一种量子点固态膜及其制备方法与QLED器件与流程

技术特征：

1.一种量子点固态膜的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A、首先将含有配体的量子点制成量子点固态膜；

步骤B、然后将量子点固态膜置于无机盐溶液中1s~10min后取出；

步骤C、随后用与无机盐溶液相同的溶剂清洗量子点固态膜，得到不含配体的量子点固态膜。

2.根据权利要求1所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述无机盐溶液是无机盐溶解在溶剂中配制而成的，所述无机盐为硫化胺、硒化胺、硫化钠、硫化镁、硫化铜、硫化铁中的一种。

3.根据权利要求2所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述溶剂为去离子水、甲醇、乙醇中的一种。

4.根据权利要求1所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述量子点为油溶性量子点。

5.根据权利要求4所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述油溶性量子点包含量子点和量子点表面的油溶性配体，所述量子点为二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点中的一种，所述油溶性配体为油酸、油胺、三辛基磷、三辛基氧磷中的一种。

6.根据权利要求5所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述二元相量子点为CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一种。

7.根据权利要求5所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述三元相量子点为Zn_XCd_1-XS、Cu_XIn_1-XS、Zn_XCd_1-XSe、Zn_XSe_1-XS、Zn_XCd_1-XTe、PbSe_XS_1-X中的一种。

8.根据权利要求5所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述四元相量子点为Zn_XCd_1-XS/ZnSe、Cu_XIn_1-XS/ZnS、Zn_XCd_1-XSe/ZnS、CuInSeS、Zn_XCd_1-XTe/ZnS、PbSe_XS_1-X/ZnS中的一种。

9.一种量子点固态膜，其特征在于，所述量子点固态膜采用如权利要求1-8任一所述的量子点固态膜的制备方法制备而成。

10.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件的量子点发光层包括如权利要求9所述的量子点固态膜。