W使粘合膜IA的粘合剂层与胶粘剂层接触的方式，在室溫层 压脱模膜2A。然后，对于粘合膜1A，W向脱模膜的切入深度为10 y m W下的方式调节而W 与胶粘剂层同屯、圆状进行了直径290mm的圆形预切割加工。接着，在脱模膜2A的与设置了 胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2面、且在脱模膜2A的短边方向两端部的区域r隔开 IOmm的相互间隔贴合支承构件4A，制作了具有图1所示的结构的实施例1的晶片加工用 带。 阳109](实施例2)
[0110] 除了使用支承构件4G来代替支承构件4A、将支承构件间的间隔设置为5mm W外， 与实施例1同样地，制作了实施例2的晶片加工用带。 阳111](实施例3)
[0112] 除了使用支承构件4D来代替支承构件4A、使用胶粘剂层3B来代替胶粘剂层3A W 夕F，与实施例1同样地，制作了实施例3的晶片加工用带。 阳113](实施例4)
[0114] 除了使用支承构件4G来代替支承构件4D、将支承构件间的间隔设置为5mm W外， 与实施例3同样地，制作了实施例4的晶片加工用带。 阳11引（实施例。
[0116] 除了使用胶粘剂层3C来代替胶粘剂层3B W外，与实施例4同样地，制作了实施例 5的晶片加工用带。 阳117](实施例6)
[0118] 除了在靠近胶粘剂层一侧使用支承构件G、在端部侧使用支承构件E W外，与实施 例5同样地，制作了实施例6的晶片加工用带。
[0119] (比较例1)
[0120] 使冷藏保管后的形成有胶粘剂层3A的脱模膜2A恢复至常溫，对于胶粘剂层，W向 脱模膜的切入深度为10 y m W下的方式调整而进行了直径220mm的圆形预切割加工。之后， 除去胶粘剂层的不需要部分，W使粘合膜IA的粘合剂层与胶粘剂层接触的方式，在室溫层 压脱模膜2A。然后，对于粘合膜1A，W向脱模膜的切入深度为10 y m W下的方式调节而W 与胶粘剂层同屯、圆状进行直径290mm的圆形预切割加工，留下圆形标签部和周边部，除去 了其他不需要部分。接着，在脱模膜2A的与设置了胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2 面、且在脱模膜2A的短边方向两端部分别贴合一个支承构件4C，制作了现有专利文献1的 具有图1所示的结构的比较例1的晶片加工用带。 阳121](比较例2) 阳12引除了使用胶粘剂层3B来代替胶粘剂层3A W外，与比较例1同样地，制作了比较例 2的晶片加工用带。 阳123](比较例3)
[0124] 除了使用支承构件4H来代替支承构件4C、使用胶粘剂层3B来代替胶粘剂层3A W 夕F，与比较例1同样地，制作了比较例3的晶片加工用带。 阳125](比较例4)
[01%] 除了使用支承构件4H来代替支承构件4C、使用胶粘剂层3C来代替胶粘剂层3A W 夕F，与比较例1同样地，制作了比较例4的晶片加工用带。 阳127](比较例5)
[012引除了不设置支承构件W外，与比较例2同样地，制作了比较例5的晶片加工用带。
[0129] [标签痕迹的抑制性的评价]
[0130] W圆形形状的粘合膜的数目为300张的方式，将实施例和比较例的晶片加工用带 卷绕为卷筒状，制作了晶片加工用带卷筒。在冰箱内巧°c)保管得到的晶片加工用带卷筒 1个月。之后，使晶片加工用带卷筒恢复至室溫后解开卷筒，目视观察标签痕迹的有无，基于 W下的评价基准，W〇、A、X的3个等级评价了晶片加工用带的转印痕的抑制性。在表1 和表2中不出结果。 阳131] O (良品）：从各种角度目视观察也无法确认标签痕迹
[0132] A (容许品）：可W确认标签痕迹但没到对半导体装置的加工工序造成影响的程 度
[0133] X (不良品）：可W确认存在对半导体装置的加工工序带来影响的可能性的标签 痕迹
[0134] [空气的卷入的抑制性的评价]
[0135] W圆形形状的粘合膜的数目为200张的方式，将实施例和比较例的晶片加工用带 卷绕为卷筒状，制作了晶片加工用带卷筒。将得到的晶片加工用带卷筒放入包装袋，在冰箱 内巧°C )保管I个月后，在带表面成为-50°c的干冰气氛下保管3天。之后，使晶片加工 用带卷筒恢复至常溫后将包装袋开封，解开卷筒，目视观察空气的有无，将空气被排出至圆 形标签部的外侧、在胶粘剂层与粘合膜的圆形标签部之间没有空气的卷入的评价为O (良 品），将空气没有完全排出至圆形标签部的外侧而一部份残留、但在胶粘剂层与粘合膜的圆 形标签部之间没有空气的卷入的评价为A (容许品），将在胶粘剂层与粘合膜的圆形标签 部之间有空气的卷入的评价为X (不良品），评价了晶片加工用带的空气的卷入的抑制性。 在表1和表2中不出结果。
