔丙基、丁烯基、乙炔基、苯基乙炔基、马来酰亚胺基、纳迪克酰亚胺基、(甲基)丙烯酰基等。而从反应性观点考虑，优选(甲基)丙烯酰基，优选含有单官能(甲基)丙烯酸酯。通过添加单官能(甲基)丙烯酸酯，特别是可以在用于B阶化的曝光时，降低感光性粘接剂的交联密度，并且可以使曝光后的热压合性、低应力性以及粘接性达到良好的状态。单官能(甲基)丙烯酸酯的5%热失重温度，优选为100°C以上，更优选为120°C以上，进一步优选为150°C以上，并最优选为180°C以上。此处，5%热失重温度，是在使用差示热热重量同时测定装置(SII纳米科技公司制TG/DTA6300)，并在升温速度为10°C/min、氮气流(400ml/min)下测定单官能(甲基)丙烯酸酯时,其质量减少5%时的温度。通过使用5%热失重温度高的单官能(甲基)丙烯酸酯，可以抑制通过曝光而B阶化后残存的未反应的单官能(甲基)丙烯酸酯在热压合或热固化时挥发。只要是这种单官能(甲基)丙烯酸酯，就没有特别限定，其可以使用含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、苯酚EO改性(甲基)丙烯酸酯、苯酚PO改性(甲基)丙烯酸酯、壬基苯酚EO改性(甲基)丙烯酸酯、壬基苯酚PO改性(甲基)丙烯酸酯、含有酚羟基的(甲基)丙烯酸酯、含有羟基的(甲基)丙烯酸酯、苯基酚缩水甘油醚(甲基)丙烯酸酯以及苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯等芳香族系(甲基)丙烯酸酯、含有酰亚胺基的(甲基)丙烯酸酯、含有羧基的(甲基)丙烯酸酯、含有异冰片基的(甲基)丙烯酸酯、含有二环戊二烯基的(甲基)丙烯酸酯以及异冰片基(甲基)丙烯酸酯等。

作为单官能(甲基)丙烯酸酯，从B阶化后与被粘接物的密合性、固化后的粘接性、耐热性的观点考虑，优选具有氨基甲酸酯基、异氰脲酸酯基、酰亚胺基或羟基，并特别优选为在分子内具有酰亚胺基的单官能(甲基)丙烯酸酯。还可以优选使用具有环氧基的单官能(甲基)丙烯酸酯。作为具有环氧基的单官能(甲基)丙烯酸酯，从保存稳定性、粘接性、低脱气性、耐热可靠性和耐湿可靠性的观点考虑，其5%热失重温度优选为150°C以上，进一步优选为180°C以上，并最优选为200°C以上。作为这种具有环氧基的单官能(甲基)丙烯酸酯，没有特别限定，但通过使用5%热失重温度为150°C以上的多官能环氧树脂作为原料，可以满足上述耐热性。作为具有环氧基的单官能(甲基)丙烯酸酯，没有特别限定，除了缩水甘油基甲基丙烯酸酯、缩水甘油基丙烯酸酯、4 一羟基丁基丙烯酸酯缩水甘油醚、4 一羟基丁基甲基丙烯酸酯缩水甘油醚外，还可以列举使具有和环氧基反应的官能团以及乙烯性不饱和基团的化合物与多官能环氧树脂反应所得的化合物等。作为上述和环氧基反应的官能团，没有特别限定，可以列举异氰酸酯基、羧基、酚羟基、羟基、酸酐、氨基、硫醇基、酰胺基等。这些化合物，可以单独使用I种，或者将2种以上组合使用。作为具有环氧基的单官能(甲基)丙烯酸酯，例如，可以通过在三苯膦、四丁基溴化铵存在下，使I分子中具有至少2个以上环氧基的多官能环氧树脂，与相对于I当量环氧基为O.1 O. 9当量的(甲基)丙烯酸进行反应而得到。此外，通过在二丁基锡月桂酸酯存在下，使多官能异氰酸酯化合物与含有羟基的(甲基)丙烯酸酯以及含有羟基的环氧化合物反应，或者使多官能环氧树脂与含有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯反应，可以得到含有缩水甘油基的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。具有环氧基的单官能(甲基)丙烯酸酯，从保存稳定性、粘接性、半导体装置组装加热时和半导体装置组装后的封装中的低脱气性、耐热性以及耐湿性的观点考虑，其5%重量减少温度，在可以抑制因形成粘接膜(感光性粘接剂层)时的加热干燥而导致的挥发或向表面偏析这一点上优选为150°C以上，在可以抑制因热固化时的脱气而导致的孔隙和剥离、粘接性下降这一点上更优选为180°C以上，并进一步优选为200°C以上，而在可以抑制因回流时未反应成分挥发而导致的孔隙和剥离这一点上最优选为260°C以上。