专利名称：一种单晶硅热场二次加料装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种加料装置，尤其是涉及一种单晶硅热场中，高温作业下的第二次加 入硅砂原材料的二次加料装置。
背景技术：
加料装置一般都是针对具体的工作要求而设计的，常温下的加料与高温下的加料不同， 加料多与加料少的方式也不同。
如专利号为94194806. 4—种用于向带有炉体的电炉中兑入液体金属的加料装置，包括由 沿电炉的炉体侧面延伸出来并和电炉的炉底相联接的加料悬台。如专利号为200680029797的 发明提出了一种为竖炉加料的加料装置，该加料装置包括旋转布料器，以及可变驱动装置， 用于使旋转布料器绕基本竖直的旋转轴旋转。又如专利号为99107312.6竖炉加料装置，包括 带有进料口和出料口的料斗， 一个布料组件，各包括第一段和第二段的两个导向元件，第一 段位于靠近布料组件的水平部件，第二段至少包括两个平面，由于其形状使得在炉子的炉喉 区装入的炉料具有要求的堆积形状。
再如专利号为01225665. X实用新型的一种加料器，用于向粉末材料如稀土金属合金粉末 压制成型设备的压制模槽加料的加料器。包含可盛放粉末的容器，位于容器内的搅动部件和 搅动部件的驱动机构，在容器底部设有筛网，在容器底部筛网下面还设有用于防止容器内粉 末材料撒漏的托板。还有如专利号为00240483.4实用新型的一种密闭性固体加料装置，包括 反应瓶、加料瓶和两个弯形转换接头，弯形转换接头所呈的弯曲角度为110 170度，加料瓶 的瓶口依次通过两个弯形转换接头与反应瓶的进料口连接，各部件之间的连接处通过玻璃磨 口相连接。
对于高温下的单晶硅热场中，由于第一次加料即使加满硅砂，熔解之后也只占坩埚容积 的小部分，如果不进行二次加料，单次坩埚中的结晶体小，产量低，而且耗能。 发明内容
本实用新型的目的是为了解决单晶硅热场中的在高温下第二次加料的问题，提供一种安 全，操作方便，使单晶硅单次结晶量大增的单晶硅热场二次加料装置。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的这种单晶硅热场二次
3加料装置，包括单晶硅热场炉、夹头、推杆、料筒，在推杆的下端设一圆锥体，推杆穿过料 筒，圆锥体的大端直径大于料筒的直径，料筒内加入硅砂，由起吊输送装置中的夹头自动把 料筒送进单晶硅热场炉中，继续下压推杆，硅砂在自重作用下流入石墨坩埚中，与前一次加 入的已熔化的硅砂一道熔融，达到单次结晶体大增的目的。
作为优选，所述的料筒的上端设有一边沿，边沿的直径大于单晶硅热场炉顶盖中部设有 的通孔的直径，这里的单晶硅热场炉顶盖在设计时，与二次加料装置相互配合才能使用，料 筒的长度上从单晶硅热场炉顶盖中部的通孔，下至单晶硅热场炉内的导流筒的底部位置，在 第一次加料后，由于硅砂散装体积较大，加满的硅砂经熔化之后体积一般只占石墨坩埚的三 分之一以下，这时再加入一次原材料，单次结晶产品就增大了。
作为优选，所述的推杆的上端与夹头连接，由于是高温作业，这里的夹头一般是与起吊 输送装置结合在一起的，推杆上部设一导向环，导向环在工作时在料筒轴向起定向作用，导 向环包括外圈和撑条，外圈的外径比料筒的内径小，撑条与推杆连接，外圈与撑条之间构成 空隙，向料筒内加料就从空隙中加入。
作为优选，所述的推杆下端的圆锥体其顶锥角小于90度，当推杆下移时，硅砂就从锥体 表面滑入石墨坩埚内，顶锥角度太小，也不行，其推杆行程会减小，加料量也会减小。
因此，本实用新型是一种结构设计合理，能自动加料，使单次结晶产品产量增大的单晶 硅热场二次加料装置。
图l是本实用新型的一种结构示意图。
图2是本实用新型在单晶硅热场中位置示意图。
图3是本实用新型图1的俯视示意图。
图中1.夹头，2.推杆，21.导向环，22.圆锥体，23.撑条，24.外圈，3.料筒， 4.热场炉顶盖，5.石墨坩埚，6.导流筒，7.硅砂。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。 参见图l、 2、 3，设一料筒3，其长度为单晶硅热场的热场炉顶盖4上通孔至炉内导流筒6 的底部位置距离，在推杆2上，设一导向环21，下端部设一圆锥体22，圆锥体22的大端直径 比料筒3的直径稍大，圆锥体22大端与导向环21之间距离小于料筒3的长度。
导向环21有一外圈24和撑条23，外圈24的外径比料筒3的内径小，外圈可在料筒3内滑动 ，设三根撑条23与推杆2焊接成一体，外圈24与三根撑条23之间构成空间，这个空间是用于
4把硅砂7加入料筒3内用的。
圆锥体22其顶锥角设计成80度角。
工作时，先把硅砂7加入料筒3内，由夹头1夹紧推杆2，连同料筒3—起提起，硅砂因圆 锥体22托住不会流出，当送到已有第一次加料已熔融成液态单晶硅的热场炉内时，料筒3的 上边沿搁在热场炉顶盖4的顶部上通孔口上，夹头再向下推动推杆2，硅砂7从圆锥体22的表 面滑入石墨坩埚5内，加完后提起推杆2，连同料筒3—道移出。
权利要求1.一种单晶硅热场二次加料装置，包括单晶硅热场炉、夹头、推杆、料筒，其特征是所述的推杆(2)下端设一圆锥体(22)，推杆穿过料筒(3)，圆锥体(22)的大端直径大于料筒(3)的直径。
2.根据权利要求l所述的一种单晶硅热场二次加料装置，其特征在于 所述的料筒(3)的上端设有一边沿，边沿的直径大于单晶硅热场炉顶盖(4)中部设有的通 孔的直径，料筒(3)的长度上自单晶硅热场炉顶盖(4)中部的通孔，下到单晶硅热场炉内 的导流筒(6)的底部位置。
3.根据权利要求l所述的一种单晶硅热场二次加料装置，其特征在于 所述的推杆(2)的上端与夹头(1)连接，推杆上部设一导向环(21)，导向环(21)包括 外圈(24)和撑条(23)，外圈(24)的外径比料筒(3)的内径小，撑条(23)与推杆(2 )连接，外圈(24)与撑条(23)之间构成空隙。
4.根据权利要求1或2所述的一种单晶硅热场二次加料装置，其特征 在于所述的推杆(2)下端的圆锥体(22)其顶锥角小于90度。
专利摘要本实用新型涉及一种加料装置，尤其是涉及一种单晶硅热场中，高温作业下的第二次加入硅砂原材料的二次加料装置，包括单晶硅热场炉、夹头、推杆、料筒，在推杆的下端设一圆锥体，推杆穿过料筒，圆锥体的大端直径大于料筒的直径，料筒内加入硅砂，由起吊输送装置中的夹头自动把料筒送进单晶硅热场炉中，继续下压推杆，硅砂在自重作用下流入坩埚中，与前一次加入的已熔化的硅砂一道熔融，以达到单次结晶体大增的目的。
文档编号F27B17/00GK201331263SQ200820303350
公开日2009年10月21日 申请日期2008年12月12日 优先权日2008年12月12日
发明者田党军, 钟小平 申请人:浙江舒奇蒙能源科技有限公司