[0140] 如表1所示，实施例1~6所设及的晶片加工用带，在脱模膜的与第1面相反的第 2面上、且在比胶粘剂层的在脱模膜的短边方向上的端部更靠外侧的一个区域中在脱模膜
[0136][表 U 阳 137] 阳13引 阳 139] 的短边方向设置有多个支承构件，因此标签痕迹的抑制性、空气的卷入的抑制性都成为良 好的结果。在靠近粘接层的一侧的支承构件的厚度最厚的实施例6中，空气的卷入的抑制 性中成为特别优异的结果。 阳141]与此相对，在比胶粘剂层的在脱模膜的短边方向上的端部更靠外侧的一个区域中 在脱模膜的短边方向仅设置了 1个支承构件的比较例1~4所设及的晶片加工用带，如表2 所示，空气的卷入的抑制性成为差的结果。没有设置支承构件的比较例5所设及的晶片加 工用带在空气的卷入的抑制性中成为优异的结果，但标签痕迹的抑制性中成为差的结果。 [014引符号说明 [014引 10:晶片加工用带
[0144] 11 :脱模膜
[0145] 12 :胶粘剂层
[0146] 13 :粘合膜 阳147] 13a:圆形标签部
[0148] 13b :周边部
[0149] 14、14'、14":支承构件
【主权项】
1. 一种晶片加工用带，其特征在于，具有： 长的脱模膜， 胶粘剂层，在所述脱模膜的第1面上设置、且具有规定的平面形状， 粘合膜，具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部，所述标签部以覆盖所述胶粘 剂层、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模膜接触的方式设置，并且具有规定的平面形状， 以及， 支承构件，设置在所述脱模膜的与设置有所述胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2 面上，且在比所述胶粘剂层的在所述脱模膜的短边方向上的端部更靠外侧的一个区域中、 沿所述脱模膜的短边方向设置有多个。2. 根据权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于， 在所述一个区域中设置的所述支承构件中，靠近所述粘接层的一侧的厚度最厚。3. 根据权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于， 所述支承构件的各自的宽度为10~15mm， 在所述一个区域中设置的所述支承构件之间的间隔为5mm以上。
【专利摘要】本发明的课题在于提供可以减少标签痕迹的产生且可以减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷绕空气(air)的晶片加工用带。其特征在于，具有：长的脱模膜(11)；胶粘剂层(12)，设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜(13)，具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)，标签部(13a)以覆盖胶粘剂层(12)、且在胶粘剂层(12)的周围与脱模膜(11)接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件(14)，设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上，且在比胶粘剂层(12)的在脱模膜(11)的短边方向上的端部更靠外侧的一个区域中、沿脱模膜(11)的短边方向设置有多个。
【IPC分类】H01L21/78, C09J7/02, H01L21/68
【公开号】CN105694744
【申请号】CN201510870170
【发明人】杉山二朗, 青山真沙美, 佐久间登, 大田乡史, 木村和宽
【申请人】古河电气工业株式会社
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年12月2日