作为这种具有环氧基的单官能(甲基)丙烯酸酯，优选为分子内具有芳香环的化合物。进一步，使用作为杂质离子的碱金属离子、碱土金属离子、卤离子特别是氯离子、水解性氯等降低至IOOOppm以下的高纯物作为具有环氧基的单官能(甲基)丙烯酸酯的话，从防止电迁移、防止金属导体电路腐蚀的观点考虑是优选的。例如，通过使用降低了碱金属离子、碱土金属离子、卤离子等的多官能环氧树脂作为原料，可以满足上述杂质离子浓度。总的氯含量可以根据JISK7243-3进行测定。作为满足上述耐热性和纯度的具有环氧基的单官能(甲基)丙烯酸酯成分，没有特别限定，可以列举以双酚A型(或AD型、S型、F型)的缩水甘油醚、氢化双酚A型的缩水甘油醚、氧化乙烯加成物双酚A和/或F型的缩水甘油醚、氧化丙烯加成物双酚A和/或F型的缩水甘油醚、苯酚酚醛清漆树脂的缩水甘油醚、甲酚酚醛清漆树脂的缩水甘油醚、双酚A酚醛清漆树脂的缩水甘油醚、萘树脂的缩水甘油醚、3官能型(或4官能型)的缩水甘油醚、二环戊二烯酚醛树脂的缩水甘油醚、二聚酸的缩水甘油酯、3官能型(或4官能型)的缩水甘油胺以及萘树脂的缩水甘油胺等作为原料的物质。特别是为了改善热压合性、低应力性以及粘接性，环氧基和乙烯性不饱和基团的数量分别优选为3个以下，特别优选乙烯性不饱和基团的数量为2个以下。作为这种化合物，没有特别限定，但优选 使用下述通式(1)、(2)、(3)、(4)或(5)所表示的化合物等。在下式通式(I) (5)中，R12和R16表示氢原子或甲基，R10、Rn、R13和R14表示2价的有机基团，R15、R17和R18表示具有环氧基或乙烯性不饱和基团的有机基团。f表示整数。f例如为I 10。[化I]
权利要求
1.一种带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法，其包含通过丝网印刷法在半导体晶片的一面的整个表面涂布感光性粘接剂，形成感光性粘接剂层的工序；和通过曝光使所述感光性粘接剂层B阶化的工序。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述感光性粘接剂含有热固性树脂、放射线聚合性化合物以及光聚合弓I发剂。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中所述感光性粘接剂进一步含有热固化引发剂。
4.如权利要求1 3中的任一项所述的制造方法，其中所述感光性粘接剂在25°C下的粘度为I IOOPa · S，并且所述感光性粘接剂的触变指数为1. O 3. O。
5.用于权利要求1所述的制造方法的感光性粘接剂，其含有热固性树脂、放射线聚合性化合物以及光聚合引发剂。
6.如权利要求5所述的感光性粘接剂，其进一步含有热固化引发剂。
7.如权利要求5或6所述的感光性粘接剂，其在25°C下的粘度为I IOOPa· s,并且触变指数为1. O 3. O。
8.一种通过下述方法所得的半导体装置，所述方法包含将通过权利要求1 4中的任一项所述的制造方法所得的带有粘接剂层的半导体晶片单片化，得到带有粘接剂层的半导体芯片的工序；和将所述带有粘接剂层的半导体芯片的半导体芯片粘接于支持部件或其它半导体芯片的工序。
9.一种丝网印刷用感光性粘接剂，其含有热固性树脂、放射线聚合性化合物以及光聚合引发剂，并且在25°C下的粘度为I IOOPa · S，触变指数为1. O 3. O。
全文摘要
本发明提供一种带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法，其包含通过丝网印刷法在半导体晶片的一面的整个表面涂布感光性粘接剂，形成感光性粘接剂层的工序；和通过曝光使所述感光性粘接剂层B阶化的工序。
文档编号C09J4/00GK103053016SQ20118003791
公开日2013年4月17日 申请日期2011年7月29日 优先权日2010年8月3日
发明者森修一, 藤井真二郎, 满仓一行 申请人:日立化成株式会社